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公开(公告)号：CN108439413B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810467385.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种四氯化硅的氢化方法，属于多晶硅生产技术领域。四氯化硅的氢化方法是向填充有电磁场调整材料和负载金属催化剂的气体放电反应器内通入四氯化硅和氢气，在电磁场的作用下反应。此方法能够提高四氯化硅低温氢化的效率，降低反应体系的温度。
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公开(公告)号：CN110125138A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910338525.9
申请日：2019-04-25
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: B09B3/00
Abstract: 本发明提供了一种废旧太阳能光伏组件的回收利用方法，包括废旧太阳能电池的绝缘处理和在废旧太阳能电池上设置连接结构。本发明的废旧太阳能光伏组件的回收利用方法，采用绝缘处理可以使废旧太阳能光伏组件成为不带电的材料，通过连接结构的设置，方便相互间进行连接，从而实现回收利用废旧太阳能光伏组件的作用，而且该利用改造少，无须进行内部拆解，环保安全，具有非常高的经济性。
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公开(公告)号：CN109879287A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910287734.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/03
Abstract: 一种用于颗粒多晶硅的制备装置及方法，涉及晶体硅制备技术领域，该装置设置有微波加热装置、晶种加入管、旋风分离器、水平晃动器、进料混合器、旋转电机、成品出口、反应旋转盘；该方法采用上述装置加入晶种后加热至反应温度，通入反应气体，反应生成的高纯硅沉积在预先加入的晶种表面，最后生成粒度、纯度等均符合要求的颗粒状多晶硅，在反应旋转盘旋转力的作用下，达到一定粒度的颗粒硅被甩出并收集。本发明的有益效果在于：本发明提供的装置及方法克服流化床沸腾时颗粒与反应器内壁之间产生的磨损，防止反应器内壁破损，有利于实现产业化生产；减少颗粒多晶硅之间的磨损，提高产品的品质；减少硅粉末的产生，提高成品率。
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公开(公告)号：CN107986285B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201711265493.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035 , C04B35/10 , C04B35/622 , C23C12/00 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种还原炉底盘及其涂层制备方法，还原炉底盘采用不锈钢制成，底盘表面具有银涂层，可以使底盘表面保持较低的温度，进而杜绝无定型硅在底盘表面形成黑色膜层，使无定型硅以颗粒形式富集在底盘表面；底盘电极卡槽以及底盘表面绝缘面喷涂有银/氧化铝复合膜层，复合膜层使得氧化铝与基体结合强度更强，不易造成应变破裂；将外置绝缘保护变为内置绝缘保护，大幅提高了底盘与电极之间的绝缘性能；筛网表面设置有银/氧化铝复合涂层，复合涂层具有耐腐蚀、热稳定性高、耐冲刷等优点；该底盘涂层喷涂方法的优点是，涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率可超过98％，且涂层制备过程的生产效率高。
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公开(公告)号：CN108295994A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810121285.2
申请日：2018-02-07
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高压电极以及应用该高压电极的多晶硅破碎装置，高压电极包括有高压电极本体，高压电极本体安装于导流罩中；导流罩具有电极安装槽和导流通道；多晶硅破碎装置，包括有破碎水槽、多晶硅棒支撑架、接地电极、高压电极、电源、导流管线和超纯水补充管线。本发明的高压电极设有导流通道，能够及时将高压电极溶解产生的局部高浓度金属液体导出破碎水槽外，避免金属杂质对多晶硅造成污染；破碎水槽内壁衬有陶瓷材料，可隔绝液体与水槽腔体的接触，避免水槽腔体对液体的污染，还可避免多晶硅碎块与破碎水槽接触造成污染。通过本发明的高压电极以及多晶硅破碎装置，可以实现多晶硅棒的无污染、高效率破碎。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108043611A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711294247.9
申请日：2017-12-08
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种还原炉冷喷涂系统及喷涂方法，还原炉冷喷涂系统，该系统包括有气体工作站、气体预加热器、气体加热器、粉末填充装置、喷枪、中央控制单元、自动机械臂、还原炉钟罩支架和还原炉钟罩清洗工作站，还原炉钟罩支架推动还原炉钟罩做圆周运动，而喷枪做往复直线运动和往复圆弧运动，工作载气携带原材料粉末从喷枪喷在还原炉钟罩的内表面形成涂层。本发明提供的喷涂系统及方法可以实现还原炉内壁在大气气氛中的高速喷涂，所有监控和调控均在中央控制单元进行，可实现还原炉钟罩内壁喷涂的全自动化和智能化；两级加热可以将载气和原料的污染降到最低，保障涂层的原始性能；采用低压仓储存原材料，解决原材料易氧化、易污染的问题。
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公开(公告)号：CN106082134B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610465263.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B13/11
Abstract: 本发明公开了一种臭氧制备方法，往反应器中加入催化剂，然后将含有氧气的原料气充入反应器中，并通入冷却介质，然后启动激励电源通过介质阻挡放电使原料气活化并形成均匀分布的非平衡等离子体，等离子体中的活性粒子在放电区域放置的催化剂上发生反应产生臭氧。该方法对原料气的来源和组成没有特别要求，氧气及含氧气的混合气均适用于该方法。该方法巧妙的将冷却装置设置在反应器内部，以空气等气体作为冷却介质，成本低、效率高该方法可以在温和条件下，将多种含氧气的原料气转化为臭氧，其工艺过程简单灵活，能耗低，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107904658A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711202339.X
申请日：2017-11-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种还原炉内壁复合涂层制备方法，往内壁具有银涂层的还原炉内通入含有含碳气体的热氢气，热氢气中的含碳气体首先吸附在银涂层的表面，进而含碳气体在银涂层表面的气固相界面发生分解反应并生成单质碳，单质碳进一步与银膜层中的银发生反应生成碳化银，进而在银层表面形成致密的碳化银层。本发明通过采用上述工艺方法，使还原炉内壁银/碳化银复合涂层具有高热反射率、高热稳定性、高耐腐蚀性能、高耐冲刷性能等优点，解决了传统还原炉内壁涂层存在的缺陷，可以实现还原炉连续稳定节能和保障高纯多晶硅的稳定生产。且该制备方法具有容易操作、工艺简单、成本低廉等优势，可以实现大规模应用。
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公开(公告)号：CN106495163B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201611004218.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种可消除多晶硅碳头料的装置，包括电极、石墨底座、卡瓣组及石墨帽，卡瓣组由石墨部分和多晶硅部分对接而成，石墨部分构成卡瓣组的主体结构并置于石墨底座上，多晶硅部分构成卡瓣组的上部结构，且多晶硅部分对接于石墨部分的顶部上面；在石墨帽的上表面覆盖有一层多晶硅保护壳。本发明具有以下优点：在还原炉内硅沉积到硅芯上的同时也沉积到卡瓣组多晶硅部分上，镶嵌在硅棒中的多晶硅部分无需处理，可直接利用，避免了由于石墨卡瓣造成的碳头料；多晶硅壳避免了硅棒与石墨帽接触，消除了碳污染和造成破损的可能性；石墨部分可循环利用，节约生产成本；提升了产品质量、提高了硅料利用率、节省了人力资源和经济成本。
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公开(公告)号：CN107673357A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710977922.1
申请日：2017-10-17
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产领域，公开了一种还原炉用硅芯及还原炉。本发明提供的还原炉用硅芯，其包括两个硅芯本体，硅芯本体的外周壁设置有至少三个凸起或凹槽，凸起或凹槽从第一端延伸至第二端。包括至少三个凸起或凹槽，增大还原炉用硅芯的外周表面积，有利于增加沉积速度，降低能耗，提高硅的品质。第一连接件与第一端连接，便于连接横梁，增加其稳定性。用于连接在还原炉底部的第二连接件，第二连接件与第二端连接，设置第二连接件。设置第二连接件结合硅芯本体的形状，便于保证硅芯的稳定性，避免其由于支撑不牢而发生倒炉现象。本发明提供的还原炉由于包括上述的还原炉用硅芯，因此也具备上述的有益效果。
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