公开(公告)号：CN1284573A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00121779.8

申请日：2000-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 羽木良明 ,  加藤重人

IPC: C30B11/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/14 ,  C30B29/42 ,  C30B29/62 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016

Abstract: 一种晶体生长容器2,使晶体在主容器的内部生长,其特征在于,它具有使晶体开始生长的晶体开始生长部6,该晶体开始生长部6是由比主容器4的材料之导热系数大的材料构成的。

公开(公告)号：CN1249368A

公开(公告)日：2000-04-05

申请号：CN99117925.0

申请日：1999-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 羽木良明 ,  中井龙资

IPC: C30B29/42 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  Y10T428/265

Abstract: 可以得到一种GaAs单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片,可以抑制外延层生长时产生滑移位错,能够改善器件的耐压特性。GaAs单晶衬底具有最大为2×104cm－2的平面平均位错密度,2.5—20.0×105cm－3的碳浓度,2.0—20.0×1016cm－3的硼浓度,最多为1×1017cm－3的除碳和硼外的杂质浓度,5.0—10.0×1015cm－3的EL2浓度,1.0—5.0×108Ωcm的电阻率,及最大为1.0×10－5的光弹性分析测得的平均残余应变。