-
-
公开(公告)号：CN101451265B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810169408.6
申请日：1999-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B11/00 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , Y10T428/265
Abstract: 可以得到一种GaAs单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片，可以抑制外延层生长时产生滑移位错，能够改善器件的耐压特性。GaAs单晶衬底具有最大为2×104cm-2的平面平均位错密度，2.5-20.0×1015cm-3的碳浓度，2.0-20.0×1016cm-3的硼浓度，最多为1×1017cm-3的除碳和硼外的杂质浓度，5.0-10.0×1015cm-3的EL2浓度，1.0-5.0×108Ωcm的电阻率，及最大为1.0×10-5的光弹性分析测得的平均残余应变。
-
公开(公告)号：CN111356794A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074748.2
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种氮化镓晶体基板，所述氮化镓晶体基板具有50mm以上且155mm以下的直径并且具有300μm以上且800μm以下的厚度，并且在其外缘的一部分中包括平坦部和缺口部中的任一者。所述氮化镓晶体基板含有2×1017cm-3以上且4×1018cm-3以下的浓度的氧原子、硅原子和载流子中的任一种，并且在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述氮化镓晶体基板具有1000cm-2以上且5×107cm-2以下的平均位错密度。
-
公开(公告)号：CN101018895A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200680000827.6
申请日：2006-03-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 羽木良明
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1036
Abstract: 一种由氮化硼制成的晶体生长坩埚(1)，包括：用于容纳籽晶晶体的柱形尖端部分(3)，以及用于生长晶体的柱形直体部分(5)，该直体部分形成在该尖端部分上并具有大于该尖端部分的直径。尖端部分的厚度T1和直体部分的厚度T2满足0.1mm≤T2＜T1≤5mm的条件，以及直体部分的内径D2和长度L2满足100mm＜D2和2＜L2/D2＜5的条件。
-
公开(公告)号：CN102906314A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025287.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002
Abstract: 披露了一种热分解氮化硼容器，即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时，所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆，并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分，其横截面面积基本恒定，和台阶部分，其被配置在离开所述开口的预定位置处，并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D，并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时，满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时，优选地，满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1249368B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN99117925.0
申请日：1999-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B11/00 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , Y10T428/265
Abstract: 可以得到一种GaAs单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片，可以抑制外延层生长时产生滑移位错，能够改善器件的耐压特性。GaAs单晶衬底具有最大为2×104cm-2的平面平均位错密度，2.5-20.0×1015cm-3的碳浓度，2.0-20.0×1016cm-3的硼浓度，最多为1×1017cm-3的除碳和硼外的杂质浓度，5.0-10.0×1015cm-3的EL2浓度，1.0-5.0×108Ωcm的电阻率，及最大为1.0×10-5的光弹性分析测得的平均残余应变。
-
公开(公告)号：CN100526520C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200680000827.6
申请日：2006-03-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 羽木良明
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1036
Abstract: 一种由氮化硼制成的晶体生长坩埚(1)，包括：用于容纳籽晶晶体的柱形尖端部分(3)，以及用于生长晶体的柱形直体部分(5)，该直体部分形成在该尖端部分上并具有大于该尖端部分的直径。尖端部分的厚度T1和直体部分的厚度T2满足0.1mm≤T2＜T1≤5mm的条件，以及直体部分的内径D2和长度L2满足100mm＜D2和2＜L2/D2＜5的条件。
-
公开(公告)号：CN1273650C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN00121779.8
申请日：2000-07-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B29/40 , C30B9/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/14 , C30B29/42 , C30B29/62 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016
Abstract: 一种晶体生长容器2，使晶体在主容器的内部生长，其特征在于，它具有使晶体开始生长的晶体开始生长部6，该晶体开始生长部6是由比主容器4的材料之导热系数大的材料构成的。
-
公开(公告)号：CN111406130B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201880052390.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硅的原子浓度为3.0×1016cm‑3以上且3.0×1019cm‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有0cm‑2以上且15000cm‑2以下的平均位错密度，并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm‑3以上且5.0×1017cm‑3以下时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm‑2以上且20000cm‑2以下的平均位错密度。
-
公开(公告)号：CN111406130A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201880052390.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 一种砷化镓晶体基板具有150mm以上且205mm以下的直径和300μm以上且800μm以下的厚度并且包括平坦部和缺口部中的任一者。在第一平坦区域和第一缺口区域中的任一者中，当硅的原子浓度为3.0×1016cm-3以上且3.0×1019cm-3以下时，所述砷化镓晶体基板具有0cm-2以上且15000cm-2以下的平均位错密度，并且当碳的原子浓度为1.0×1015cm-3以上且5.0×1017cm-3以下时，所述砷化镓晶体基板具有3000cm-2以上且20000cm-2以下的平均位错密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.084 seconds)
