公开(公告)号：CN112859516B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202011354547.3

申请日：2020-11-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  中原贵佳 ,  石绵健汰 ,  山本靖之

IPC: G03F7/004 ,  C08G65/34

Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。

公开(公告)号：CN118584753A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410227847.7

申请日：2024-02-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 中原贵佳 ,  郡大佑 ,  美谷岛祐介

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供可形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜，且提供具有适切的蚀刻特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料。本发明的解决手段为一种抗蚀剂下层膜材料，包含：(A)不含有酚性羟基的化合物、或酚性羟基经修饰而该酚性羟基的残存率未达2％的化合物，且该化合物的以凝胶渗透层析法所为的聚苯乙烯换算重均分子量为2,500以下的化合物，(B)下列通式(1)所示的含有酚性羟基的交联剂，(C)碱产生剂，及(D)有机溶剂。#imgabs0#式中，Q为单键、或碳数1～20的q价烃基。R16为氢原子、或碳数1～20的烷基。q为1～5的整数。

公开(公告)号：CN113805434B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202110646782.6

申请日：2021-06-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 中原贵佳 ,  渡边武 ,  郡大佑 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1～10的整数。#imgabs1#式中，虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#式中，虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。

公开(公告)号：CN116339073A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211658764.0

申请日：2022-12-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部卫 ,  原田裕次 ,  中原贵佳 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  C08F220/24 ,  C08F220/36 ,  C08K5/21 ,  C08K5/3432

Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是提供：如下的密合膜的密合膜形成材料，该密合膜在半导体装置制造步骤中利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，具有和抗蚀剂上层膜的高密合性且具有抑制微细图案的崩塌的效果同时可形成良好的图案形状。该课题的解决手段是一种密合膜形成材料，是使用于形成在抗蚀剂上层膜的紧邻下方的密合膜的密合膜形成材料，前述密合膜形成材料含有：(A)具有至少一个含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元，且具有至少一个和前述含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元不同的下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。

公开(公告)号：CN111948903A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010413700.9

申请日：2020-05-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  中原贵佳 ,  泽村昂志 ,  佐藤裕典 ,  山本靖之

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物，会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性，并提供使用其的图案形成方法及适合其的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)或(1B)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中，Ar1、Ar2表示也可以有取代基的苯环或萘环，X为单键或亚甲基，L为下列中的任一者；上式中的破折线代表价键，R为氢原子或碳数1～20的1价有机基团。 上述通式(1B)中，W1为羟基、碳数1～10的烷氧基或也可以有取代基的具至少1个以上的芳香环的有机基团，Ar1、Ar2、X、L同前所述。

公开(公告)号：CN107540491A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710387797.9

申请日：2017-05-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 中原贵佳 ,  渡边武 ,  橘诚一郎 ,  荻原勤

IPC: C07B63/02 ,  C07C29/88 ,  C07C31/18 ,  C07C31/26

Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。