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公开(公告)号：CN109426077A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985309.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN116478617B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202310058295.7
申请日：2023-01-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D179/08 , C08G73/10 , H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物、半导体装置制造用基板、保护膜的形成方法。本发明的课题为提供一种使用了含有酰亚胺基的聚合物的保护膜形成组成物，其能形成不只是耐热性、基板上形成的图案的填埋、平坦化特性优异，对于基板的密合性亦为良好的保护膜，且能形成具备优良的碱性过氧化氢水耐性的保护膜。一种对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物，含有(A)，是具有下列通式(1A)表示的含有至少1个以上的氟原子及羟基的重复单元且末端基团为下列通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团的聚合物；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，R1为下式(1D)表示的基团中的任一者，亦可将2种以上的R1组合使用。#imgabs1#
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公开(公告)号：CN114660896B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111577055.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。本发明的课题是：提供可形成无论负显影、正显影，对于任何抗蚀剂图案均具良好的密接性，而且对于如EUV曝光的更微细的图案也具良好的密接性的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有1种以上的下列通式(1)表示的硅化合物(A‑1)的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116162369B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211477433.7
申请日：2022-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D4/00 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/004
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公开(公告)号：CN116478617A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310058295.7
申请日：2023-01-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09D179/08 , C08G73/10 , H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物、半导体装置制造用基板、保护膜的形成方法。本发明的课题为提供一种使用了含有酰亚胺基的聚合物的保护膜形成组成物，其能形成不只是耐热性、基板上形成的图案的填埋、平坦化特性优异，对于基板的密合性亦为良好的保护膜，且能形成具备优良的碱性过氧化氢水耐性的保护膜。一种对于碱性过氧化氢水的保护膜形成组成物，含有(A)，是具有下列通式(1A)表示的含有至少1个以上的氟原子及羟基的重复单元且末端基团为下列通式(1B)及(1C)中的任一者表示的基团的聚合物；及(B)有机溶剂。式中，R1为下式(1D)表示的基团中的任一者，亦可将2种以上的R1组合使用。
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公开(公告)号：CN116110781A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211393733.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/311 , C09D161/06 , C09D7/63
Abstract: 本发明涉及抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法。一种抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料，其特征为：含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的聚合物、(B)含有下列通式(2)表示的化合物的残留溶剂脱离促进剂、及(C)有机溶剂，前述(A)聚合物的利用凝胶渗透层析法得到的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，前述(B)残留溶剂脱离促进剂的含量相对于前述(A)聚合物的100质量份为0.1～40质量份，且不含酸产生剂。
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公开(公告)号：CN111995751B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010451030.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/12 , C08J5/18 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法。课题为提供不仅在空气中，在钝性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且可形成对基板的密接性良好的有机下层膜的使用有含酰亚胺基团的聚合物的有机膜形成用组成物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法。解决方法为有机膜形成用材料，其含有(A)聚合物，具有式(1A)表示的重复单元且末端基团为式(1B)及(1C)中任一者表示的基团、及(B)有机溶剂。W1为4价有机基团，W2为2价有机基团。R1为式(1D)表示的基团中的任一者，也可组合使用2种以上的R1。
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公开(公告)号：CN113433796A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110308097.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物。本发明的课题为提供不仅在空气中的成膜条件下会硬化而且即便在钝性气体中的成膜条件下也会硬化，并可形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优异而且对于基板的密接性良好的有机膜的有机膜形成用化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料，提供使用了该材料的基板、有机膜形成方法及图案形成方法。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，其含有(A)式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。式中，W1为4价有机基团，n1表示0或1的整数，n2表示1至3的整数，R1表示碳数2～10的炔基。
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公开(公告)号：CN113359390B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110240480.9
申请日：2021-03-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。#imgabs0#式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。
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公开(公告)号：CN111825596B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
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