公开(公告)号：CN104617116A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410074543.8

申请日：2014-03-03

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  杨大江 ,  熊智斌 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

Abstract: 本申请案涉及一种用于图像传感器的大-小像素方案及其使用。一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素包含第一光电二极管、多个光电二极管、共享浮动扩散区、第一转移栅极及第二转移栅极。所述第一光电二极管安置于半导体材料中。所述第一光电二极管具有第一曝光面积及第一掺杂浓度。所述多个光电二极管也安置于所述半导体材料中。所述多个光电二极管中的每一光电二极管具有所述第一曝光面积及所述第一掺杂浓度。所述第一转移栅极经耦合以将第一图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。所述第二转移栅极经耦合以将分布式图像电荷从所述多个光电二极管中的每一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。

公开(公告)号：CN104576666A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410061250.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈晴飞 ,  单庆伟 ,  钱胤 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/125

Abstract: 本申请案涉及一种背侧照明式图像传感器及其制作方法。一种背侧照明式图像传感器包含具有背侧表面及前侧表面的半导体层。所述半导体层包含像素阵列区，所述像素阵列区包含经配置以通过所述半导体层的所述背侧表面接收图像光的多个光电二极管。所述半导体层还包含外围电路区，所述外围电路区包含用于操作所述多个光电二极管的外围电路元件，所述外围电路区与所述像素阵列区接界。所述外围电路元件发射光子。所述外围电路区还包含经掺杂半导体区，所述经掺杂半导体区经定位以吸收由所述外围电路元件发射的所述光子以防止所述多个光电二极管接收所述光子。

公开(公告)号：CN104517978A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410006714.3

申请日：2014-01-07

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及包含垂直溢漏的图像传感器和像素。本发明提供一种设备的实施例，所述设备包括像素阵列，所述像素阵列包含形成于衬底中的多个像素，所述衬底具有前表面和背表面，每一像素包含形成于所述前表面处或所述前表面附近的光敏区且从所述前表面延伸到所述衬底中达选定深度。滤光片阵列耦合到所述像素阵列，所述滤光片阵列包含多个个别滤光片，每一滤光片光学上耦合到对应光敏区，且垂直溢漏VOD定位于所述衬底中在所述背表面与所述阵列中的至少一个像素的所述光敏区之间。