公开(公告)号：CN105374833A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410822947.0

申请日：2014-12-25

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 郑源伟 ,  陈刚 ,  毛杜利 ,  戴森·H·戴 ,  熊志伟 ,  阿尔温德·库马尔

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器及用于图像传感器制造的方法。一种图像传感器包括安置在半导体层中的多个光电二极管及安置在所述半导体层中的多个深沟槽隔离区。所述多个深沟槽隔离区包含：(1)氧化物层，其安置在所述多个深沟槽隔离区的内表面上；及(2)导电填充物，其安置在所述多个深沟槽隔离区中，其中所述氧化物层安置在所述半导体层与所述导电填充物之间。多个钉扎阱也安置在所述半导体层中，且所述多个钉扎阱结合所述多个深沟槽隔离区分隔所述多个光电二极管中的个别光电二极管。固定电荷层安置在所述半导体层上，且所述多个深沟槽隔离区安置在所述多个钉扎阱与所述固定电荷层之间。

公开(公告)号：CN105047678A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201410831765.X

申请日：2014-12-26

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 杨大江 ,  陈刚 ,  傅振宏 ,  毛杜利 ,  艾瑞克·A·G·韦伯斯特 ,  胡信中 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及一种具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素。一种像素单元包含安置于半导体衬底中的存储晶体管。所述存储晶体管包含：存储栅极，其安置于所述半导体衬底上方；及存储栅极植入物，其经退火且在所述半导体衬底中于所述存储晶体管栅极下方具有梯度轮廓。转移晶体管安置于所述半导体衬底中且耦合于光电二极管与所述存储晶体管的输入之间。所述转移晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的转移栅极。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出。所述输出晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的输出栅极。

公开(公告)号：CN104952891A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410478750.X

申请日：2014-09-18

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 李津 ,  钱胤 ,  陈刚 ,  戴森·H·戴 ,  杨大江

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/355

CPC classification number: H01L27/14627 ,  G02B13/0015 ,  H01L27/14643

Abstract: 本申请案揭示一种具有无间隙微透镜的图像传感器。图像传感器包含布置在半导体衬底中的多个光敏装置。平面层安置在所述半导体衬底中的所述多个光敏装置上。由透镜材料组成的多个第一微透镜布置在所述平面层上的第一透镜区域中。由所述透镜材料组成的多个透镜阻隔物布置在所述平面层上以提供界定所述平面层上的第二透镜区域的边界。由所述透镜材料组成的多个第二微透镜形成在由界定所述平面层上的所述第二透镜区域的所述多个透镜阻隔物提供的所述边界内。所述多个透镜阻隔物在所述多个第二微透镜的回焊过程之后与相应第二微透镜集成。

公开(公告)号：CN104952890A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410421333.1

申请日：2014-08-25

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 李津 ,  钱胤 ,  陈刚 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649

Abstract: 本申请案涉及一种具有用以检测红外光的金属网格的彩色图像传感器。一种图像传感器包含具有多个像素的像素阵列，所述像素阵列布置于半导体层中。包含多个滤光器群组的彩色滤光器阵列安置于所述像素阵列上方。每一滤光器光学耦合到所述多个像素中的对应一者。所述多个滤光器群组中的每一者包含分别具有第一色彩、第二色彩、所述第二色彩及第三色彩的第一滤光器、第二滤光器、第三滤光器及第四滤光器。金属层安置于所述像素阵列上方且经图案化以包含具有拥有一大小及间距的网格开口的金属网格以阻挡具有第四色彩的入射光到达所述对应像素。所述金属层经图案化以包含不具有所述金属网格的开口以允许所述入射光到达其它像素。

公开(公告)号：CN104103654A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310647832.8

申请日：2013-12-04

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 熊志伟 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  陈刚 ,  毛杜利 ,  文森特·韦内齐亚 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464

Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器以及成像装置。一种成像装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件。所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面。所述成像装置还包含负电荷层和电荷吸收层。所述负电荷层安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞。所述电荷吸收层安置在所述负电荷层附近且经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量。所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。

公开(公告)号：CN105826337A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610034321.2

申请日：2016-01-19

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 郑源伟 ,  伊贤敏 ,  陈刚 ,  杜利·毛 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1463

Abstract: 本申请案涉及一种具有光学隔离的存储晶体管。具有存储区的存储晶体管安置在半导体材料中。栅电极在夹层的底侧中接近所述存储区而安置，且电介质层安置在所述存储区与所述栅电极之间。光学隔离结构安置在所述夹层中且所述光学隔离结构从所述夹层的顶侧延伸到所述栅电极。所述光学隔离结构还邻接所述栅电极的周边且接触所述栅电极。封盖层接近所述夹层的所述顶侧而安置，且所述封盖层封盖由所述光学隔离结构环绕的体积。

公开(公告)号：CN105405854A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510556654.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  菲力浦·马塔格恩 ,  熊志伟 ,  郑源伟 ,  毛杜立 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本申请案涉及图像传感器像素及制造所述图像传感器像素的方法。包含光电二极管的图像传感器像素包含安置于半导体层内的第一掺杂剂区域及安置在所述第一掺杂剂区域的上方且在所述半导体层内的第二掺杂剂区域。所述第二掺杂剂区域接触所述第一掺杂剂区域且所述第二掺杂剂区域具有与所述第一掺杂剂区域相反的多数电荷载流子类型。第三掺杂剂区域安置在所述第一掺杂剂区域的上方且在所述半导体层内。第三掺杂剂区域具有与所述第二掺杂剂区域相同的多数电荷载流子类型但具有大于所述第二掺杂剂区域的自由电荷载流子浓度。传输栅极经定位以传输来自所述光电二极管的光生电荷。所述第二掺杂剂区域比所述第三掺杂剂区域延伸得更接近于所述传输栅极的边缘。

公开(公告)号：CN105321967A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410822566.2

申请日：2014-12-25

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 代铁军 ,  王睿 ,  戴森·H·戴 ,  真锅宗平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H04N5/376

Abstract: 本申请案涉及一种像素单元及成像系统。一种像素单元包含光电二极管，所述光电二极管安置在第一半导体芯片内以响应于入射在所述光电二极管上的光而积累图像电荷。转移晶体管安置在所述第一半导体芯片内且耦合到所述光电二极管以从所述光电二极管转移所述图像电荷。偏置电压产生电路安置在第二半导体芯片内以产生偏置电压。所述偏置电压产生电路耦合到所述第一半导体芯片以使用所述偏置电压来偏置所述光电二极管。所述偏置电压相对于所述第二半导体芯片的接地电压是负的。浮动扩散区安置在所述第二半导体芯片内。所述转移晶体管经耦合以将所述图像电荷从所述第一半导体芯片上的所述光电二极管转移到所述第二半导体芯片上的所述浮动扩散区。

公开(公告)号：CN105845698A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610040698.9

申请日：2016-01-21

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 陈刚 ,  多米尼克·马塞提 ,  熊志伟 ,  阿尔温德·库马尔 ,  郑源伟 ,  杜利·毛 ,  戴森·H·戴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/37457 ,  H01L27/146

Abstract: 本申请案涉及具有经增强量子效率的图像传感器。一种背侧照明式图像传感器包含：像素阵列，其包含半导体材料；及图像传感器电路，其安置于所述半导体材料的前侧上，以控制所述像素阵列的操作。第一像素包含第一经掺杂区域，所述第一经掺杂区域接近所述半导体材料的背侧安置且向所述半导体材料中延伸第一深度以到达所述图像传感器电路。具有第二经掺杂区域的第二像素接近所述半导体材料的所述背侧安置且向所述半导体材料中延伸第二深度，所述第二深度小于所述第一深度。第三经掺杂区域安置于所述第二经掺杂区域与所述半导体材料的所述前侧上的所述图像传感器电路之间。所述第三经掺杂区域与所述第一经掺杂区域及所述第二经掺杂区域电隔离。

公开(公告)号：CN105810699A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201510794430.X

申请日：2015-11-18

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 戴森·H·戴 ,  郑伟 ,  钱胤 ,  陆震伟 ,  李瑾

IPC: H01L27/146 ,  H04N9/04

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02B5/22 ,  G02B5/24 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H04N5/3532 ,  H04N5/378 ,  H04N9/045 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14645

Abstract: 本申请案涉及一种具有支撑结构以提供经改进滤光器厚度均匀性的彩色滤光器阵列。在彩色图像传感器上使用的彩色滤光器阵列包含具有侧壁的氧化物栅格，所述侧壁经布置以界定所述氧化物栅格中的开口。所述开口中的每一者将安置在所述彩色图像传感器的对应像素单元上方。氧化物支撑结构安置在所述彩色图像传感器的对应像素单元上方的所述氧化物栅格中的每一开口的内部区域中。所述氧化物栅格中的所述开口填充有对应彩色滤光器的彩色滤光器材料。每一氧化物支撑结构与所述彩色滤光器的周围彩色滤光器材料之间的表面张力适于为所述氧化物栅格中的所述对应开口内的所述彩色滤光器提供均匀厚度。