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公开(公告)号：CN1170381C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN01139734.9
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高速、高灵敏度的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的制备方法。本发明其特征在于：它通过离子注入造成器件部分电极绝缘，使得导电区域呈现梳状或网孔状的微结构，降低了探测器的固有电容。本发明涉及的方法解除了RCE光电探测器的光耦合效率与响应速率之间互相制约的矛盾，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。
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公开(公告)号：CN1348271A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01139734.9
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高速、高灵敏度的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的制备方法。本发明其特征在于:它通过离子注入造成器件部分电极绝缘,使得导电区域呈现梳状或网孔状的微结构,降低了探测器的固有电容。本发明涉及的方法解除了RCE光电探测器的光耦合效率与响应速率之间互相制约的矛盾,势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。
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公开(公告)号：CN1335522A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN01120076.6
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有非平行腔结构的集成半导体光波与光电子器件的制备方法,特别涉及一种在半导体外延层上制备楔形结构的方法。本发明其特征在于在外延层表面形成引导层以及掩膜层,在需要形成的楔形结构顶端的相对位置除去掩膜层,然后置于腐蚀液中,实现需要的楔形结构后从腐蚀液中取出。楔形结构的倾角可以通过改变腐蚀液对引导层与外延层材料的腐蚀速率比进行调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点,势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。
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公开(公告)号：CN1328347A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01120078.2
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器及实现方法。本发明半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔,由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层,用来进行光电转换,即把光信号转换为电信号。本发明的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线,同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN117639958A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311379959.6
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于电反馈的光电混频系统，涉及光电技术领域，系统包括：光探测模块，用于：将接收到的光信号转换成电信号后，输出所述电信号；功率分配模块，用于：将所述电信号功率分配成两路，一路是输出信号，另一路是电反馈信号，将所述输出信号作为所述系统输出的射频信号，将所述电反馈信号通过电反馈回路反馈至所述光探测模块的偏置端；其中，所述光探测模块还用于：基于所述电反馈信号进行偏压调制操作和光电混频操作，输出增强的电信号。本发明形成了电反馈的系统，利用了对光探测模块的偏压调制和光探测模块的光电混频功能，实现了对输出射频信号的增强，有效提高了系统输出射频信号的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113249961B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110448844.2
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: D06M11/74 , D01F6/70 , D06M101/38 , G01D5/16
Abstract: 本发明提供基于导电纤维网络的柔性器件结构及其制备方法与应用，该柔性器件结构包括：导电纤维网络和封装所述导电纤维网络的弹性体材料；导电纤维网络中相邻的导电纤维之间相互连接、内部连通，从一根导电纤维的内部到达另外一根导电纤维的内部存在多条通路，且所有导电纤维沿轴向具有多个细管状的贯通性空腔从而使得横截面均为多孔隙结构，导电纤维被弹性体材料包裹。本发明提供的柔性器件结构解决了现有基于导电纤维网络的柔性器件功能单一、集多功能于一身困难的问题，可实现吸波、温度传感、应变传感、压力传感等多种功能并能集多种上述功能于一身，可用于人体运动监测、生命体征监测、姿态矫正、智能感知、电磁屏蔽等场景。
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公开(公告)号：CN114825041A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210376977.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限制层；电流限制层的绝缘材料部分将电流限制层的半导体材料部分包围；芯片底镜结构设有第一反射镜层，芯片顶镜结构设有第四反射镜层；单模垂直腔面发射激光器芯片至少满足以下条件之一：在第一反射镜层与第一包层之间依次设有第一腔层以及第二反射镜层；以及在电流限制层与第四反射镜层之间依次设有第三反射镜层以及第二腔层。本申请提供的方案能够实现垂直腔面发射激光器稳定维持单模工作状态。
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公开(公告)号：CN111999279B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010707325.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于小球阵列的柔性SERS基底及其制备方法，所述制备方法包括将形成在硬质基底表面的小球阵列完全埋入进柔性基底中，经软硬分离得到带有小球阵列的柔性基底，再通过去除部分所述柔性基底使得小球阵列从所述柔性基底表面暴露出来，在暴露出来的小球阵列的顶部区域沉积SERS活性层。本发明的方法制备工艺简单、快速、可控性与重复性好，无需传统光刻、电子束光刻、纳米压印等昂贵的微纳加工技术，无需对小球排布的层数进行控制，制备出的柔性SERS基底面积大(可达晶圆级)、成本低、均匀性好、抗弯折性能优，在高灵敏度柔性表面增强拉散射检测领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113285349A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110566858.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微环激光器阵列及其制作方法，所述微环激光器阵列包括：绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括：相对设置的第一层硅材料和第二层硅材料，以及位于两层硅材料之间的第一二氧化硅层；设置在所述绝缘体上硅上的多个激光输出单元；所述激光输出单元包括：微环腔激光器以及波导；所述微环腔激光器具有用于出射激光的有源区；所述微环腔激光器的尺寸不同，以出射不同波长的激光；所述绝缘体上硅具有多个露出第一表面的器件区；所述器件区不交叠，用于设置所述微环腔激光器，所述微环腔激光器与所述器件区一一对应；所述第二层硅材料包括多个相互独立的所述波导。本方案通过径向耦合锥形硅波导结构，可以实现激光的定向输出。
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公开(公告)号：CN112151629A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011003961.X
申请日：2020-09-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏、气体传感、电子元器件等领域。
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