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公开(公告)号：CN107508142A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710804830.3
申请日：2017-09-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法，所述光学谐振腔包括：顶部反射镜和底部反射镜，所述顶部反射镜和所述底部反射镜之间形成腔体，所述腔体内填充介质；所述顶部反射镜包括相对设置的两块平面反射镜，所述两块平面反射镜相对于所述底部反射镜具有相同倾角；所述底部反射镜为平面反射镜。本发明通过使谐振腔具有倾斜的顶部反射镜，使得垂直于底部反射镜的入射光束在谐振腔内行进过程中自再现时光程增加，与平行平面谐振腔具有不同的谐振条件，可获得较小的线宽和较大的Q值，并且将光场能量有效地控制在一定的区域内，减小了衍射损耗。
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公开(公告)号：CN105140330B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104008960B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310057279.2
申请日：2013-02-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题。
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公开(公告)号：CN102040191B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910209480.1
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。
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公开(公告)号：CN101685774B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810161833.0
申请日：2008-09-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102040191A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910209480.1
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。
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公开(公告)号：CN119092583A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410968392.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器芯片，涉及半导体光电器件技术领域，该单行载流子光电探测器芯片包括：自上而下依次排列的P型电极接触层、P型电子阻挡层、光吸收层、N型崖层、P型电场调控层、非特意掺杂收集层和N型电极接触层；其中，P型电场调控层的掺杂浓度和厚度被配置为使得非特意掺杂收集层的电场平坦且维持在发生峰值速度对应的电场附近；非特意掺杂收集层的厚度被配置为使得结电容降低。本发明可以同时提高单行载流子光电探测器芯片的高速响应特性和高饱和输出性能。
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公开(公告)号：CN118016748A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410030541.2
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器，包括：依次设置于半导体材料衬底上方的第一电极接触层、电子收集层和崖层、设置于崖层上方的吸收层、设置于吸收层上方的电子扩散阻挡层、设置于电子扩散阻挡层上方的第二电极接触层、设置于第二电极接触层上方的光学散射结构和设置于光学散射结构上方的光学薄膜层；光学薄膜层构成波导结构的上包层，电子收集层构成波导结构的下包层，光学散射结构用于使得入射光从垂直入射方向进行散射，并将部分散射光耦合进单行载流子光探测器构成的波导结构中进行横向传播，以增加了入射光在吸收层的传播距离。本发明提供的单行载流子光探测器，能够有效提高单行载流子光探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN113257942B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202110449838.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于双吸收层结构的光探测器及其制备方法，所述光探测器包括：由下至上依次形成的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、刻蚀停止层、N接触层、收集层、第一带隙渐变的间隔层、第二带隙渐变的间隔层、双吸收层、第一组分与浓度渐变的电子阻挡层、第二组分与浓度渐变的电子阻挡层、P接触层、形成在所述刻蚀停止层上的n型接触电极以及形成在所述P接触层上的P型接触电极；所述双吸收层的厚度大于1μm，所述双吸收层为本征的光吸收层和P型光吸收层；本发明提供的光探测器具有高响应度、高带宽和低结电容等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN115458618A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211193879.7
申请日：2022-09-28
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/109
Abstract: 本申请涉及半导体光电器件技术领域，提供一种单行载流子光电二极管。包括依次连接的p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层；以及位于所述p型接触层上的p电极与位于所述n型接触层上的n电极；其中，所述收集层的厚度为1300纳米至1700纳米。本申请通过选取厚度为1300纳米至1700纳米的收集层，将p型接触层、电子阻挡层、吸收层、间隔层、崖层、收集层、子收集层、n型接触层依次连接，并在p型接触层与n型接触层上分别设置p电极与n电极，构成单行载流子光电二极管，降低单行载流子光电二极管中的寄生电容，提高单行载流子光电二极管的总带宽，以提高单行载流子光电二极管的工作效率。
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