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公开(公告)号：CN113344163A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110563725.1
申请日：2021-05-24
Applicant: 南通大学
IPC: G06K19/073 , H04W4/80 , H04W12/128
Abstract: 本发明揭示了一种基于NFC实现的单向数据传输的可移动存储器，为实现在不同的计算机终端之间或内网外网终端之间安全地单向传输数据，可移动存储器具有NFC模块，预定计算机的可移动存储器接口处设置有NFC标签；采用NFC模块对计算机进行认证，并根据NFC认证的结果，控制可移动存储器中的存储载体的读写状态：若计算机为认证通过的预定计算机，则可移动存储器中的存储载体为可读可写状态，否则可移动存储器中的存储载体为只读状态，可以真正确保内网计算机、特定的计算机的信息安全，又不妨碍内部数据的对外传输，实现了数据安全传输的目的。
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公开(公告)号：CN109709152B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910094589.9
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于fA~pA量级微弱电流的绝缘薄膜测量系统，其中的电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个CMOS传输门、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。绝缘薄膜的漏电流大小通常介于数十fA（10‑15A）至数十pA（10‑12A），通过合理选择外围元件，前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级，该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大，可被电流测量装置准确测量出来，最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明的ASIC独有的处理方式，有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。
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公开(公告)号：CN109781788B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910094590.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种纳米级绝缘薄膜电压‑电流特性测量系统，其中导电测试探针由金属探针针套、铜质丝线、微铟球构成，金属探针针套的内部孔径与铜质丝线的直径相匹配，使得铜质丝线恰好穿过金属探针针套而不晃动；铜质丝线的长度大于金属探针针套的长度，使得铜质丝线穿过金属探针针套仍然有一部分露出金属探针针套外；铜质丝线穿过金属探针针套，金属探针针套的尾端使用机械夹具施压后压扁使得铜质丝线固定在金属探针针套中不会滑出；铜质丝线露出金属探针针套的一端，焊有微铟球，在测试时，微铟球与纳米薄膜的电极相接触；导电测试探针的一端以倾斜方式固定在探针夹持器中，露出金属探针针套外的铜质丝线在微铟球的重力作用下能保持形状不下弯。
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公开(公告)号：CN109709152A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910094589.9
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于fA～pA量级微弱电流的绝缘薄膜测量系统，其中的电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个CMOS传输门、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。绝缘薄膜的漏电流大小通常介于数十fA（10-15A）至数十pA（10-12A），通过合理选择外围元件，前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级，该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大，可被电流测量装置准确测量出来，最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明的ASIC独有的处理方式，有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。
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公开(公告)号：CN105676153B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610003869.0
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种低内存需求的批量获取磁性材料的M‑T曲线、ΔS‑T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变‑温度特性的技术方案，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以获取磁性材料的磁熵变的难题，其效率大大提升，极大地降低了对计算机内存的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107460452A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710579305.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/45561
Abstract: 一种用于制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的装置，Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，铝、镓有机源混合溶解在溶剂中。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的装置，可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN107460450A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710579317.9
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45531 , C23C16/40 , C23C16/45544 , C23C16/52
Abstract: 一种用于制备组分渐变的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的装置，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的装置制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
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公开(公告)号：CN105420695B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510765158.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种铝镓有机源混溶式自限制性表面吸附反应制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN105676153A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610003869.0
申请日：2016-01-05
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/0023
Abstract: 一种低内存需求的批量获取磁性材料的M-T曲线、ΔS-T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变-温度特性的技术方案，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以获取磁性材料的磁熵变的难题，其效率大大提升，极大地降低了对计算机内存的需求。
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公开(公告)号：CN105274492A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510766708.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。
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