一种漫反射式激光照明装置

    公开(公告)号:CN115183202A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210851963.7

    申请日:2022-07-20

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种漫反射式激光照明装置,包括激光照明模块、入射激光光源和反射层;激光照明模块设有激光照明模块内环和激光照明模块外环,激光照明模块内环为混有漫反射颗粒的漫反射层,激光照明模块外环为混有漫反射颗粒和荧光粉颗粒的荧光粉层;入射激光光源设于激光照明模块内环底部,反射层设于激光照明模块的顶部;部分激光光束进入激光照明模块内环漫反射改变光束方向后进入激光照明模块外环;部分激光至反射层反射后经漫反射进入激光照明模块外环;激光进入激光照明模块外环,部分激光照射至荧光粉颗粒完成转换,部分激光不能被充分吸收转换,照射至漫反射颗粒再次无规则地改变光束方向,所有光线从激光照明模块外环侧壁射出,最终实现均匀照明。

    一种复折射率测量装置及其测量方法

    公开(公告)号:CN106770039A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710141164.X

    申请日:2017-03-10

    CPC classification number: G01N21/41

    Abstract: 本发明涉及一种复折射率测量装置及其测量方法,包括激光发射器、尖劈形吸收性介质,第一镜面,第二镜面,接收屏,CCD探测器和主机,第一镜面和第二镜面对应平行设置成反射通道;激光发射器发射激光垂直入射所述尖劈形吸收性介质的直角边,光线在尖劈形吸收性介质的斜边发生折射后进入反射通道,光线在反射通道射进行若干次反射后投射在接收屏上,CCD探测器对接收屏上的光斑位置进行测量并将数据发送给主机,所述主机根据两次不同顶角的尖劈形吸收性介质引起的光斑位置的变化计算出该尖劈形吸收性介质的复折射率。本发明仅需测量光通过待测介质的实折射角,即可计算出复折射率,测量原理易理解,光路简单,仪器成本低廉。

    一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法

    公开(公告)号:CN103794688A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201410049914.7

    申请日:2014-02-13

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: H01L33/44 H01L2933/0025

    Abstract: 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法,涉及LED器件。1)在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层;2)在步骤1)生长的透明导电层上生长一层掩膜层;3)在步骤2)生长的掩膜层上涂上压印胶,利用硬模板直接纳米压印,脱模后在胶体表面形成纳米结构;4)对外延片进行残胶去除;5)对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分,即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上;6)去除掩膜层表面所有残余压印胶;7)在外延片表面再次蒸镀与步骤1)所述相同的透明导电层;8)去除外延片表面残余掩膜层,在透明导电层上得到光子晶体结构;9)将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。

    一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102544184A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210073365.8

    申请日:2012-03-19

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层,p型(或n型)半导体层上设有凹槽,在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层,在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜,在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率,并有效降低其材料成本。

    一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管

    公开(公告)号:CN102280547A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201110254377.6

    申请日:2011-08-31

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管,涉及一种半导体发光管。从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极;所述P金属电极连接P型层,N金属电极连接N型层,所述有源区被夹在P型层与N型层之间,所述有源区由包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成,每1个层叠周期包含一层势垒层和一层势阱层,所述势垒层掺入P型掺杂剂。通过引入含P型掺杂剂的势垒层,提高器件有源区的发光效率,优化了器件的光电性能,达到提高氮化镓系化合物半导体发光器件的发光效率的目的。

    一种氮化镓基外延膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101246820A

    公开(公告)日:2008-08-20

    申请号:CN200810070780.1

    申请日:2008-03-19

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种氮化镓基外延膜的制备方法,涉及一种氮化镓基外延膜。提供一种提高氮化镓激光剥离的速率,降低氮化镓激光剥离的阈值功率密度的氮化镓基外延膜的制备方法。在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜,将其P面粘在衬底支撑材料上,或用金属键合在衬底支撑材料上;设定电动平台的行进速度;将外延膜固定在载物玻璃上,放入真空室中抽真空;调整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小,激光束照射到外延膜背面,激光光斑扫描外延膜,使蓝宝石和氮化镓界面的氮化镓发生分解,氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离;激光扫描蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜结束后,关闭真空泵;将外延膜浸入盐酸,去除氮化镓和蓝宝石表面的镓,使蓝宝石衬底脱落。

    InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺

    公开(公告)号:CN1188914C

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN02154606.1

    申请日:2002-11-25

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 陈朝 刘宝林

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 涉及一种半导体器件,尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺。为i-InP顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-InP缓冲层/N+-InP衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P+锌扩散区,P+锌扩散区靠近i-In0.53Ga0.47As光敏层,但没有到达光敏层;工艺步骤为:在外延片上生长氧化铝钝化膜,以锌作为扩散源进行开管锌扩散;用直接蒸发的方法在InP材料上淀积高质量的氧化铝薄膜,暗电流降低,信噪比提高,容易制备、成本低廉、结构改进,可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺,以及此膜可用于InP材料钝化膜和锌扩散的屏蔽掩膜,也可用于InP材料的抗反射膜,提高探测器的性能。

    用于计算机以太网通信的10Mbps光纤收发器

    公开(公告)号:CN1111982C

    公开(公告)日:2003-06-18

    申请号:CN99119121.8

    申请日:1999-09-16

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器,耦合器与AUI接口连接;SQE端接选择开关;工作状态输出端接工作状态显示器,Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps,不采用晶振和时钟定时器,抗干扰性强,工作稳定,成本低,用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。

    一种侧面出光的LED发光管封装结构

    公开(公告)号:CN106952992A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201710141178.1

    申请日:2017-03-10

    CPC classification number: H01L33/483 H01L33/58 H01L33/60

    Abstract: 本发明涉及一种侧面出光的LED发光管封装结构,其特征在于:包括内置反光腔体的外延散热层,所述外延散热层的上表面设置有封装透镜,所述反光腔体的侧面设置有LED光源;所述光源包括经固晶底胶连接的散热基板和发光晶片,所述散热基板和发光晶片还经打线连接;所述反光腔体内填充有加入荧光粉的硅胶。本发明降低了荧光粉的使用量,减少了生产成本;此同时封装透镜的出光面可以做成平面或凸面等多种形状,另外其横截面也可制成圆形或多边形。

    一种基于激光激发荧光粉的白光照明装置及其实现方法

    公开(公告)号:CN106764549A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710019167.6

    申请日:2017-01-11

    CPC classification number: F21V9/30

    Abstract: 本发明涉及一种基于激光激发荧光粉的白光照明装置,包括柱体,所述柱体侧面设有开口,所述开口处设置有激光光源;所述柱体上部为出光面;所述柱体的底部设置有反光镜;所述柱体的内部填充有荧光粉。激光器从柱体开口打入一束激光,激光照射在位于柱体内部的荧光粉激发出白光或者单色光,一部分白光或者单色光沿柱体顶部的透光镜射出,一部分经由柱体底部反光镜折射再经透光镜射出,而一部分未被吸收的激光,由于全反射原理能够继续激发柱体内部的荧光粉,并不断的激发出白光或单色光。本发明有效的解决了荧光粉过热问题,能够改变出光面,所需荧光粉少,结构多变且结构简单,有效降低生产成本。

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