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公开(公告)号：CN107134518B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201710165664.7
申请日：2013-06-14
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
Abstract: 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。
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公开(公告)号：CN104282819B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201310285015.2
申请日：2013-07-08
Applicant: 光宝电子(广州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
CPC classification number: H01L33/54 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种倒装式发光二极管封装模块及其制造方法，其包括以下步骤：提供一承载体，该承载体上设置多个发光二极管芯片。进行一封胶工艺，以形成多个对应并且包覆该些发光二极管芯片的透明封装体，且该些透明封装体周缘皆形成一侧翼部使其彼此相连。进行一分离工艺，以形成多个单颗不含承载体的倒装式发光二极管结构；以及进行一接合工艺，将至少一个倒装式发光二极管结构接合于一电路基板上。
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公开(公告)号：CN108346727A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201711430042.9
申请日：2017-12-26
Applicant: 华灿光电(苏州)有限公司
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0075 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于光电子技术领域。该发光二极管芯片包括衬底和设置在衬底上的外延层，外延层上设置有电极凹槽，电极凹槽内设置有N电极，外延层的出光面设置有P电极，出光面为外延层的远离衬底的表面，出光面的位于P电极之外的区域设置有TiO2纳米管阵列，通过在出光面的位于P电极之外的区域设置TiO2纳米管阵列，TiO2纳米管阵列可以增大出光面的粗糙程度，能够减少反射回LED芯片内部的光，从而提高LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN108281526A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810082637.8
申请日：2018-01-29
Applicant: 扬州乾照光电有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/44 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了一种具有光导薄膜结构的LED芯片及制作方法，该制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成外延层结构；在外延层结构背离衬底一侧形成GaP层；对GaP层刻蚀，形成未贯穿GaP层的平顶倒锥形凹槽，平顶倒锥形凹槽的开口大小在第一方向上逐渐增大，其中，第一方向垂直于衬底，且由衬底指向外延层结构；在平顶倒锥形凹槽表面依次沉积第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层，其中，第一氧化层的折射率＜第二氧化层的折射率＜第三氧化层的折射率；在平顶倒锥形凹槽平顶处设置电极结构。该制作方法使光线更加集中在法线方向，光线具有较好的同路且解决了GaP层与空气之间的全反射问题，进而使LED芯片发出的光更加集中，发光角度小。
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公开(公告)号：CN106025028B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610336713.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 天津三安光电有限公司
CPC classification number: H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/00 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/48 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种具有图形化透明键合层的倒装发光二极管芯片及其制作方法，结构包括：外延叠层，具有相对的上表面和下表面，包含n型半导体层、有源层、p型半导体层，所述n型半导体层、有源层的部分区域被蚀刻，露出部分p型半导体层；第一电极和第二电极，位于所述外延叠层的下表面，其中所述第一电极设置于所述n型半导体层的表面上，所述第二电极设置于所述露出的p型半导体层的表面上；透明介质层，位于所述外延叠层的上表面之上，其上表面形成有网格状或阵列状凹陷区域；图形化透明键合介质层，填满所述透明介质层上的凹陷区域，并且其上表面与所述透明介质层上表面处于同一平面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104798220B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380060345.X
申请日：2013-11-18
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
IPC: H01L51/00 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/042 , C23C16/45536 , C23C16/48 , H01L31/0203 , H01L31/0445 , H01L51/0021 , H01L51/56 , H01L2933/0025 , Y02E10/50
Abstract: 一种用于在光电子器件(100，101，102，103，104，105)的表面区域(2)上制造至少一个层(1)的方法，所述光电子器件具有带有有源区域的功能层序列(41)，所述有源区域适合于在光电子器件运行时产生或检测光，所述方法具有下述步骤：在覆层腔(10)中提供表面区域(2)；借助于闪光支持的原子层沉积法施加至少一个层(1)，其中表面区域(2)暴露于用于至少一个层(1)的至少一种气态的第一初始材料(21)或者暴露于至少一种气态的第一初始材料(21)和随后的气态的第二初始材料(22)，并且借助至少一个闪光辐照第一和/或第二初始材料(21，22)的在表面区域上吸附的分子，由此分解在表面区域上吸附的分子。
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公开(公告)号：CN108076672A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201680055105.4
申请日：2016-09-10
Applicant: 沙特基础工业全球技术公司
CPC classification number: H01L51/5036 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B37/025 , B32B37/12 , B32B37/182 , B32B2264/102 , B32B2307/4026 , B32B2307/422 , B32B2457/206 , C09K11/02 , C09K11/7706 , H01L27/322 , H01L33/44 , H01L33/501 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L2251/5369 , H01L2251/558 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041
Abstract: 公开了复合分层结构和使用复合分层结构的发光装置。复合分层结构包括衬底和布置在衬底上的磷光体膜的一个或多个层。磷光体膜包括树脂材料和磷光体材料，其中磷光体材料包括尺寸从1μm至10μm的磷光体微米颗粒和尺寸从10nm至900nm的磷光体纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN105009312B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201480014154.4
申请日：2014-03-04
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/005 , H01L33/44 , H01L33/483 , H01L33/501 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种包括载体（10）、半导体层序列（20）、连接层（30）、转换元件（40）的光电子器件，该半导体层序列被设置用于发射电磁一次辐射并且被布置在载体（10）上，其中半导体层序列（20）具有背向载体（10）的辐射主侧，该连接层直接地至少被施加在半导体层序列（20）的辐射主侧（21）上，该转换元件被设置用于发射电磁二次辐射并且直接被布置在连接层（30）上，其中转换元件（40）被成形为预制体，其中连接层（30）具有至少一个嵌入在基质材料（32）中的无机的填充物（31），其中连接层（30）以小于或等于2μm的层厚来成形，其中预制体借助连接层（30）固定在半导体层序列（20）上，其中连接层（30）被设置用于滤出电磁一次辐射的短波分量。
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公开(公告)号：CN105870099B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610227070.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/1214 , H01L27/156 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提出一种自发光型显示器及其修补方法。自发光型显示器包括载板以及发光元件。载板包括第一电极、第二电极以及多个修补电极。第一电极具有连接至第一位准的多个第一条状部。第二电极具有连接至第二位准的多个第二条状部。第一电极与第二电极彼此分离，且第一位准不同于第二位准。修补电极与第一电极以及第二电极电性绝缘。发光元件配置于载板上且具有第一连接部以及第二连接部。发光元件的第一连接部通过第一条状部与第一位准电性连接。发光元件的第二连接部通过第二条状部与第二位准电性连接。
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公开(公告)号：CN107978663A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710984168.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03B19/00 , C03B19/06 , C03C27/06 , F21S2/00 , F21V7/22 , G02B1/111 , G02B5/20 , G03B21/14 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01S5/02 , H01L33/507 , H01L33/501 , H01L33/505 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041
Abstract: 提供一种对于各种角度的出入射光均能够表现出防反射功能，能够提高发光效率的波长转换部件。波长转换部件(10)的特征在于，包括荧光体层(1)和低折射率层(2)，其中荧光体层(1)包括玻璃基体(3)和分散在玻璃基体(3)中的荧光体颗粒(4)，低折射率层(2)设置于荧光体层(1)的表面，且折射率为荧光体颗粒(4)的折射率以下，低折射率层(2)具有凹凸结构，该凹凸结构的波纹度曲线的均方根斜率WΔq为0.1～1。
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