公开(公告)号：CN102593207B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210073692.3

申请日：2012-03-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张玲 ,  朱丽虹

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底，在衬底表面外延本征半导体层，本征半导体层上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在衬底底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层；在样品热生长或沉积一层遮挡层；在样品上表面刻出图形，去除遮挡层，刻出凹槽；在凹槽内形成半导体层，去除遮挡层形成发射区；沉积上电极，剥离；在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜，剥离；在样品背面沉积背电极。

公开(公告)号：CN102544184A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210073365.8

申请日：2012-03-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张玲 ,  朱丽虹

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层，p型(或n型)半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层，在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率，并有效降低其材料成本。

公开(公告)号：CN102002683A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010582867.4

申请日：2010-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王辅明 ,  张玲 ,  崔万国 ,  黎琼钰

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/505

Abstract: 一种含氢类金刚石膜的制备方法。涉及类金刚石膜，提供一种含氢类金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底正面正对着源电极放入等离子体增强型化学气相沉积生长腔体内，用等离子体溅射清洗等离子体增强型化学气相沉积生长腔体以及衬底表面；将腔体抽真空，通入含氢气体，调节工作压强和射频功率，进行含氢类金刚石膜的生长；生长结束后，停止通入含氢气体，抽净尾气，即得含氢类金刚石膜。通过在生长腔体中将衬底相对于源电极反向平行放置后，并调整衬底与源电极距离，改变工作压强和射频功率的等离子体增强型化学气相沉积法可实现更大范围的调制类金刚石膜的光学带隙并能够显著提高其生长速率，满足其未来的应用需求。

公开(公告)号：CN102593207A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210073692.3

申请日：2012-03-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张玲 ,  朱丽虹

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底，在衬底表面外延本征半导体层，本征半导体层上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在衬底底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层；在样品热生长或沉积一层遮挡层；在样品上表面刻出图形，去除遮挡层，刻出凹槽；在凹槽内形成半导体层，去除遮挡层形成发射区；沉积上电极，剥离；在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜，剥离；在样品背面沉积背电极。

公开(公告)号：CN114920742A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210647969.2

申请日：2022-06-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 谢素原 ,  巫殷福 ,  张玲 ,  陈斌文 ,  张前炎 ,  邓林龙

IPC: C07D471/16 ,  C07D495/22 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明公开了一种三或五重杂[n]螺烯电子给体材料及其制备方法和应用，所述电子给体材料以氮杂碗烯为内核，内核边缘对称连接4或5个芳环并芘结构单元，相邻的芳环并芘结构单元与内核边缘构成单重[n]螺烯，总共包含三或五重[n]螺烯。本发明的的制备方法简单有效，过程易于控制，所合成的具有三或五重结构的杂[n]螺烯分子具有较高稳定性，可用作有机太阳能电池的电子给体材料，从而提高有机太阳能电池的稳定性与效率。

公开(公告)号：CN102593232B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201210073222.7

申请日：2012-03-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张玲 ,  朱丽虹

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求，可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。

公开(公告)号：CN102544184B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210073365.8

申请日：2012-03-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张玲 ,  朱丽虹

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层，p型(或n型)半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层，在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率，并有效降低其材料成本。

公开(公告)号：CN102002683B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010582867.4

申请日：2010-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王辅明 ,  张玲 ,  崔万国 ,  黎琼钰

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/505

Abstract: 一种含氢类金刚石膜的制备方法。涉及类金刚石膜，提供一种含氢类金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底正面正对着源电极放入等离子体增强型化学气相沉积生长腔体内，用等离子体溅射清洗等离子体增强型化学气相沉积生长腔体以及衬底表面；将腔体抽真空，通入含氢气体，调节工作压强和射频功率，进行含氢类金刚石膜的生长；生长结束后，停止通入含氢气体，抽净尾气，即得含氢类金刚石膜。通过在生长腔体中将衬底相对于源电极反向平行放置后，并调整衬底与源电极距离，改变工作压强和射频功率的等离子体增强型化学气相沉积法可实现更大范围的调制类金刚石膜的光学带隙并能够显著提高其生长速率，满足其未来的应用需求。

公开(公告)号：CN102593232A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210073222.7

申请日：2012-03-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张玲 ,  朱丽虹

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求，可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。

公开(公告)号：CN220045853U

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202321402664.1

申请日：2023-06-05

Applicant: 厦门大学附属中山医院

Inventor： 温小闽 ,  张玲 ,  姚娇

IPC: A61B1/233 ,  A61B1/015 ,  A61B1/00 ,  A61B1/04 ,  A61B90/00 ,  A61B17/94

Abstract: 本实用新型公开了一种用于鼻内镜的冲洗装置，属于耳鼻喉医疗器械领域，包括依次连通的连接管（1）、衔接管（2）和延长管（3），其中，所述连接管（1）的前端设置有用于第一翼状贴（4），所述连接管（1）的末端设置有C型卡扣（5），所述第一翼状贴（4）和C型卡扣（5）之间至少还设置有一个翼状贴，在所述衔接管（2）上设置有按压式阀门（6），所述按压式阀门（6）贴近鼻内镜镜体的手持操作段，在所述按压式阀门（6）处设置有胶贴（7），在所述延长管（3）的末端设置有输液器接头（8）；本实用新型能够增加鼻内镜检查或手术视野，节省人力，提高效率，并且无需额外供水装置，成本低，易于推广使用。