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公开(公告)号：CN103928044B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310015340.7
申请日：2013-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/18
CPC classification number: G11C17/12 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C17/14 , H01L27/11226
Abstract: 本发明公开了一种存储器编程方法和存储器，该方法包括：确定存储器每列存储单元中连续且编码值为第一编码值的多个存储单元；对存储器中的每列存储单元进行分组；优化每个子组的编码及连续第一编码值的存储单元的编码。通过对存储器中的每个存储单元晶体管的连接方式进行优化设计，从而有效减小了存储器阵列的面积，减少了与位线连接的晶体管的数量，降低了位线电容，有效提高了存储器的整体性能。
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公开(公告)号：CN104900255B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410074379.0
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C8/16
Abstract: 一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。
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公开(公告)号：CN104900255A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410074379.0
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C8/16
Abstract: 一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。
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公开(公告)号：CN102214485A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010140005.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种只读存储器及其操作方法。所述只读存储单元包括主控制电路、电压移位器、字线驱动器、只读存储单元阵列以及输入输出电路，由两个电平的电源供电。电位较低的第一电源供电给主控制电路、甚至只读存储单元阵列漏极端以及输入输出电路。电位较高的第二电位供电给字线驱动器驱动该只读存储单元阵列栅极端。电压移位器则耦接于主控制电路与字线驱动器之间，作电压移位使用。本发明的只读存储器可避免传统低操作电压所产生的判读错误问题，并可享有低耗电的优点。
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公开(公告)号：CN105740177B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201410745293.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F13/20
CPC classification number: G11C11/418 , G11C7/1075 , G11C11/419 , H04J3/0644
Abstract: 本发明公开了一种信号传输的控制方法和装置、以及信号锁存装置，其中，该方法包括：将第一信号输入至第一锁存器；在第一锁存器对第一信号进行锁存期间，将第二信号输入至第一锁存器的输入端。本发明通过控制信号输入到锁存器的时间，减少锁存器在锁存多路信号的过程中等待信号输入的时间，从而改善了信号处理的速度，提高了处理效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105740177A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410745293.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F13/20
CPC classification number: G11C11/418 , G11C7/1075 , G11C11/419 , H04J3/0644
Abstract: 本发明公开了一种信号传输的控制方法和装置、以及信号锁存装置，其中，该方法包括：将第一信号输入至第一锁存器；在第一锁存器对第一信号进行锁存期间，将第二信号输入至第一锁存器的输入端。本发明通过控制信号输入到锁存器的时间，减少锁存器在锁存多路信号的过程中等待信号输入的时间，从而改善了信号处理的速度，提高了处理效率。
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公开(公告)号：CN102214485B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201010140005.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种只读存储器及其操作方法。所述只读存储单元包括主控制电路、电压移位器、字线驱动器、只读存储单元阵列以及输入输出电路，由两个电平的电源供电。电位较低的第一电源供电给主控制电路、甚至只读存储单元阵列漏极端以及输入输出电路。电位较高的第二电位供电给字线驱动器驱动该只读存储单元阵列栅极端。电压移位器则耦接于主控制电路与字线驱动器之间，作电压移位使用。本发明的只读存储器可避免传统低操作电压所产生的判读错误问题，并可享有低耗电的优点。
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公开(公告)号：CN106297874B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510307020.8
申请日：2015-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/16 , G11C7/1075 , G11C8/12 , G11C8/18
Abstract: 本发明公开了一种时钟信号生成电路和方法、以及存储器，其中，该电路包括：信号输入端，用于接收输入的外部时钟信号；信号生成器，连接至所述信号输入端，用于基于输入的外部时钟信号生成内部时钟信号，其中，信号生成器中包含RC器件，RC器件用于对输入的信号进行延迟后输出。本发明借助RC器件的延迟功能，使得输出的内部时钟信号中脉冲信号间的时间间隔不仅仅取决于逻辑门，而且会受到RC器件的影响，使得时间间隔更加可控、容易跟踪。
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公开(公告)号：CN107437428A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710387166.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C8/08
Abstract: 本揭露涉及具有升压电压产生器的字线驱动单元及包含所述字线驱动单元的存储器装置。一种方法包含：将输入电压信号延迟以产生输出电压；启用电容器单元以跨越字线驱动器施加比所述输出电压大的经升压电压；及启用所述字线驱动器以提供对应于所述经升压电压的驱动电压。还揭露一种执行所述方法的字线驱动单元及一种包含所述字线驱动单元的存储器装置。
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公开(公告)号：CN106297874A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510307020.8
申请日：2015-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/16 , G11C7/1075 , G11C8/12 , G11C8/18
Abstract: 本发明公开了一种时钟信号生成电路和方法、以及存储器，其中，该电路包括：信号输入端，用于接收输入的外部时钟信号；信号生成器，连接至所述信号输入端，用于基于输入的外部时钟信号生成内部时钟信号，其中，信号生成器中包含RC器件，RC器件用于对输入的信号进行延迟后输出。本发明借助RC器件的延迟功能，使得输出的内部时钟信号中脉冲信号间的时间间隔不仅仅取决于逻辑门，而且会受到RC器件的影响，使得时间间隔更加可控、容易跟踪。
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