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公开(公告)号：CN113742795B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010459779.9
申请日：2020-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及对集成电路中的半导体存储器的安全级别进行认证的方法。一种方法包括：用一个或多个参数指定目标存储器宏；查找所述目标存储器宏中的功能块；以及基于基本单元的集合中的晶体管数量和面积分布来确定所述功能块的故障率。该方法包括：基于所述功能块的故障率，从存储器编译器生成针对所述目标存储器宏的故障模式分析。该方法包括：基于所述目标存储器宏的所述故障模式分析，确定所述目标存储器宏的安全级别。
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公开(公告)号：CN114613401A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110136033.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , G11C7/10
Abstract: 本公开涉及存储器器件的控制电路。一种电路包括：第一反相器、第二反相器、第一头部电路和第二头部电路。所述第一反相器被配置为将第一全局写入信号转换成发送到补码位线的第一本地写入信号。所述第二反相器被配置为将第二全局写入信号转换为发送到位线的第二本地写入信号。所述第一头部电路响应于写入使能信号和所述第二全局写入信号将所述第一反相器的电源端子与正参考电压源连接或断开。第二头部电路响应于写入使能信号和所述第一全局写入信号将所述第二反相器的电源端子与所述正参考电压源连接或断开。
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公开(公告)号：CN103928044A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310015340.7
申请日：2013-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/18
CPC classification number: G11C17/12 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C17/14 , H01L27/11226
Abstract: 本发明公开了一种存储器编程方法和存储器，该方法包括：确定存储器每列存储单元中连续且编码值为第一编码值的多个存储单元；对存储器中的每列存储单元进行分组；优化每个子组的编码及连续第一编码值的存储单元的编码。通过对存储器中的每个存储单元晶体管的连接方式进行优化设计，从而有效减小了存储器阵列的面积，减少了与位线连接的晶体管的数量，降低了位线电容，有效提高了存储器的整体性能。
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公开(公告)号：CN112447218B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201910808044.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路和方法。一种电路，包括：选择电路，其被配置为在第一输入处接收第一地址并在第二输入处接收第二地址，当选择信号具有第一逻辑状态时将第一地址传递到输出，并且当选择信号具有与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态时，将第二地址传递到输出。该电路还包括解码器，其被配置为对所传递的第一地址或第二地址进行解码。
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公开(公告)号：CN112447218A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910808044.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路和方法。一种电路，包括：选择电路，其被配置为在第一输入处接收第一地址并在第二输入处接收第二地址，当选择信号具有第一逻辑状态时将第一地址传递到输出，并且当选择信号具有与第一逻辑状态不同的第二逻辑状态时，将第二地址传递到输出。该电路还包括解码器，其被配置为对所传递的第一地址或第二地址进行解码。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928044B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310015340.7
申请日：2013-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/18
CPC classification number: G11C17/12 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C17/14 , H01L27/11226
Abstract: 本发明公开了一种存储器编程方法和存储器，该方法包括：确定存储器每列存储单元中连续且编码值为第一编码值的多个存储单元；对存储器中的每列存储单元进行分组；优化每个子组的编码及连续第一编码值的存储单元的编码。通过对存储器中的每个存储单元晶体管的连接方式进行优化设计，从而有效减小了存储器阵列的面积，减少了与位线连接的晶体管的数量，降低了位线电容，有效提高了存储器的整体性能。
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公开(公告)号：CN114400999A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011517547.0
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本公开总体涉及电路及其操作方法。一种电路包括功率管理电路和存储器电路。功率管理电路被配置为接收第一控制信号和第二控制信号，并提供第一供应电压、第二供应电压和第三供应电压。第一控制信号具有第一电压摆幅，并且第二控制信号具有与第一电压摆幅不同的第二电压摆幅。第一控制信号使功率管理电路进入具有第一状态和第二状态的功率管理模式。存储器电路耦合到功率管理电路，并且至少响应于由功率管理电路提供的第一供应电压而处于第一状态或第二状态。
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公开(公告)号：CN114388018A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011468190.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储装置。本公开提供一种存储装置，包括沿第一方向延伸的第一隔离单元、第一存储区段的第一存储阵列以及第二存储区段的第二存储阵列。第一存储区段的第一存储阵列沿不同于第一方向的第二方向邻接第一隔离单元的第一边界。第二存储区段的第二存储阵列沿第二方向邻接不同于第一边界的第一隔离单元的第二边界。存储装置还包括第一存储区段的第一译码器单元以及第二存储区段的第二译码器单元，被配置于第一隔离单元的相对侧。
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公开(公告)号：CN114255793A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011311981.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及存储器器件的写入电路。一种器件包括存储器库、第一对写入数据布线、第二对写入数据布线和全局写入电路。第一对写入数据布线连接到存储器库中的第一组。第二对写入数据布线连接到存储器库中的第二组。响应于第一时钟信号，全局写入电路生成第一全局写入信号和第一补码全局写入信号，该第一全局写入信号和第一补码全局写入信号通过第一对写入数据布线发送到存储器库中的第一组。响应于第二时钟信号，全局写入电路生成第二全局写入信号和第二补码全局写入信号，该第二全局写入信号和第二补码全局写入信号通过第二对写入数据布线发送到存储器库中的第二组。
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公开(公告)号：CN104900255B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410074379.0
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C8/16
Abstract: 一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。
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