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公开(公告)号：CN103242044B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310194837.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法，本发明涉及一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法。本发明是要解决目前BN/Si3N4复相陶瓷凝胶注模成型时浆料固相含量低以及BN在Si3N4基体中较难实现均匀分散的问题，本发明的制备方法为：一、制备BN包覆粉；二、制备混合陶瓷粉体；三、制备浆料；四、向浆料中加入引发剂和催化剂，搅拌后进行注模，得到固化的陶瓷湿坯，然后进行干燥，得到干燥后的生坯；五、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂处理，然后进行烧结，得到BN/Si3N4复相陶瓷，即完成。本发明应用于陶瓷材料领域。
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公开(公告)号：CN103613385A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310625253.3
申请日：2013-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/65
Abstract: 非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法，它涉及硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有的非晶/纳米晶硅硼碳氮陶瓷材料烧结温度高、致密度低的问题。硅硼碳氮陶瓷材料由硅粉、石墨和六方氮化硼制成。方法：将原料按一定比例称取后高能球磨混合，然后再进行烧结即得到材料。本发明的硅硼碳氮陶瓷材料呈非晶态，致密度高，硬度高，且制备工艺简单、成本低。本发明主要用于制备非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN103326228A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310189975.9
申请日：2013-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01S3/16
Abstract: 正交偏振补偿的2微米固体激光器，属于2μm波段激光器技术领域。本发明为解决现有2μm固体激光器中多个晶体共腔放置时，由于各向异性晶体不同晶轴方向上的热导率不同，造成的光斑畸变恶化输出激光束质量的问题。它的两束泵浦光分别经第三2μm全反镜和第一2μm全反镜入射至第一2μm激光晶体，另外两束泵浦光中分别经第一2μm全反镜和2μm半波片及第二2μm全反镜入射至第二2μm激光晶体，第一2μm激光晶体和第二2μm激光晶体产生的2μm波段的激光均经第二2μm全反镜全反射后入射至2μm输出耦合镜，2μm输出耦合镜输出2μm线偏振激光。本发明用于产生2微米波段的激光。
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公开(公告)号：CN103242044A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310194837.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法，本发明涉及一种BN/Si3N4复相陶瓷的凝胶注模成型制备方法。本发明是要解决目前BN/Si3N4复相陶瓷凝胶注模成型时浆料固相含量低以及BN在Si3N4基体中较难实现均匀分散的问题，本发明的制备方法为：一、制备BN包覆粉；二、制备混合陶瓷粉体；三、制备浆料；四、向浆料中加入引发剂和催化剂，搅拌后进行注模，得到固化的陶瓷湿坯，然后进行干燥，得到干燥后的生坯；五、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂处理，然后进行烧结，得到BN/Si3N4复相陶瓷，即完成。本发明应用于陶瓷材料领域。
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公开(公告)号：CN102173804B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110027089.7
申请日：2011-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622
Abstract: 一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法，它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂和难于制造大尺寸块体陶瓷材料的问题。方法：一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和氮化铝粉为原料；二、原料球磨，得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末；三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸块体陶瓷材料、成本低、产量高，适于工业化生产等优点，可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段；所得以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102703954A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210206659.3
申请日：2012-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，它涉及一种在钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的方法。本发明是为了解决解决现有TiC颗粒增强钛基复合材料耐磨性差的技术问题。本方法如下：将TiC颗粒增强钛基复合材料放入电解液中，采用双向脉冲电源，处理3～30min，冲洗3～5次，干燥，即得表面微弧氧化陶瓷层TiC颗粒增强钛基复合材料；本发明微弧氧化方法简单有效地解决了TiC陶瓷增强颗粒对复合材料表面微弧氧化放电过程中放电均匀性差和涂层完整性不好的问题，显著增强了复合材料表面的抗磨损性能。
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公开(公告)号：CN101857425B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010206954.X
申请日：2010-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G04F10/10 , H01C7/10 , C04B35/10 , C04B35/645
Abstract: 一种飞行时间探测器用Al2O3-TiN基复合材料及其制备方法，它涉及一种飞行时间探测器用的复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的玻璃电阻板在高电压下的电流大、耐高压性能差的问题。Al2O3-TiN基复合材料由Al2O3、TiN和SiO2制成。方法：一、称取原料；二、球磨、三、混料；四、预压成型；五、烧结即得到了飞行时间探测器用的Al2O3-TiN基复合材料。本发明的Al2O3-TiN基复合材料的力学性能和电学性能好，均能满足飞行时间探测器用电阻板材料的要求。
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公开(公告)号：CN101671029B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910073009.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/14
Abstract: 常压干燥制备SiO2气凝胶的方法，它涉及一种SiO2气凝胶的制备方法。本发明克服了超临界干燥制备SiO2气凝胶方法存在设备复杂、生产成本高、危险性高的缺点，以及现有常压干燥工艺不易得到完整的SiO2气凝胶块体的缺点。本发明的SiO2气凝胶制备方法如下：经溶胶凝胶、老化、溶剂置换、表面修饰、清洗以及干燥处理后得到SiO2气凝胶。本方法具有成本低、对设备要求不高、安全性好特点。本发明方法制备的SiO2气凝胶块体质地均匀、完整性好，气孔率在90％～95％，憎水，热导率低。
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公开(公告)号：CN118547329A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410679516.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/031 , C25B11/061 , C25B1/04 , C25D3/56 , C25D9/04 , C25D7/00
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属催化剂及其制备方法，涉及电解水催化剂技术领域，该制备方法包括：步骤S1、将过渡金属盐和氯化盐加入水中，混合均匀，得到电沉积溶液；步骤S2、将作为工作电极的泡沫镍基底与对电极同时置于所述电沉积溶液中进行电沉积，电沉积完成后，将工作电极取出进行清洗后，干燥处理，得到过渡金属催化剂；其中，所述电沉积的电流密度为400‑1500mA/cm2。采用本发明方法制得的过渡金属催化剂，在电解水产氢过程中，能够有效避免产生“气泡屏蔽效应”，从而降低电解能耗。
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公开(公告)号：CN118497867A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410633853.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种多相电沉积装置及方法，涉及电沉积技术领域；该多相电沉积装置包括作为工作电极的基底、对电极、电沉积池和工作电源，所述基底和所述对电极分别与所述工作电源连接，所述电沉积池中从上至下依次设有互不相溶的电镀液和密封液，所述电镀液形成厚度为h1的电镀液层，所述密封液形成厚度为h2的密封液层，所述密封液不导电，所述基底的长度为L，L与大于h1，h2大于或等于L。采用本发明提供的多相电沉积装置及方法，能够确保在一定的电流值下，在基底上获得更大的电流密度，因而能够确保在电流密度满足工作要求的情况下降低工作电流。
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