一种用于工业染料检测的复合SERS基底的绿色制备方法

    公开(公告)号:CN115248203B

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202210520009.X

    申请日:2022-05-13

    Abstract: 一种用于工业染料检测的复合SERS基底的绿色制备方法,它属于无机纳米材料制备技术领域。它要解决现有检测工业染料的贵金属SERS基底荧光性强、生物相容性差、价格昂贵、易氧化的问题。方法:一、Ti3C2Tx Mxene粉体与氯化铁溶液混合制备多层状Ti3C2TxMxene;二、多层状Ti3C2Tx Mxene与氯金酸溶液混合制备手风琴状Ti3C2Tx Mxene,分散后滴加至硅片上自然晾干。本发明采用绿色、简单的方法制备了用于工业染料检测的金纳米粒子修饰的Ti3C2Tx Mxene复合SERS基底材料,避免了氟化物的使用,同时保持了优异的SERS性能。本发明制备所得产品作为无机纳米材料使用。

    一种具有高效散热功能的IGBT模块封装结构

    公开(公告)号:CN117810181A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311856501.5

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种具有高效散热功能的IGBT模块封装结构,包括框架本体,所述框架本体内部为中空结构,还包括用于对IGBT模块进行双面散热的散热模块、用于作为IGBT模块主体部分的功能模块以及用于对IGBT模块进行封装的封装模块,散热模块布置在所述框架本体的上下两端,功能模块装配在所述框架本体的内侧下部,封装模块配置在所述框架本体的内侧,本发明的有益效果是结构简单,设有散热模块,可以对IGBT模块进行双面散热,散热效率高,设有功能模块与封装模块配合,通过高性能导热灌封料良好地包覆多孔结构的高导热薄膜,降低了其接触面产生气泡的概率,提高了上层散热通道的可靠性,降低了杂散电感的产生,可降低芯片发热源位置的功率密度。

    一种双面散热结构功率模块的制造方法

    公开(公告)号:CN116798882A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202311054991.7

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种双面散热结构功率模块的制造方法,采用钎焊焊接芯片和陶瓷基板,而后利用键合机进行芯片和覆铜陶瓷基板的电气互联键合,安装塑料外壳并二次键合完成覆铜陶瓷基板与端子的固连;高导热复合材料以导热填料、树脂基体和添加剂为原料按比例混合,形成无自主流动性的粉状物质,将其填入功率模块腔体中,并装上有凸起结构的上冷板,放入真空腔并盖上顶盖,抽真空的同时向下额外施压使填料相互挤压变形填隙,最终填满整个腔体,打开气阀恢复正常压力后撤去外部装置并加热固化即可完成。本发明提供的方法可以制备具有双面散热功能的功率模块,具有工艺简单、成本较低、良品率高、可靠性高的特点。

    C/SiC壳核结构复合纤维制备方法及复合纤维

    公开(公告)号:CN112176719B

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202011073021.8

    申请日:2020-10-09

    Abstract: 本发明C/SiC壳核结构复合纤维制备方法,包括如下步骤:步骤A、原料准备:对碳纤维原料预处理,获得分散性良好、表面活性基团增加的碳纤维Ⅰ;混合熔盐原料获得混合物熔盐;由硅溶胶、炭黑和硅烷偶联剂经混合、干燥、破碎获得干凝胶和炭黑的混合粉体;步骤B、成型:将混合物熔盐与混合粉体混合获得包埋料,将碳纤维Ⅰ处于包埋料包埋下进行烧结、冷却、分离后获得C/SiC壳核结构复合纤维。本发明的制备方法采用熔盐熔解析出法,在较低温度下制备出表面SiC纳米结构壳层的C/SiC复合纤维,具有良好的壳核结构,具有良好的拉伸强度、弹性模量和吸波性能。

    一种AlN纳米线的制备方法
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109264678B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN201811240967.1

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明提出一种AlN纳米线的制备方法,包括步骤1、混料:将Ti粉、Al粉和C粉进行混合;步骤2、研磨:在球磨罐中加入研磨球,将步骤1所得原料放入球磨罐中,在球磨罐中倒入酒精直至将原料完全盖住,把球磨罐放入球磨机中固定,湿磨8h~12h;步骤3、烘干:将研磨后的物质在水浴环境下进行烘干,烘干温度为50℃~60℃;步骤4、过筛:将烘干后的物质进行过筛,以将研磨球与原料进行分离;步骤5、烧结与取料:将步骤4所得的原料在氮气环境下进行烧结,烧结温度达到1300℃或以上时,保持该温度0.5h~4h,通过气相沉积法制备AlN纳米线,当温度下降后,即可取出烧结产物,即AlN纳米线。通过上述制备方法制备的纳米线为AlN单晶,其直径范围在100‑200 nm,长度范围以5‑10μm居多。

    一种B4C纳米带的制备方法
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109179420B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201811240955.9

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明提出一种B4C纳米带的制备方法,包括步骤1、混料:将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中,得到混合物;步骤2、干燥:将步骤1所得的混合物进行烘干,烘干温度为50℃~60℃;步骤3、研磨:将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末;步骤4、烧结与取料:将前驱体粉末在保护气体环境下进行烧结,烧结温度达到1400℃时,在保护气体环境下保持该温度0.5h~1.5h,通过气相沉积法制备B4C纳米带,之后当温度下降后,即得到B4C纳米带。通过上述制备方法制得的纳米带为具有均匀宽度和厚度的单晶B4C纳米带,上述制备方法能够在简化工艺流程、缩短制备时间的前提下,使B4C纳米带仍保持较高的纯度和转化率,使生产成本显著降低,具有较为广阔的应用前景。

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