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公开(公告)号：CN113480317A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110757894.9
申请日：2021-07-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法。本发明为了寻找AlN陶瓷最佳的制备工艺，以满足AlN陶瓷实际生产的需要。本方法如下：一、助烧剂的制备，二、将氮化铝和助烧剂进行球磨处理，球料比为10～30:1，球磨时间1～14h；三、将步骤二所得粉体烘干后，放入模具中，在烧结炉中一定温度、一定压力下保持一定时间；四、冷却后脱模即得高导热陶瓷片。本发明制备的AlN陶瓷成本低，操作简单，强度高等优点。
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公开(公告)号：CN110534910B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910833267.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于光选择性调控金属‑二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法，它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。器件：包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。方法：高阻硅上涂光刻胶，前烘、曝光、显影和定影；淀积金属；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火。本发明应用条件简便、工作模式可自由切换，工艺简单、成本低。本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。
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公开(公告)号：CN108620601B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810454068.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及片状结构Cu纳米晶的制备方法，属于金属纳米材料合成方法的技术领域。本发明采用液相化学还原法，制备过程包括：配置体积为前驱物硫酸铜溶液提供Cu源，加入碳酸钠粉末提高溶液PH值，加入络合剂柠檬酸钠，加入添加剂溴化钾定向吸附控制纳米晶的生长，加入抗坏血酸室温搅拌。本发明操作简单，实现了室温条件下片状Cu纳米晶的制备，有益于低成本制备；所使用的添加剂具有水溶性可通过简单的方法清除，有益于保持Cu纳米晶的活性。
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公开(公告)号：CN112935273A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110104933.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种室温制备CuPt合金纳米颗粒的方法，主要包括：1)配置可溶性Cu的前驱物与Pt的前驱物，按一定比例混合；2)加入一定量的氯化钾与盐酸溶液，均匀搅拌；3)加入还原剂抗坏血酸，继续搅拌，室温环境下反应5‑8小时；4)反应后所得产物经固分离以及清洗后，干燥处理，得到的固体粉末即为高纯度CuPt合金成品。该方法通过向反应液中加入一定量的盐酸溶液，提升反应液对CuCl的溶解度，避免CuCl杂质的产生，提高产物纯度。由于较低的反应温度可降低纳米晶的生长的热力学熟化速率，本发明在不添加任何表面活性剂的情况下获得小尺寸(65‑75纳米)且单分散性好的CuPt合金颗粒。整个制备过程易实现，后期样品清洗步骤简单。
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公开(公告)号：CN111036238A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911141450.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01J27/049 , B01J35/02 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/38 , C02F101/36
Abstract: 一种Fe2O3/WS2异质结光催化剂及其制备方法，属于光催化技术领域。本申请提供一种具有高效光化学能转换效率的光催化剂。本发明所述光催化剂由附载有Fe2O3纳米颗粒的WS2片层构成，呈花状结构；是通过水热反应耦合两种窄带半导体制备得到的一种具有异质结结构的复合材料。本发明制得的光催化剂具有较高的光生电子-空穴对分离效率，在模拟太阳光光源照射下对亚甲基蓝指示剂溶液具有良好氧化降解效果的同时，对六价铬离子还具有较强的还原性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110534909A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910832612.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法，它涉及一种工作模式可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法。本发明的目的是要解决平面太赫兹超材料环偶谐振调谐深度小，激励方式所需外部设备复杂、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。它包括基体硅衬底、梳齿型静电驱动结构、固定金属结构阵列、可动金属结构阵列和悬浮硅框架。方法：一、沉积二氧化硅层；二、锚结构的光刻胶掩膜图形化；三、锚结构形成；四、结构层键合与减薄；五、金属结构单元图形化；六、光刻胶掩膜图形化；七、刻蚀硅和释放MEMS结构。本发明主要用于制备环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器。
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公开(公告)号：CN110515224A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910835471.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种双带可灵活选择性调控的石墨烯-金属槽超材料太赫兹慢光器件，涉及电磁与电磁波技术领域。本发明的目的是要解决现有的可调谐太赫兹EIT超材料慢光器件单工作频带，可调谐范围窄、结构和制备工艺复杂、激励方式所需外部设备繁琐、功能单一、可靠性低、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。硅衬底层上设置有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设置有周期性排列的图形化两石墨烯带结构，石墨烯带结构上设置有周期性排列的图形化金属槽结构，两石墨烯结构分别与第一金属电极Pad 1和第二金属电极Pad 2连接。本发明可获得一种双带可灵活选择性调控的石墨烯-金属槽超材料太赫兹慢光器件。
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公开(公告)号：CN110440840A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910740920.X
申请日：2019-08-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种同时测量温度和位移的气球-错位型全光纤传感器的制作方法，本发明属于光纤传感领域，具体涉及一种基于马赫-曾德原理将气球形光纤和错位光纤相结合的能同时测量温度和位移的光纤传感系统。目的是提供一种结构简单、结实耐用、价格低廉、灵敏度高的同时测量温度和位移的光纤传感器。方法：一、气球形光纤的制作；二、错位光纤的制作；三、将气球形光纤和错位光纤通过光纤跳线连接。本发明用于制作同时测量温度和位移的气球-错位型全光纤传感器。
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公开(公告)号：CN105417580B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610012895.X
申请日：2016-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法，它涉及一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法。本发明的目的是要解决现有方法工艺复杂、成本高同时不能制备出粒径在100nm以下尺寸均一钽铌酸钾粉体的问题，本发明步骤为：氢氧化钾的水溶液；称取五氧化二钽粉体和五氧化二铌粉体，分别与氢氧化钾的水溶液混合，装到水热反应釜中，放入烘箱中进行反应，再放入真空干燥箱抽真空，加热后得到钽铌酸钾纳米粉体。本方法采用水热法精确控制合成钽铌酸钾纳米(100nm以下)粉体的尺寸，合成方法简单，温度低，纯度高，是合成无铅压电陶瓷纳米(100nm以下)粉体的一个新途径。本发明应用于纳米晶材料制备领域。
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公开(公告)号：CN106397798A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610806328.1
申请日：2016-09-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及其制备方法，所述的改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜是由上下两层为改性BaTiO3纳米粒子所填充的PI复合材料和中间层为纯PI材料构成的。本发明采用原位聚合方法和涂膜工艺制备改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜。通过实验测试发现，该复合薄膜的介电综合性能优异，同时具有较高击穿场强和储能密度，使得它在电容器和储能器方面具有很大应用前景。
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