公开(公告)号：CN102160183A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136174.8

申请日：2009-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一 ,  守口正生 ,  吉田德生 ,  岩濑泰章 ,  神崎庸辅 ,  坂本真由子

IPC: H01L29/786 ,  C23C16/24 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/1225

Abstract: 二极管(201)具备：栅极电极(2)；在栅极电极(2)上形成的栅极绝缘层(5)；在栅极绝缘层(5)上形成的具有第1区域(6a)、第2区域(7b)的至少1个半导体层(6、7)；在第1区域(6a)上设置的与第1区域(6a)和栅极电极(2)电连接的第1电极(10)；以及在第2区域(7b)上设置的与第2区域(7b)电连接的第2电极(12)，至少1个半导体层(6、7)具有隔着栅极绝缘层(5)与栅极电极(2)重叠的沟道区域(6c)和与栅极电极(2)不重叠的电阻区域(7d)，在二极管(201)的导通状态下，在第1电极(10)和第2电极(12)之间形成包含沟道区域(6c)和电阻区域(7d)的电流路径。

公开(公告)号：CN101861642A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116108.X

申请日：2008-11-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  齐藤裕一 ,  希达亚特·奇斯达琼奴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 以高的制造效率提供导通电流大、且抑制了截止电流的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极；微晶硅层，其包含微晶硅，具有与基板面平行的上面和下面以及被上面和下面隔着的端面；第一接触层和第二接触层，其包含杂质，形成为分别与微晶硅层相接；源极电极，其形成为与第一接触层相接；以及漏极电极，其形成为与第二接触层相接，第一接触层和第二接触层中的至少一方不与微晶硅层的上面和下面相接而仅与端面相接。