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公开(公告)号：CN116037915A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211719594.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种高能电子束非热诱导PVP@Ag纳米线加工的方法，将PVP@Ag纳米线粉末分散到微栅上制成TEM样品，然后在TEM中选取两端搭在微栅孔洞中的纳米线片段，并将电子束聚焦于该纳米线片段进行不断辐照，诱导辐照区域内原子的非热“融蒸”和“扩散”，从而实现了PVP@Ag纳米线的打孔或焊接加工。本发明利用TEM中高能电子束聚焦辐照，不仅可以非热激活诱导纳米结构转变，同时还可以高分辨原位观察PVP@Ag纳米线孔洞结构和交叉焊接结构的加工过程。此外，辐照加工仅在室温下进行，无需外界光、热、电、力等的辅助，整个工艺过程简单、容易操作。
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公开(公告)号：CN110844879B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201911111539.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法，将纳米线分散到具有多孔薄膜结构的透射电镜（TEM）样品上，之后放入TEM中，选取自由端突出到多孔薄膜孔洞中的纳米线片段，在TEM的观察下按“纳米线削尖—纳米线弯钩—纳米线键合”工艺进行键合处理。本发明利用透射电镜中高能电子束有针对性辐照，实现了非晶纳米线的削尖、弯钩，并最终与多孔薄膜高质量键合在一起，具有原位、灵活可操控、高精度、低温键合等优点。
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公开(公告)号：CN108707944B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810585674.0
申请日：2018-06-06
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及一种多孔阳极氧化铝模板的制备方法。解决了传统多孔阳极氧化铝的孔洞排列方式单一和非传统多孔阳极氧化铝制备成本高昂，制备复杂而不适于大面积生产的技术问题。该制备方法包括：清洗铝箔并进行电化学抛光处理；将传统多孔阳极氧化铝作为压印印章，通过机械压印的方法，在铝箔表面形成六角密堆排列的三维纳米凸起图案；将表面印有六角密堆排列的三维纳米凸起图案的铝箔置于酸性电解液中进行氧化，从而得到表面具有六角密堆排列的三维纳米凸起的多孔阳极氧化铝模板。该制备方法具有成本低，实施简单，适于大面积生产等优点，有望被用于批量生产新型多孔阳极氧化铝模板。
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公开(公告)号：CN108898928A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810985120.X
申请日：2018-08-28
Applicant: 常州大学怀德学院
IPC: G09B23/18
Abstract: 本发明提供了一种物理实验演示装置，其支撑框架的相对两侧面中，一侧安装有转动轴A，另一侧通过轴承B安装有轴动轴B，转动轴A中位于支撑框架内的一端固连有U形磁铁、位于支撑框架外侧的一端固连有驱动装置A，支撑框架中上下端面之间的间距大于U形磁铁的开口宽度；转动轴B中位于支撑框架内的一端固连有线圈框架、位于支撑框架外的一端固连有驱动装置B，线圈框架内沿转动轴B的轴向平行设置有红光二极管和黄光二极管；支撑框架中与转动轴B配合的一侧设置有与轴承B配合的水平导轨槽，支撑框架的前后侧面分别螺纹连接有水平螺杆，两水平螺杆的外侧端均设置有转动手柄。该装置演示过程简单、直观，利于学生理解相关的物理知识。
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公开(公告)号：CN107610906A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711087371.8
申请日：2017-11-07
Applicant: 常州大学
IPC: H01F27/26 , H01F27/245 , H01F30/14
Abstract: 本发明公开了一种可拼接的多相高压变压器，包括：上铁芯，其设置有一个拼接口，所述上铁芯上绕设有第一线圈；下铁芯，其对应设置在所述上铁芯正下端，所述下铁芯上绕设有第二线圈，所述上铁芯和下铁芯的第二端通过第一铁芯柱衔接；第二铁芯柱，其活动接合在所述上铁芯和下铁芯的拼接口中；第三铁芯柱，其活动接合在所述上铁芯和下铁芯的拼接口中；用于承载下铁芯的第一移动装置，所述第一移动装置上伸缩设置有柱形伸缩臂；以及用于承载第三铁芯柱的第二移动装置，所述第二移动装置中设置有可脱扣的卡接扣，所述卡接口选择性与所述卡接扣卡扣连接。本发明解决了不易对变压器拼接过程进行精确控制的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104651790B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510076766.2
申请日：2015-02-12
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种金属电阻率Cu/Cu2O半导体弥散复合薄膜及其制备方法，目的是提供一种具有金属级电阻率和太阳窗口半导体带隙的Cu/Cu2O弥散复合薄膜及其制备方法。本发明采用平衡磁控溅射镀膜系统，通过直流物理溅射高纯铜靶，在玻璃衬底上沉积了Cu/Cu2O弥散复合薄膜，并通过控制衬底偏压来调节复合薄膜的电阻率和禁带宽度。本发明工艺简单，操作方便，成本降低。本发明制备的Cu/Cu2O弥散复合薄膜，具有大面积、均匀和表面平整等特点，其电阻率为(5.23～9.98)×10‑5Ω·cm，禁带宽度为(2.23～2.47)eV，同时具有金属和半导体双重特性，在太阳能电池、电极材料和光催化等领域具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN105154985A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510520212.7
申请日：2015-08-24
Applicant: 常州大学
IPC: C30B33/10 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及金属氧化物薄膜及其制备方法，尤其是涉及一种双结构绒面Cu2O薄膜及其制备方法。本发明利用射频平衡磁控溅射镀膜系统，通过施加正、负衬底偏压，一方面诱使溅射Cu原子在正在沉积的薄膜表面尖端处进行选择性优先沉积，然后与腔室中残余的氧发生接触氧化成Cu2O分子，另一方面诱使薄膜体系尽可能地降低能量，沿（111）方向生长并在薄膜表面形成（111）面的棱锥结构，从而获得双结构绒面Cu2O薄膜。本发明制备的Cu2O薄膜的可见光平均反射率与所施加的衬底偏压密切相关，通过控制衬底偏压能够可控制备不同反射率的双结构绒面Cu2O薄膜，具有环保、简易、减反射性能良好等优点，在薄膜太阳能电池等领域具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN103014626A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210544649.0
申请日：2012-12-17
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔铜（NPC）薄膜的制备方法，目的是提供包括一种多孔的三棱柱状结构和一种双连续的“三角韧带–孔道”结构在内的NPC薄膜的磁控溅射制备方法。本发明利用射频平衡磁控溅射镀膜系统，以绝缘载玻片为间接衬底，先在载玻片上沉积一层具有粗糙表面的金属铜薄膜作直接衬底，然后施加衬底负偏压，利用尖端集电原理诱使入射铜原子在直接衬底上进行选择性优先沉积，从而获得各向异性的NPC薄膜。本发明制备的NPC薄膜的形貌取决于直接衬底铜膜的形貌，通过控制衬底的形貌能够可控地制备不同结构的NPC薄膜，具有工艺简单、大面积、均匀性好、各向异性等优点，在太阳能薄膜电池、催化、传感器、生物探测等领域具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN101949004A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010278840.6
申请日：2010-09-10
Applicant: 常州大学
Abstract: 一种纳米铜膜基铜纳米结构的制备方法，涉及一种纳米结构的制备和组装方法。本发明先将玻璃衬底清洗干净，然后置于磁控溅射腔室中在室温下沉积合适厚度的纳米铜膜，再将该玻璃衬底切成几小片进行不同时间的高真空退火处理，通过控制退火时间直接在纳米铜膜表面形成各种形状的铜纳米结构，并利用场发射扫描电子显微镜拍照记录同一玻璃衬底上多处纳米铜膜的表面形貌，获得典型的纳米铜膜及其表面上铜纳米结构的特征。本发明首次从纳米曲率效应和热激活效应角度出发，通过对合适厚度的纳米级铜膜进行不同时间的退火处理，直接在纳米铜膜表面上可控制备了各种纳米铜膜基铜纳米结构。
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公开(公告)号：CN109110528B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201810984983.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 常州大学怀德学院
Abstract: 本发明提供了一种书本装订用输送装置，其主体支架上设置有上皮带输送机构和下皮带输送机构，上皮带输送机构和下皮带输送机构包括中间输送皮带，中间输送皮带的两侧分别对称设置有环形输送皮带，两环形输送皮带的速度与中间输送皮带的速度不同，主体支架上位于中间输送皮带的两侧分别固定有限位挡板，两限位挡板之间形成输送通道，输送通道的入口端与两环形输送皮带中靠近中间输送皮带的一侧直线段的端部之间留有间距，上皮带输送机构和下皮带输送机构中位于该间距处的主体支架的两侧，一侧固连有自上向下倾斜的U形导料板、另一侧固连有水平气缸，水平气缸的端部固连有推板，输送通道的入口端设置有挡板和压敏传感器。该装置的输送效率高。
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