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公开(公告)号：CN104541205A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380042336.8
申请日：2013-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。
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公开(公告)号：CN104508558A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040983.5
申请日：2013-08-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，[式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。]。
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公开(公告)号：CN106462074B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580030552.X
申请日：2015-05-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可以形成具有耐蚀刻性、且在具有凹部和/或凸部的表面的填埋性方面优异的抗蚀剂下层膜的新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚合物及溶剂，所述聚合物具有下述式(1)或式(2)所表示的结构单元，(式中，X表示亚芳基，n表示1或2，R1、R2、R3及R4分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数1～3的烷基或苯基。)。
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公开(公告)号：CN105027005B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201480005451.2
申请日：2014-02-21
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其通过降低烧成工序中从抗蚀剂下层膜中产生的升华物量且抑制老化，从而具有高保存稳定性。用于解决本发明的课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的具有羟基的芳基磺酸盐化合物，(式中，Ar表示苯环或稠合了苯环的芳香族烃环，m1为0～(2+2n)的整数，m2和m3各自为1～(3+2n)的整数，(m1+m2+m3)表示2～(4+2n)的整数。其中，n表示苯环数或芳香族烃环中稠合了的苯环数，为1～6的整数。X+表示NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、季铵离子、锍离子或碘阳离子。)。
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公开(公告)号：CN106133607B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580016776.5
申请日：2015-03-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G14/02 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其对用于显现良好的涂布成膜性的光刻中所使用的溶剂具有高的溶解性，并可以减少在成膜时产生的升华物。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有酚醛清漆树脂，所述酚醛清漆树脂具有通过含有芳香环的化合物(A)的芳香环结构与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基的反应而得到的结构基团(C)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105874386B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201480070504.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G12/08 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供具有良好的硬掩模功能、并能够形成良好的图案形状的抗蚀剂下层膜。本发明提供了用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的酚醛清漆聚合物。酚醛清漆聚合物为含有式(1)所示的结构单元的聚合物。本发明还提供了半导体装置的制造方法，包括下述工序：利用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进而在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射和显影来形成抗蚀剂图案的工序；利用所形成的抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；利用图案化了的硬掩模对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及利用图案化了的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN107077071A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055292.1
申请日：2015-10-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征：在高低差基板上的平坦化性能优异，向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好，可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结构的聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
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公开(公告)号：CN105874386A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480070504.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G12/08 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供具有良好的硬掩模功能、并能够形成良好的图案形状的抗蚀剂下层膜。本发明提供了用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的酚醛清漆聚合物。酚醛清漆聚合物为含有式(1)所示的结构单元的聚合物。本发明还提供了半导体装置的制造方法，包括下述工序：利用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进而在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射和显影来形成抗蚀剂图案的工序；利用所形成的抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；利用图案化了的硬掩模对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及利用图案化了的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN104508558B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380040983.5
申请日：2013-08-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。
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公开(公告)号：CN103827159B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280047123.X
申请日：2012-09-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G16/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G12/08 , C08G73/026 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08L61/22 , C08L79/02 , C08L79/04 , C09D161/22 , C09D179/02 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明的课题是提供新的苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂、以及使用了该树脂的用于半导体装置制造的光刻工艺的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)。(式(1)中，Ar1和Ar2分别表示苯环或萘环)一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案来蚀刻硬掩模的工序；通过图案化了的硬掩模来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的下层膜来加工半导体基板的工序。
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