公开(公告)号：CN104718627A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380054059.2

申请日：2013-10-17

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 丸井俊治 ,  林哲也 ,  山上滋春 ,  倪威 ,  江森健太

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置(100)，具备：半导体基体(1)；第一导电型的漂移区域(2)，其在上部的一部分具有槽，配置在半导体基体(100)的第一主面上；第二导电型的电场缓和区域(4)，其仅配置在槽底部中除了中央部以外的角部的周围；阳极电极(9)，其埋入槽中；阴极电极(10)，其配置在半导体基体(100)的与第一主面相对的第二主面上。