公开(公告)号：CN1880094A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610103148.3

申请日：2001-09-04

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治 ,  小木秀也

IPC: B41J2/45 ,  G06K15/12

Abstract: 提供了一种光写入头，包括：由多个棒形透镜叠置排列成沿厚度方向成几何线对称而构成的棒形透镜阵列；相对于上述棒形透镜配置，使发光元件按直线状排成的多个发光元件阵列芯片取交错状排列而构成的发光元件阵列；前述发光元件阵列芯片则对向通过上述棒形透镜阵列的线对称部分的2条线取交错形排列。以及一种棒形透镜与发光元件阵列的布置方法，将多个棒形透镜叠层构成沿厚度方向成为几何线对称的棒形透镜阵列；将发光元件按直线排成的多个发光元件阵列芯片对向通过上述棒形透镜阵列的线对称部分的2条线配置成交错形式。

公开(公告)号：CN1214297C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN01110502.X

申请日：2001-04-06

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 胁坂政英 ,  楠田幸久 ,  吉田治信 ,  黑田靖尚 ,  大野诚治 ,  有马尊久

IPC: G03G15/04 ,  G03G15/00

CPC classification number: B41J2/451 ,  H01L27/153 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一种写光头中，一个杆状透镜阵列，一个用于支撑一个基片的基片支撑部件，和一个驱动电路板都是由一个支撑部件固定地保持的。支撑部件和基片支撑部件都是由金属材料制造的，而杆状透镜阵列的框是由玻璃板制造的。还有，依靠转动偏心圆销子，来调整光-发射元件阵列的光-发射部分与杆状透镜阵列的光-入射端面之间的距离。还有，光-发射阵列芯片被印模粘结到一个已经粘结在支撑部件上预定位置的基片上，同时基片支撑部件位置被采用作为基准面。

公开(公告)号：CN1623239A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN03802717.8

申请日：2003-02-21

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: B41J2/45 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0033

Abstract: 本发明提供一种包括发光闸流管和肖特基势垒二极管的发光器件。使由PNPN构造构成的3端子发光闸流管的控制板层接触金属端子形成至少肖特基势垒二极管。这样的肖特基势垒二极管用作二极管结型自扫描型发光器件阵列的耦合二极管的话，自扫描型发光器件阵列用3.0V就能驱动。

公开(公告)号：CN1547267A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200410046289.7

申请日：2000-08-04

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 驹场信幸 ,  大野诚治

IPC: H01L33/00 ,  B41J2/44

CPC classification number: H01L33/30 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种发光效率好的发光闸流晶体管及自扫描型发光装置，该发光闸流晶体管的特征在于备有：p型的阳极层；与上述p型的阳极层相接形成的n型的栅极层；与上述n型的栅极层相接形成的p型的栅极层；以及与上述p型的栅极层相接形成的n型的阴极层，至少使n栅极层附近的阳极层的局部的杂质浓度比n栅极层的杂质浓度低。

公开(公告)号：CN1164430C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN01800023.1

申请日：2001-01-22

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治 ,  楠田幸久 ,  大塚俊介 ,  黑田靖尚 ,  有马尊久 ,  齐藤英昭

IPC: B41J2/45 ,  H01L33/00

Abstract: 提供一种在排列了具有在低电流区发光效率低的I-L特性的发光闸流晶体管的阵列中，不降低发光效率，获得规定的曝光能量的光量设定方法。为了获得规定的曝光能量，在将相当于电流密度为50MA/m2的电流值的I-L特性曲线的切线与电流轴的切点处的电流值所相当的电流密度定义为发光阈电流密度Dth的情况下，使流过发光闸流晶体管的电流密度D在3×Dth＜D＜100MA/m2的范围内。

公开(公告)号：CN1163356C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN00801727.1

申请日：2000-08-23

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治 ,  楠田幸久 ,  吉田治信 ,  山下建

IPC: B41J2/45

CPC classification number: B41J2/45 ,  B41J2002/453

Abstract: 提供可以进行发光元件的光量补正，使发光芯片内和芯片间的光量分布均匀的自扫描式发光装置。发光元件的光量补正，可以采用调整发光元件的亮灯时间的办法，或采用调整供往发光元件的写入信号的电压的办法进行。倘采用本发明，由于可以使光量分布均匀，故在使用这样的自扫描式发光装置的光打印头中，可以提高打印质量。

公开(公告)号：CN1364117A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800475.X

申请日：2001-03-15

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治 ,  楠田幸久 ,  吉田治信 ,  山下建

IPC: B41J2/45

CPC classification number: B41J2/45 ,  G06K15/1247

Abstract: 提供一种能够使曝光量增大的光打印头的结构。在使感光鼓曝光而形成像素的光打印头中,包括:具有两列以上的发光点阵的发光元件阵列,以及把来自发光元件阵列的光投影到感光鼓上形成光点阵的棒状透镜阵列,两列以上的发光点阵沿与感光鼓的旋转轴方向平行的主扫描方向有相同的间距,各发光点阵的发光点沿与前述感光鼓的旋转方向垂直的副扫描方向并列地排列。

公开(公告)号：CN1362915A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01800268.4

申请日：2001-03-15

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: B41J2/45

CPC classification number: G06K15/1247 ,  B41J2/45 ,  B41J2002/453

Abstract: 提供一种修正因棒状透镜的制造离散而产生的感光鼓上的光点阵沿副扫描方向的错位的光写入头。在备有自扫描型发光元件阵列、和把从自扫描型发光元件阵列发出的光投影到感光鼓上的棒状透镜阵列的光写入头中,针对各芯片调整供给到起始脉冲线的起始脉冲的发生时钟,修正光点阵的错位。

公开(公告)号：CN1321123A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN00801752.2

申请日：2000-09-19

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 大野诚治

IPC: B41J2/45 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 提供在pnpn结构上构成交叉连接布线的情况下,也可防止闩锁的金属布线结构。该金属布线结构具有:在用隔离沟岛状隔离的pnpn结构的最上层之上设置的下部布线;和通过对覆盖着用隔离沟岛状隔离的pnpn结构的绝缘膜开口的第一接触孔,与下部布线连接的上部布线,通过开口于绝缘膜中的第二接触孔,上部布线与最上层正下方的层连接。

公开(公告)号：CN1320279A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN00801728.X

申请日：2000-08-14

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 驹场信幸 ,  大野诚治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种发光效率好的发光闸流晶体管。根据本发明,在p型及n型的AlGaAs层交互层叠在GaAs衬底上的GaAs缓冲层上的pnpn结构发光闸流晶体管中,特征在于GaAs缓冲层上面的AlGaAs层中的Al的成分呈台阶状增加的变化,或者Al的成分呈连续增加的变化。