公开(公告)号：CN107382048A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710767435.2

申请日：2014-08-22

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 长谷川义德 ,  森浩一 ,  成濑浩 ,  石田直也 ,  森弘树 ,  松伏泰生 ,  中林彰夫

IPC: C03B33/09

Abstract: 一种玻璃膜带制造装置(1)，具备：沿横向搬运玻璃膜带(G)的横向搬运部(4)；和配设在横向搬运部(4)的搬运路径上且沿在长度方向上延伸的切割预定线对所述玻璃膜带(G)进行切割的切割部(5)，横向搬运部(4)上配设有折皱拉伸机构(14)，该折皱拉伸机构(14)在由切割部(5)对玻璃膜带(G)进行切割之前对玻璃膜带(G)上产生的折皱进行拉伸。

公开(公告)号：CN102905891B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201180025218.7

申请日：2011-08-31

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 森弘树 ,  寺西妥夫 ,  森浩一 ,  鉴继薰

IPC: B32B17/10 ,  B32B3/02

CPC classification number: B32B3/02 ,  B32B7/06 ,  B32B17/064 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2250/02 ,  B32B2250/03 ,  B32B2250/40 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/734 ,  B32B2457/20 ,  Y10T428/24752

Abstract: 玻璃树脂层叠体(1)在厚度1～300μm的长条状玻璃膜(2)的至少一方的面上，将厚度1～300μm、拉伸弹性率0.3GPa以上且能够剥离的长条状树脂膜(3)以从长条状玻璃膜(2)的宽度方向两侧端突出的状态层叠而成。

公开(公告)号：CN105307992A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480031453.9

申请日：2014-08-22

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 长谷川义德 ,  森浩一 ,  成濑浩 ,  石田直也 ,  森弘树 ,  松伏泰生 ,  中林彰夫

IPC: C03B33/03 ,  B28D5/00 ,  B65H23/025 ,  B65H23/26

CPC classification number: C03B23/02 ,  B65H2301/5124 ,  B65H2601/254 ,  B65H2801/61 ,  C03B33/0235 ,  C03B33/033 ,  C03B33/091 ,  C03B35/16 ,  Y02P40/57

Abstract: 一种玻璃膜带制造装置(1)，具备：沿横向搬运玻璃膜带(G)的横向搬运部(4)；和配设在横向搬运部(4)的搬运路径上且沿在长度方向上延伸的切割预定线对所述玻璃膜带(G)进行切割的切割部(5)，横向搬运部(4)上配设有折皱拉伸机构(14)，该折皱拉伸机构(14)在由切割部(5)对玻璃膜带(G)进行切割之前对玻璃膜带(G)上产生的折皱进行拉伸。

公开(公告)号：CN102176412B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN102985381A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180034311.4

申请日：2011-11-15

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 鉴继薰 ,  猪饲直弘 ,  安达弘 ,  森弘树

IPC: C03B33/09 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C03B21/02 ,  B65H2301/4127 ,  C03B33/0235 ,  C03B33/033 ,  C03B33/091

Abstract: 本发明提供一种在使带状玻璃薄膜的至少单面(有效面)成为非接触的状态下，能够抑制波浪波及到割断带状玻璃薄膜的区域的带状玻璃薄膜割断装置及带状玻璃薄膜割断方法。带状玻璃薄膜割断装置(1)将带状玻璃薄膜(2)沿长度方向输送，并利用在带状玻璃薄膜(2)的沿着输送方向的割断预定线上实施局部加热和对该加热区域的冷却而产生的热应力，来将带状玻璃薄膜(2)沿着输送方向割断。割断装置(1)在比割断带状玻璃薄膜(2)的割断区域(R)靠输送方向的上游侧位置，通过输送器(3)对带状玻璃薄膜(2)的背面侧进行支承，并从吹拂器(5)向带状玻璃薄膜(2)的表面供给空气，由此将带状玻璃薄膜(2)向输送器(3)按压。

公开(公告)号：CN102176412A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN101636819A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008599.6

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2225

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B 2 O 3 挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO 2 为20～50摩尔％、Al 2 O 3 为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B 2 O 3 为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO 2 为30～60摩尔％、Al 2 O 3 为10～30摩尔％、B 2 O 3 为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO 2 为8～30摩尔％、Al 2 O 3 为50～85摩尔％、B 2 O 3 为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN111278779B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201880069880.4

申请日：2018-10-25

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 森弘树 ,  桐畑洋平

IPC: C03B33/03 ,  B65H35/02 ,  C03B33/09

Abstract: 本发明的玻璃卷筒的制造方法包括：搬运工序，在该搬运工序中，将玻璃膜(G)沿其长边方向搬运；切断工序，在该切断工序中，通过搬运工序搬运玻璃膜(G)的同时，从激光照射装置(19)向玻璃膜(G)照射激光(L)，从而将玻璃膜(G)分离成非产品部(Gc)和产品部(Gd)；以及卷取工序，在该卷取工序中，将产品部(Gd)卷取成卷状而构成玻璃卷筒R。切断工序包括如下工序，即，将从产品部(Gd)的宽度方向端部产生的丝状剥离物(Ge)卷绕于棒状的回收构件(23)并利用导向装置(24)将卷绕的丝状剥离物(Ge)向规定的搬运方向(PX)引导。

公开(公告)号：CN114555501A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080072657.2

申请日：2020-11-11

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 森弘树

IPC: B65H75/10 ,  B65H18/28 ,  B32B17/00 ,  B32B17/10 ,  B32B27/36 ,  B32B7/12 ,  B32B7/06 ,  C09J7/20

Abstract: 玻璃卷(1)包括将层叠膜(5)呈卷状卷绕而成的结构，所述层叠膜(5)具备：玻璃膜(2)；保护膜(3)；以及粘接层(4)，其设置于玻璃膜(2)与保护膜(3)之间，并将玻璃膜(2)粘接于保护膜(3)。保护膜(3)的宽度(A)比玻璃膜(2)的宽度(B)大，保护膜(3)的宽度方向的两端部(3x)分别从玻璃膜(2)伸出。玻璃膜(2)的宽度(B)比粘接层(4)的宽度(C)大，玻璃膜(2)的宽度方向的两端部(2x)分别从粘接层(4)伸出。

公开(公告)号：CN114466808A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080069069.3

申请日：2020-10-13

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 永田大辅 ,  森弘树 ,  藤崎征也 ,  桐畑洋平

IPC: B65H20/02 ,  B65H20/10 ,  B65H35/06 ,  B65H23/04 ,  B65H23/02 ,  C03B35/14 ,  C03B35/00 ,  C03B17/06 ,  C03B18/02

Abstract: 玻璃卷(GR)的制造方法包括利用搬运装置(4)将带状的玻璃膜(G2)沿着横搬运方向搬运的搬运工序以及将玻璃膜(G2)呈卷状卷绕的卷绕工序。搬运工序包括在对通过搬运装置(4)的中间搬运区域(MS)的玻璃膜(G2)赋予了张力赋予部的张力的状态下利用检测部(19a、19b)对该玻璃膜(G2)的宽度方向的各端部(Gd、Ge)的状态进行测定的检查工序。