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公开(公告)号：CN102473420B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201080036321.7
申请日：2010-08-19
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/6088 , G11B5/656 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和使用了所述热辅助磁记录介质的磁存储装置，本发明的热辅助磁记录介质具有：基板(1)；形成于基板(1)上的基底层；和形成于该基底层上的以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分的磁性层(5)，其中，该基底层由第1基底层(2)、第2基底层(3)和第3基底层(4)构成，所述第1基底层由非晶合金构成，所述第2基底层由以Cr为主成分、并且含有Ti、Mo、W、V、Mn、Ru之中的至少1种元素的BCC结构的合金构成，所述第3基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102163433B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110039735.1
申请日：2011-02-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种热辅助磁记录介质，包含：基板，在该基板上形成的多个基底层，以及含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层中的至少1层含有MgO作为主成分，并且含有至少1种熔点为2000℃以上的金属元素。该热辅助磁记录介质，磁性晶体粒径均匀，并且具有开关场分布(SFD)窄的特性，包含该热辅助磁记录介质的磁存储装置显示出较高的信噪比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101796580B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880105393.5
申请日：2008-09-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 桥本笃志
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/1171
Abstract: 本发明的一个目标是，提供一种方法，能够容易地提供一种低成本的、容易设计的ECC型磁记录介质，并且本发明提供一种垂直磁记录介质，其中至少包括在非磁性基底上沉积的软磁性衬背层、衬层、中间层、垂直磁记录层，其中，所述垂直磁记录层包括至少有一层的主记录层和至少有一层的辅助记录层，所述主记录层包括具有垂直磁各向异性的层，所述辅助记录层是多层，包括三层或更多层交替形成的软磁性层和非磁性层，并且与所述非磁性基底相接触的最外的一层是所述软磁性层。
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公开(公告)号：CN102208192A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110076895.3
申请日：2011-03-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，其包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MgO作为主成分，并且，含有在1000℃下的氧化自由能为每1摩尔氧、-120千卡/摩尔O2以下的元素。该热辅助磁记录介质具有磁性晶粒均匀、并且磁性粒子间的交换耦合充分弱的特性。
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公开(公告)号：CN102163433A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110039735.1
申请日：2011-02-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种热辅助磁记录介质，包含：基板，在该基板上形成的多个基底层，以及含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层中的至少1层含有MgO作为主成分，并且含有至少1种熔点为2000℃以上的金属元素。该热辅助磁记录介质，磁性晶体粒径均匀，并且具有开关场分布(SFD)窄的特性，包含该热辅助磁记录介质的磁存储装置显示出较高的信噪比。
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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN101785052A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104378.9
申请日：2008-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供兼备磁性晶粒的粒径微细化和高密度化，并且即使减薄中间层～种子层的非磁性层的膜厚也能够保持磁记录层的垂直取向性从而能够进行高密度的信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述的磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，取向控制层由多层构成，包括从基板侧起的种子层和中间层，作为种子层和中间层的材料，选用中间层材料相对于非晶的种子层材料的接触角在10度～100度的范围的材料。
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