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公开(公告)号：CN102822892B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180016253.2
申请日：2011-02-03
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/314 , G11B5/65 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，在具有：基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质，具有磁性粒径微细，磁性粒子间的交换耦合充分低，并且矫顽力分散低的特性。
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公开(公告)号：CN102725793B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201180007083.1
申请日：2011-01-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明具有在基板（101）上依次层叠有第1磁性层（106）和第2磁性层（107）的结构，第1磁性层（106）具有粒状结构，该粒状结构包含：具有L10结构的FePt合金、具有L10结构的CoPt合金或者具有L11结构的CoPt合金的任一种的晶粒；和SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、MgO、C之中的至少一种以上的晶界偏析材料，并且，第1磁性层（106）中的晶界偏析材料的含有率从基板（101）侧朝向第2磁性层（107）侧减少。
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公开(公告)号：CN101828222A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880108642.6
申请日：2008-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 公开了一种垂直磁记录装置，其至少包括均设置在非磁性基底上的软磁性层、下垫层、中间层以及垂直磁记录层，其中所述垂直磁记录层由具有一个或多个组成层的磁性层构成，其中所述磁性层中的至少一个组成层包括氧化物晶粒边界和主要由钴构成的铁磁晶粒，并且其中所述铁磁晶粒包含钌。在所述垂直磁记录介质中，可以获得以下所有方面：垂直磁记录层中的晶粒之间的分离、晶粒尺寸的微细化以及垂直取向性。因此该垂直磁记录介质能够记录/再现高密度的信息。
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公开(公告)号：CN101809660A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109310.X
申请日：2008-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层，并且，所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层。另外，所述bcc结构的(110)晶体取向层优选是含有60原子％以上的Cr的结构。该磁记录介质，通过兼具垂直磁记录层的晶体粒径的分离，晶体粒径的微细化和垂直取向性而具有能够记录再生高密度信息的特性。
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公开(公告)号：CN110648693A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103226954B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310032007.7
申请日：2013-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 本发明的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102208192B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110076895.3
申请日：2011-03-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，其包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MgO作为主成分，并且，含有在1000℃下的氧化自由能为每1摩尔氧、-120千卡/摩尔O2以下的元素。该热辅助磁记录介质具有磁性晶粒均匀、并且磁性粒子间的交换耦合充分弱的特性。
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公开(公告)号：CN103534757A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023252.5
申请日：2012-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 桥本笃志
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/732 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，并能够实现更高记录密度化的磁记录介质。本发明的磁记录介质，至少在非磁性基板之上按顺序层叠有软磁性基底层（30）、种子层（31、32）、取向控制层（33）和垂直磁性层。软磁性基底层（30）具有非晶或微晶结构。种子层（31、32）包含第1种子层（31）和在其上以岛状或网状形成的第2种子层（32），所述第1种子层（31）包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层（32）包含金属。取向控制层（33）以及垂直磁性层中，以第2种子层（32）为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。
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公开(公告)号：CN102822892A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016253.2
申请日：2011-02-03
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/314 , G11B5/65 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，在具有：基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质，具有磁性粒径微细，磁性粒子间的交换耦合充分低，并且矫顽力分散低的特性。
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公开(公告)号：CN102737653A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086440.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0036 , C23C14/0042 , C23C14/165 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B29/52 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，能够进行进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质的制造方法是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上方的层的取向性的取向控制层(11)、易磁化轴相对于非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其中，在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成取向控制层(11)的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成取向控制层(11)，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层(11)而使CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。
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