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公开(公告)号：CN101689375A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021665.3
申请日：2008-04-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质、其制造方法及磁记录再生装置。作为在非磁性基板上具有衬底层、基底层、中间层和至少1层垂直磁记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁记录层包含Co及Cr，其至少1层为由强磁性的晶粒和非磁性的氧化物的晶界构成的颗粒结构，构成该晶界的氧化物包含W氧化物。作为其他方式，使所述垂直磁记录层具有多层颗粒结构，所述多层颗粒结构具有以W氧化物为晶界的磁记录层、和形成于其上的以Cr氧化物、Si氧化物、Ta氧化物或Ti氧化物为晶界的磁记录层。该磁记录介质垂直磁性层的垂直取向性优，且具有强磁性晶粒的平均粒径极其微细的特性，高记录密度特性优。
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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101606197A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004342.3
申请日：2008-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/7325
Abstract: 在至少具有非磁性基底上的软磁背层、底层、中间层以及垂直磁记录层的垂直磁记录介质中，所述中间层中的至少一个层包含作为主成分元素的Re并包含作为第二主成分元素的具有hcp结构的元素或具有bcc结构的元素。作为所述中间层的主成分元素的Re的浓度在从55到99.5原子百分比的范围内。所述第二主成分元素为Co或Cr。
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公开(公告)号：CN101809660A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109310.X
申请日：2008-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层，并且，所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层。另外，所述bcc结构的(110)晶体取向层优选是含有60原子％以上的Cr的结构。该磁记录介质，通过兼具垂直磁记录层的晶体粒径的分离，晶体粒径的微细化和垂直取向性而具有能够记录再生高密度信息的特性。
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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN101785052A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104378.9
申请日：2008-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供兼备磁性晶粒的粒径微细化和高密度化，并且即使减薄中间层～种子层的非磁性层的膜厚也能够保持磁记录层的垂直取向性从而能够进行高密度的信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述的磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，取向控制层由多层构成，包括从基板侧起的种子层和中间层，作为种子层和中间层的材料，选用中间层材料相对于非晶的种子层材料的接触角在10度～100度的范围的材料。
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公开(公告)号：CN101627429A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007478.X
申请日：2008-02-19
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , Y10T428/11
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再现的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置。这样的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述基底层为fcc结构的(111)结晶取向层，所述中间层依次包含bcc结构的(110)结晶取向层和hcp结构的(002)结晶取向层。另外，所述bcc结构的(110)结晶取向层含有60原子％以上的Cr。
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