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公开(公告)号:CN1975568B
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200610148583.8
申请日:2003-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 三坂章夫
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种使用光罩的图案形成方法,其包括:在基板上形成光阻膜的工序;通过光罩向光阻膜照射曝光光的工序;使照射了曝光光的光阻膜显像,使光阻膜图案化的工序,光罩在它的透光性基板上形成有:对曝光光具有遮光性的半遮光部、由半遮光部包围且对曝光光具有透光性的透光部、及由半遮光部包围且位于透光部周边的周边部;半遮光部及透光部让曝光光在同相位下透过;周边部让曝光光在以半遮光部及透光部为基准的,反相位下透过;在半遮光部形成区域的透光性基板上,形成具有让曝光光部分地透过的透光率且让曝光光在以周边部为基准的反相位下透过的移相膜;周边部形成区域的透光性基板的表面露出来。
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公开(公告)号:CN101446761A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810169193.8
申请日:2003-12-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 三坂章夫
Abstract: 本发明公开了一种光掩模、使用了该光掩模的图案形成方法及光掩模数据制作方法。所要解决的课题为:在形成任意形状的图案时,让对比度和DOF提高。在透光基板100上形成通过曝光而被转移的线状主图案101。主图案101,由拥有让曝光光部分地透过的第一透光率的第一半遮光部分101A和移相器101B组成。透光基板100上主图案101的两侧,布置了构成一对的使曝光光衍射且通过曝光却不转移的辅助图案102。
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公开(公告)号:CN100373258C
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN02805742.2
申请日:2002-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 三坂章夫
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种不依靠图案的形状或者是密集程度,而可在相同曝光条件下形成精细图案的光掩模。该光掩模是具有于透过性衬底(2)上所设置的光掩模图案,该光掩模图案是通过以下部分所构成:以透光部分(4)为基准而使曝光光线同相位透过的半遮光部分(3);及以透光部分(4)为基准而使曝光光线反相位透过的移相器(5)。半遮光部分(3)是具有使曝光光线部分透过的透过率。移相器(5)是设置在通过该移相器的透过光可抵消透过透光部分(4)及半遮光部分(3)的光的一部分的位置上。
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公开(公告)号:CN1314079C
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200410059867.0
申请日:2004-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 三坂章夫
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/00
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F7/70283 , G03F7/70441 , G03F7/705
Abstract: 本发明涉及光掩模、使用该光掩模的图案形成方法及该光掩模的掩模数据编制方法。在透过性基板(100)上,设置:对曝光光具有遮光性的半遮光部(101),被半遮光部(101)包围、且对曝光光具有透光性的透光部(102),位于透光部(102)的周边的辅助图案(移相器)(103)。半遮光部(101)和透光部(102),以互相相同的相位使曝光光透过。辅助图案——移相器(103),以半遮光部(101)和透光部(102)为基准,以互相相反的相位使曝光光透过,并且不被曝光光复制。从而能够将孤立空白图案和孤立线图案或密集图案同时细微化。
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公开(公告)号:CN1209683C
公开(公告)日:2005-07-06
申请号:CN00812599.6
申请日:2000-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 三坂章夫
IPC: G03F1/08
Abstract: 在由掩模组成的透射性基板(100)上形成有由遮光膜区域(101)和移相区(102)构成的孤立的遮光性图案。移相区(102)相对于透射性基板(100)的光透射区具有相位差。还有,移相区(102)的宽度被设定为与具有同一宽度的遮光膜的遮光性能相比移相区(102)的遮光性能在同等程度以上。
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公开(公告)号:CN1373861A
公开(公告)日:2002-10-09
申请号:CN00812599.6
申请日:2000-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 三坂章夫
IPC: G03F1/08
Abstract: 在由掩膜组成的透射性基板100上形成有由遮光膜区域101和移相区102构成的孤立的遮光性模样。移相区102相对于透射性基板100的光透射区具有位相差。还有,移相区102的宽度被设定为与具有同一宽度的遮光膜的遮光性能相比移相区102的遮光性能在同等程度以上。
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