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公开(公告)号：CN1661480A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510003896.X
申请日：2000-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
Abstract: 一种图案形成方法，是使用光掩膜形成图案的形成方法，具备有在基板上形成抗蚀膜的工序、用上述光掩膜对上述抗蚀膜进行图案曝光的工序、和对被图案曝光了的上述抗蚀膜进行显影并形成抗蚀图案的工序，所述一种光掩模，在对曝光光具有透射性的透射性基板上形成有孤立的遮光性图案，上述遮光性图案是由由遮光膜组成的遮光膜区域和对上述透射性基板之中没形成有上述遮光性图案的光透射区具有反相位的移相区构成。
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公开(公告)号：CN1455300A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03122599.3
申请日：2003-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
IPC: G03F1/08 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种光罩，光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法。其目的在于实现同时精细化独立空隙图案和独立线图案或者是独立空隙图案和密集图案。在透光性基板上设置了对曝光光线具有遮光性的半遮光部分，由上述半遮光部分包围起来且对上述曝光光线具有透光性的开口部分(透光部分)，和位于开口部分周边的移相器(周边部分)。开口部分形成区域的透光性基板表面呈暴露状态。在移相器形成区域的透光性基板上形成下层相位调整膜。半遮光部分形成区域的透光性基板上沉积了下层相位调整膜及上层相位调整膜。下层相位调整膜及上层相位调整膜各自让曝光光线以开口部分为基准反相位状态透过。
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公开(公告)号：CN101322072B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780000467.4
申请日：2007-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
Abstract: 同时形成含有细线图形的各种尺寸图形时，对任意尺寸的图形形成能够获得掩膜误差因子(MEF)降低效果。对曝光光具有透光性的透射性基板100上，使得由遮光部101和半遮光部102构成的掩膜图形被设置为由透光部104围绕。半遮光部102被配置在掩膜图形的外缘区域，对透射透光部104的曝光光为同相位并且部分地使曝光光透射。
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公开(公告)号：CN100437903C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200310118798.1
申请日：2003-12-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种光掩模、使用了该光掩模的图案形成方法及光掩模数据制作方法。所要解决的课题为：在形成任意形状的图案时，让对比度和DOF提高。在透光基板100上形成通过曝光而被转移的线状主图案101。主图案101，由拥有让曝光光部分地透过的第一透光率的第一半遮光部分101A和移相器101B组成。透光基板100上主图案101的两侧，布置了构成一对的使曝光光衍射且通过曝光却不转移的辅助图案102。
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公开(公告)号：CN1975568A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610148583.8
申请日：2003-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种使用光罩的图案形成方法，其包括：在基板上形成光阻膜的工序；通过光罩向光阻膜照射曝光光的工序；使照射了曝光光的光阻膜显像，使光阻膜图案化的工序，光罩在它的透光性基板上形成有：对曝光光具有遮光性的半遮光部、由半遮光部包围且对曝光光具有透光性的透光部、及由半遮光部包围且位于透光部周边的周边部；半遮光部及透光部让曝光光在同相位下透过；周边部让曝光光在以半遮光部及透光部为基准的，反相位下透过；在半遮光部形成区域的透光性基板上，形成具有让曝光光部分地透过的透光率且让曝光光在以周边部为基准的反相位下透过的移相膜；周边部形成区域的透光性基板的表面露出来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1287220C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN03122598.5
申请日：2003-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种光罩、光罩制作方法及使用该光罩的图案形成方法，其目的在于：同时将孤立沟槽图案与孤立线图案或者孤立沟槽图案与密集图案微细化。光罩包括形成在透光性基板(10)上的对曝光光具有遮光性的低透光率移相器(半遮光部)、由低透光率移相器包围起来且对曝光光具有透光性的高透光率移相器(透光部)、及设在高透光率移相器附近的开口部(周边部)。低透光率移相器及高透光率移相器让曝光光在同相位下透过；开口部让曝光光在以低透光率移相器及高透光率移相器为基准的反相位下透过。在低透光率移相器形成区域的透光性基板(10)上，形成有具有让曝光光部分地透过的透光率且让曝光光在以周边部为基准的反相位下透过的移相膜(11)。
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公开(公告)号：CN1523446A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310118267.2
申请日：2003-12-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明建立了一种用于减少掩模CAD处理的工作量并确保OPC处理中定义的最小尺寸的掩模图形校正技术。本发明的方法包括以下步骤：测量掩模图形的线宽；提取掩模图形的线宽小于预定尺寸的边缘；产生相对于线宽小于预定尺寸的边缘之间的中心具有预定宽度的中心几何对象；以及用中心几何对象代替掩模图形的线宽小于预定尺寸的部分。由此将掩模图形的线宽改变成中心几何对象的预定尺寸的宽度。这显著地减少了现有技术中基于校正表对尺寸的每个值进行几何对象计算的步骤的数量，由此缩短了掩模CAD处理时间。
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公开(公告)号：CN101322072A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200780000467.4
申请日：2007-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
IPC: G03F1/08
Abstract: 课题：同时形成含有细线图形的各种尺寸图形时，对任意尺寸的图形形成能够获得掩膜误差因子(MEF)降低效果。解决方法：对曝光光具有透光性的透射性基板100上，使得由遮光部101和半遮光部102构成的掩膜图形被设置为由透光部104围绕。半遮光部102被配置在掩膜图形的外缘区域，对透射透光部104的曝光光为同相位并且部分地使曝光光透射。
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公开(公告)号：CN101025577A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710087851.4
申请日：2004-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
IPC: G03F7/20 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F7/70283 , G03F7/70441 , G03F7/705
Abstract: 本发明涉及使用光掩模的图案形成方法，其包括：在基板上形成保护膜的工序；通过光掩模，对保护膜照射曝光光的工序；以及将被曝光光照射过的保护膜显影，形成保护膜图案的工序。光掩模，在透过性基板上具有：对曝光光有遮光性的半遮光部；被半遮光部包围、而且对曝光光有透光性的透光部；以及被半遮光部包围、且位于透光部周边的辅助图案。辅助图案，配置在与透过透光部的光能形成干涉的距离，半遮光部及透光部以彼此相同的相位使曝光光透过，辅助图案，以半遮光部及透光部为基准，用相反的相位使曝光光透过，且不被曝光光复制。
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公开(公告)号：CN101013259A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710004048.X
申请日：2007-01-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 三坂章夫
IPC: G03F1/00 , G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了光罩、使用该光罩的图案形成方法及光罩数据生成方法。在透光性衬底(100)上的遮光部(101)形成有由多个孤立的透光部构成的主图案(111)到(115)。在主图案(111)与主图案(112)之间形成有由相移部构成的辅助图案(103)，该相移部让曝光光以相对透过透光部的曝光光反相的相位透过。因此，在由设置在光罩的遮光部中的透光部构成的主图案互相以曝光波长以下的间隔紧挨着的任意平面布置中，也能够强调透过主图案后的曝光光所产生的光强度分布的对比。
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