公开(公告)号：CN1689230A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03824600.7

申请日：2003-09-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  上田路人 ,  森本廉 ,  森田清之

IPC: H03K19/00 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/4087 ,  G11C11/22 ,  G11C11/4074

Abstract: 电压发生电路包含：电容器(4)、与电容器(4)串联连接的强电介质电容器(6)、输出端子(11)、使输出端子(11)接地的电容器(10)、电源电压供给端子(13)、连接电源电压供给端子(13)和2只电容器(4、6)的连接结点(N1)的开关(1)、以及连接连接结点(N1)和输出端子(11)的开关(9)。在第1期间，在使开关(1)及(9)为断开状态的状态下，使端子(3)接地，并把电源电压供给端子(7)，在第2期间，把电源电压供给端子(3)，且使开关(9)为导通状态，在第3期间，使开关(9)为断开状态，使开关(1)为导通状态，且使端子(7)接地，在第4期间，把电源电压供给端子(7)，从前述第1期间直到前述第4期间顺序重复进行。

公开(公告)号：CN1344033A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01123693.0

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  幸康一郎 ,  高木刚 ,  大西照人 ,  久保实

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/739 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7378

Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时,可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部,C含有率不到0.8%。因此,在发射极、基极结合部的耗尽层中,可以抑制由C引起的再结合中心的形成,维持低驱动电压性,通过降低再结合电流,实现对电流放大倍率等电特性的改善。