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公开(公告)号：CN1516871A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02803191.1
申请日：2002-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 通过照射波长λ为450nm以下的激光束来进行信息的记录与再现的光学信息记录媒体，其中设有：基片(14)和多个信息层。多个信息层中与激光束的入射侧最近的第一信息层(8)，含有记录层(4)、反射层(6)以及透射率调整层(7)。然后，记录层(4)为晶相时的第一信息层(8)对波长λ的透射率Tc1(％)和记录层4为非晶相时的第一信息层(8)对波长λ的透射率Ta1(％)满足46＜Tc1且46＜Ta1。并且，透射率调整层(7)对波长λ的折射率n1与衰减系数k1和反射层(6)对波长λ的折射率n2与衰减系数k2满足1.5≤(n1－n2)且1.5≤(k2－k1)。
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公开(公告)号：CN1495718A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03154825.3
申请日：1998-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/0062 , G11B7/0901 , G11B7/0906 , G11B7/0938 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/246 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316
Abstract: 记录信号时用推挽法或通过机械进给进行跟踪控制，再生时用相位差跟踪法进行跟踪控制，从而可以进行相位差再生、并能实现可重写的相变型光盘。此外，在具有相位差再生结构的相变光盘中，通过使未记录部分的反射率大于记录标记部的反射率，在信号再生时可以稳定地进行伺服控制。
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公开(公告)号：CN1476602A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02803169.5
申请日：2002-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/125 , B41M5/26
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/253 , G11B7/257 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571
Abstract: 光信息记录媒体10包括第一基板11、与第一基板11平行配置的第二基板12、以及配置在第一基板11与第二基板12之间的信息层20，信息层20包括记录层23和与记录层23相邻的无机物层(下部界面层22/上部界面层24)。通过从第一基板11侧入射的激光束14的照射使记录层23在光学上可以识别的两种以上不同的状态之间变化。上述无机物层以SixGe1－x(0.3≤x≤0.9)的氮化物为主要成分。本发明提供一种即使利用短波长的光束进行记录/重放或对多个信息层进行记录/重放时也能够很好地进行记录/重放的光信息记录媒体以及使用它的记录方法。
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公开(公告)号：CN1445768A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03107671.8
申请日：2003-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体，其特征在于，至少设置一层信息层，所述信息层从激光入射侧按顺序包含第1保护膜、第1界面膜、通过激光的照射其光学特性会可逆变化的记录膜、第2界面膜、第2保护膜及反射膜，第1界面膜包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的氧化物，第2界面膜包含碳或从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的碳化物。
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公开(公告)号：CN1198568A
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN98109250.0
申请日：1998-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种耐气候性优良、具有良好的记录擦除特性和重复特性的光学信息记录媒体,设置有含Ge层,以附接于信息层3上,该层7、8是由GeXN和GeXON中选出的至少一种为主要成分的扩散防止层。其中,成分X由Ⅲa、Ⅳa、Ⅴa、Ⅵa、Ⅶa、Ⅷ、Ⅰb、Ⅱb族元素和C中选出的至少一种元素构成,信息层3由以Ge、Te和Sb三种元素为主要成分的相变材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1193406A
公开(公告)日：1998-09-16
申请号：CN97190519.3
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体,为设有以Ge－N、Ge－N－O为代表的阻挡层的记录媒体,以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降,可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN102918593A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201280001449.9
申请日：2012-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/2433 , G11B7/2578 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/24027 , G11B7/24035 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法。该信息记录介质包括3个以上的信息层，且至少一个信息层包括记录层和核生成层，记录层含有由化学式(1)即[(Ge0.5Te0.5)x(In0.4Te0.6)1-x]ySb100-y(mol％)表示且x满足0.8≤x＜1.0、y满足95≤y＜100的材料，并且核生成层含有由化学式(2)即(Ge0.5Te0.5)z(Bi0.4Te0.6)100-z(mol％)表示且z满足10≤z≤71的材料，并且核生成层与记录层相接的信息记录介质，即使形成较小的记录标记，也能够得到足够的信号振幅，并稳定地保存较小的记录标记。
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公开(公告)号：CN102884577A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201280001113.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/241 , G11B7/2548 , G11B7/257 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24041 , G11B7/252 , G11B7/2578 , G11B7/266
Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，其包含三层以上的信息层，被配置在光入射侧的至少一个信息层是能够改写信息的信息层，在从光入射侧按如下顺序至少具有记录膜、由包含Bi、Ti以及O的电介质构成的透过率调整膜、以及隔离膜的信息记录介质中，将所述隔离膜设置为：在所述透过率调整层和在与光入射侧相反侧使所述信息层与其它信息层分离的中间分离层之间且与它们相接，并且将所述隔离膜的波长405nm处的光学常数的折射率设为1.8以下，且衰减系数设为0.05以下，防止在严酷的环境下的反复改写特性的变差。
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公开(公告)号：CN1967688B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1906043B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580001529.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B9/04 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 在通过照射光、或者通过施加电能来记录再生信息的信息记录介质中，通过以含有如下材料的方式形成产生可逆性相变的记录层，就能够得到在高线速度下且广线速度范围内确保高擦去性能与优质记录保存性的信息记录介质，所述材料含有Ge、Bi、Te以及元素M且以(GeTe)x[(M2Te3)y(Bi2Te3)1-y]100-x(mol％)(式中，M表示从Al、Ga以及In中选择的至少一种元素，x以及y满足80≤x＜100、0＜y≤0.9)表示。
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