公开(公告)号：CN102549737A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080037142.5

申请日：2010-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 白滨政则 ,  县泰宏 ,  川崎利昭 ,  广藤裕一 ,  山田隆顺

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 半导体装置具备：具有栅极电极(152)的MIS晶体管、电熔丝。栅极电极(152)具有形成在半导体基板(100)上的栅极绝缘膜(101a)、形成在栅极绝缘膜(101a)上或上方的第一多晶硅层(103a)、形成在第一多晶硅层(103a)上的第一硅化物层(104a)，电熔丝具有形成在半导体基板(100)上的绝缘膜(101b)、形成在绝缘膜(101b)上或上方的第二多晶硅层(103b)、形成在第二多晶硅层(103b)上的第二硅化物层(104b)。

公开(公告)号：CN101499321A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910003669.5

申请日：2009-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本安卫 ,  县泰宏 ,  白滨政则 ,  川崎利昭

IPC: G11C17/18

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/18

Abstract: 本发明提供一种电熔丝电路，其能实现电熔丝电路的面积节约，且构筑防止电熔丝误切断电路。其解决方案为除了独立的一个电源开关电路(300)之外，具有多个熔丝比特单元(200)，其由一端与该电源开关电路的输出相连的熔丝元件(201)和与该熔丝元件的另一端相连的第1MOS晶体管(202)构成，进一步，作为ESD对策，在接地电位和电源开关电路的输出VGB之间连接二极管(400)。构成熔丝比特单元(200)的晶体管的栅极氧化膜厚度与低电压逻辑系晶体管而不是高电压I/O系晶体管的栅极氧化膜厚度相等。

公开(公告)号：CN100411174C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510109414.9

申请日：2005-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 县政志 ,  白滨政则 ,  川崎利昭 ,  西原龙二

IPC: H01L27/02

CPC classification number: G11C17/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。其目的在于：缩短熔丝元件的程序化所用的时间，由此抑制系统LSI的检查成本增加。将熔丝元件(31)和程序化晶体管(32)串联，触发器(23)响应于起动信号，让程序化晶体管(32)导通，由此开始熔丝元件(31)的程序化，由二输入“与非”电路(35)根据熔丝元件(31)和程序化晶体管(32)的连接点的电压变化来监视熔丝元件(31)的电阻值的变化，当熔丝元件(31)的电阻值增加到规定的电阻值时，二输入“与非”电路(35)便输出结束信号。触发器(23)响应于该结束信号让程序化晶体管(32)截止，由此熔丝元件(31)的程序化自动结束。于是，让熔丝元件(31)的电阻值在最小的程序化时间内增加到规定值。

公开(公告)号：CN101123121A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140610.1

申请日：2007-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西原竜二 ,  县泰宏 ,  川崎利昭 ,  角真一

IPC: G11C17/18

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C17/16

Abstract: 本发明提供一种电熔断装置，包括：多个熔断核，每个熔断核均具有电熔断元件和串联连接到该电熔断元件的开关元件；程序控制电路，其通过与有效程序时钟信号同步地依次移位程序控制传输信号来产生程序移位信号，并随后基于程序数据和所述程序移位信号产生待发送给所述多个熔断核的每个开关元件的程序信号；和程序时钟控制电路，其根据程序时钟使能信号控制程序时钟信号的导通状态和非导通状态，并且当所述程序时钟信号处于导通状态时，将所述程序时钟信号传输给所述程序控制电路，作为有效程序时钟信号。

公开(公告)号：CN1949512A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610136176.5

申请日：2006-10-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 县泰安 ,  川崎利昭 ,  白滨政则 ,  西原龙二 ,  角真一 ,  山本安卫 ,  菊川博仁

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/10 ,  H01L23/525 ,  H03K19/00

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C5/14 ,  G11C17/165 ,  G11C17/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种系统LSI，其能够在不形成粗电源布线的情况下，以低阻抗将把I/O电源作为电源使用的电路与I/O电源连接。其中，输入输出部(12)具有作为I/O电源单元的2.5V电源单元(13)、和多个I/O单元(14)。设置在逻辑电路部(11)中的电熔断电路(15)使用2.5V电源单元(13)作为编程电源。电熔断电路(15)与从I/O单元(14)中的I/O电源布线引出的2.5V电源布线(16)连接。

公开(公告)号：CN1779975A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510109414.9

申请日：2005-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 县政志 ,  白滨政则 ,  川崎利昭 ,  西原龙二

IPC: H01L27/02

CPC classification number: G11C17/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。其目的在于：缩短熔丝元件的程序化所用的时间，由此抑制系统LSI的检查成本增加。将熔丝元件31和程序化晶体管32串联，触发器23响应于起动信号，让程序化晶体管32导通，由此开始熔丝元件31的程序化，由二输入“与非”电路35根据熔丝元件31和程序化晶体管32的连接点的电压变化来监视熔丝元件31的电阻值的变化，当熔丝元件31的电阻值增加到规定的电阻值时，二输入“与非”电路35便输出结束信号。触发器23响应于该结束信号让程序化晶体管32截止，由此熔丝元件31的程序化自动结束。于是，让熔丝元件31的电阻值在最小的程序化时间内增加到规定值。

公开(公告)号：CN1591678A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074129.3

申请日：2004-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 白滨政则 ,  县政志 ,  川崎利昭 ,  西原龙二

IPC: G11C11/34 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C7/1096 ,  G11C7/062 ,  G11C7/1078

Abstract: 一种半导体集成电路装置，包括：第一和第二非易失性存储元件；第一放大器，用于放大第一非易失性存储元件的输出信号，以输出放大了的信号；以及第二放大器，用于向第一放大器输出控制信号，该控制信号是通过放大第二非易失性存储元件的输出信号而产生的。第二放大器基于存储在第二非易失性存储元件中的数据，将第一放大器的输出信号固定在高电势或低电势。