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    半导体器件及其制造方法
    1.
    发明公开
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1523675A

    公开(公告)日：2004-08-25

    申请号：CN200410001558.8

    申请日：2004-01-13

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 中冈弘明 ,  濑部绍夫 ,  山田隆顺

    IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

    CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/1052

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在抑制逆窄现象的同时，把窄栅极宽度的MIS晶体管和宽栅极宽度的MIS晶体管的阈值电压控制在同一程度上。通过以抗蚀膜5及保护绝缘膜3a为注入屏蔽的，在与栅极宽度方向平行的剖面上，从与半导体衬底1的主面垂线倾斜10°～30°的方向，进行阈值控制用杂质的离子注入，来在SRAM的存储单元MIS晶体管Mtrs的活性区域的中央部形成相互重叠的第一低浓度杂质注入区域6。并且，在形成元件隔离7之后，进行不用注入屏蔽的离子注入，在各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl的活性区域上形成第二低浓度杂质注入区域9。因此在制造工序结束后，所形成的各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl都含有相同的阈值电压。

    半导体装置及其制造方法
    3.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1893085A

    公开(公告)日：2007-01-10

    申请号：CN200610100745.0

    申请日：2006-07-04

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 中村成志 ,  石仓聪 ,  山田隆顺

    IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/76

    CPC classification number: H01L27/11

    Abstract: 提供具有因为元件隔离区域的应力抑制了金属绝缘体半导体晶体管的特性变动的静态随机访问存储器的半导体装置及其制造方法。使第一存取晶体管(TrA1)的激活区域和衬底接触点区域(Rsub)从平面看成为一体地形成隔离绝缘膜(26)。并且，位于第一存取晶体管(TrA1)的激活区域和衬底接触点区域(Rsub)之间的半导体衬底(11)上形成虚设栅极电极(16c)。并将虚设栅极电极(16c)与衬底接触点区域(Rsub)的p型杂质区域(19)电连接。

    半导体装置及其制造方法
    4.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101350353A

    公开(公告)日：2009-01-21

    申请号：CN200810135866.8

    申请日：2008-07-17

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 山田隆顺

    IPC: H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843

    Abstract: 一种半导体装置，其中，第一MIS晶体管具备：在第一活性区域中的第一侧壁衬垫的外侧方下形成的第一源极漏极区域(108a)；在第一源极漏极区域上形成的第一硅化物膜(112a)；和形成于半导体基板上、在第一活性区域中的栅极长度方向产生应力的应力绝缘膜(114)，第二MIS晶体管具备：在第二活性区域中的第二侧壁衬垫的外侧方下形成的第二源极漏极区域(108b)；形成于第二栅极电极、第二侧壁衬垫及第二源极漏极区域的一部分上，由第一保护绝缘膜(109b)和第二保护绝缘膜(110b)构成的第一保护膜(111b)；在第二源极漏极区域上形成的第二硅化物膜(112b)；和应力绝缘膜。从而，在源极漏极区域上具有硅化物膜的晶体管中，防止产生接合泄漏。

    半导体器件及其制造方法
    5.
    发明授权
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1316630C

    公开(公告)日：2007-05-16

    申请号：CN200410001558.8

    申请日：2004-01-13

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 中冈弘明 ,  濑部绍夫 ,  山田隆顺

    IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

    CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/1052

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在抑制逆窄现象的同时，把窄栅极宽度的MIS晶体管和宽栅极宽度的MIS晶体管的阈值电压控制在同一程度上。通过以抗蚀膜5及保护绝缘膜3a为注入屏蔽的，在与栅极宽度方向平行的剖面上，从与半导体衬底1的主面垂线倾斜10°～30°的方向，进行阈值控制用杂质的离子注入，来在SRAM的存储单元MIS晶体管Mtrs的活性区域的中央部形成相互重叠的第一低浓度杂质注入区域6。并且，在形成元件隔离7之后，进行不用注入屏蔽的离子注入，在各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl的活性区域上形成第二低浓度杂质注入区域9。因此在制造工序结束后，所形成的各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl都含有相同的阈值电压。

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 无效

    公开(公告)号：CN1893084A

    公开(公告)日：2007-01-10

    申请号：CN200610100743.1

    申请日：2006-07-04

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 山田隆顺 ,  柁谷敦宏 ,  石仓聪

    IPC: H01L27/11 ,  H01L27/088 ,  H01L27/02

    CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/0203 ,  Y10S257/903

    Abstract: 在包括栅极长度方向中从栅极电极端部到半导体区域端部为止的距离不同的复数个金属绝缘体半导体晶体管的半导体装置中，使各晶体管的特性一致。第一半导体区域(RP1)的栅极长度方向的宽度(F1a、F1b)，形成的比第二半导体区域(RP2)的栅极长度方向的宽度(F2a、F2b)小。这种情况下，第一半导体区域RP1的栅极宽度方向的宽度(W1)，形成的比第二半导体区域(RP2)的栅极宽度方向的宽度(W2)宽。

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