半导体集成电路
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1698268A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200480000034.5

    申请日:2004-02-19

    CPC classification number: G05F1/565 H03K19/00384

    Abstract: 一种半导体集成电路,主电路(2)由源极和基板电位分离的MOS晶体管构成。基板电位控制电路(1),控制主电路(2)的MOS晶体管的基板电位,以便使构成主电路(2)的MOS晶体管的实际饱和电流值,成为在主电路(2)的动作电源电压(Vdd)之下的目标饱和电流值(Ids)。所以,即使半导体集成电路的动作电源电压成为低电压化,也能抑制动作速度的离差。

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