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公开(公告)号：CN101176074B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200680016090.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 一种非易失性存储装置(101)包括多个物理块，每个物理块设置有非易失性存储器(103)，逻辑/物理地址转换表，临时块，和临时表。非易失性存储器(103)包括多个分别作为预定写入单元的页。逻辑-物理地址转换表(106)存储物理块中存储的数据的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。临时块是存储数据的物理块，所述数据的尺寸比页的尺寸小。临时表(107)存储与临时块中存储的数据有关的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。
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公开(公告)号：CN101194238B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680020511.3
申请日：2006-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 本发明的存储单元使用的是保存多页数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器。当向非易失性存储器110写入数据时，构成成对的且以多页为单位的物理单元。当无法写入所有物理单元时，从保存着已写入的有效数据的旧物理块中复制数据，写入新物理块内，直至物理单元的写入完成为止。由此，当下一次要写入数据时，可从新的物理单元的起始开始写入，所以可防止出错。
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公开(公告)号：CN100511181C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480024833.6
申请日：2004-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 本多利行
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其写入方法，能够消除如下缺点，即伴随半导体存储卡的大容量化，因外部的数据管理大小与半导体存储卡内部的数据管理大小不同，在写入时花费的时间长。不管非易失性存储装置内的物理块大小如何，都使用对应于外部管理大小的部分物理块。通过按部分物理块单位写入数据、按物理块单位来确保删除块，可实现写入的高速化。
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公开(公告)号：CN100437517C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200580013088.X
申请日：2005-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 本多利行
Abstract: 非易失性存储装置(101)可以接收来自主机(102)的逻辑地址来进行数据的写入、读出，具备：非易失性存储器(103)，其根据物理地址进行数据的写入、读出；逻辑物理地址变换表格(106)，其按照每个规定的管理单位区域存储逻辑地址和物理地址的对应信息；重复表格(107)，其存储被重复配置在非易失性存储器内的多个区域中的比管理单位区域的尺寸小的尺寸的数据的逻辑地址和物理地址的对应信息；和控制器(104)，其进行非易失性存储装置的动作控制。控制器(104)允许将与一个管理单位区域中已经写入的数据具有同一逻辑地址的数据重复写入到其他管理单位区域，具有多个用于该重复写入的写入模式，根据来自主机的逻辑地址的变化状况，选择性地切换写入模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100377120C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03801648.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G11C16/102 , G11C16/16
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置的控制方法，在数据写入中或清除中发生电源切断等的异常而处理中断了的情况下，也能正常地进行下一次启动后的数据写入。本发明的非易失性存储器装置的控制方法具有：第一标记写入步骤，在向由多个物理块构成的非易失性存储器中写入数据时，在位于物理块的起始页的冗余区域中的、示出该起始页中是否写入着数据的第一标记中，写入示出写入着数据的固定值；数据写入步骤，向该物理块写入数据。
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公开(公告)号：CN100347685C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN03801476.9
申请日：2003-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7203
Abstract: 从写目标页的逻辑地址中识别源块(B0)和该写目标页的逻辑页号(“8”)。将要被写入的数据对象(DN8、DN9……DN12)(主机将其存储在页缓冲器(2)中)从该顶页(Q0)开始顺次被写入目的块(Bn)的各页(Q0、Q1……Q4)的数据区(DA)。该写目标页的逻辑页号(“8”)被写入该顶页(Q0)的冗余区(RA)。根据该写目标页的逻辑页号(“8”)和该源块(B0)的页偏移量(“2”)，来识别该写目标页的物理页号(“6＝8-2”)。当被该主机通知这些数据对象(DN8……DN12)的发送结束时，从以循环方式位于该写目标页(P6)后面的这些数据对象(DN8……DN12)的页数(“5”)的那一页(P11)开始，该源块(B0)中的数据项(D13……D31、D0、D1……D7)经由该页缓冲器(2)被顺序地、循环地传送到该目的块(Bn)中的各页(Q5、Q6……Q31)。
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公开(公告)号：CN1846199A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024833.6
申请日：2004-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 本多利行
IPC: G06F12/00
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其写入方法，能够消除如下缺点，即伴随半导体存储卡的大容量化，因外部的数据管理大小与半导体存储卡内部的数据管理大小不同，在写入时花费的时间长。不管非易失性存储装置内的物理块大小如何，都使用对应于外部管理大小的部分物理块。通过按部分物理块单位写入数据、按物理块单位来确保删除块，可实现写入的高速化。
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公开(公告)号：CN1831780A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610054769.7
申请日：2006-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 本多利行
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1068
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储系统、非易失性存储装置、数据读出方法及读出程序，其中的非易失性存储装置具有控制器和快闪存储器。快闪存储器存储用户数据以及用于纠正用户数据中的错误的纠错码。若存在来自外部的读出命令，则从快闪存储器中读出用户数据以及纠错码。在读出的用户数据中存在错误、但可纠正的情况下，执行纠错后输出。若不能进行纠错，则原样输出该数据。
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公开(公告)号：CN1498409A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03800129.2
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/105 , G11C16/16 , G11C2216/14 , G11C2216/18
Abstract: 存储卡(100)具有快闪存储器(120)和控制器(110)，所述快闪存储器(120)具有由存储数据的多个页面构成的多个物理块(122)、及用于保存写入页面内的数据的页式寄存器(121)，所述控制器(110)在改写数据时，参照表示物理块(122)内是否存储了有效数据的有效块表(114)，指定无效物理块并进行擦除，而且在进行擦除的过程中传送写入到页式寄存器(121)内的数据。
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