公开(公告)号：CN102119424A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201080002012.8

申请日：2010-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田雄一郎 ,  岛川一彦 ,  神泽好彦 ,  村冈俊作 ,  东亮太郎

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置(100)具备串联连接电阻变化元件(R11、R12、…)和存储单元(M11、M12、…)的存储单元(M11、M12、…)，电阻变化元件(R11、R12、…)由介于第1电极和上述第2电极之间并设置成与两电极相接的电阻变化层构成，存储单元(M11、M12、…)由介于第3电极和上述第4电极之间并设置成与两电极相接的电流控制层构成的电流控制元件(D11、D12、…)而构成，在将电阻变化元件低电阻化时经由电流限制电路(105b)由第1LR化驱动电路(105a1)驱动，在高电阻化时由第2HR化驱动电路(105a2)驱动，通过电流限制电路(105b)，将电阻变化元件低电阻化时的电流设为小于高电阻化时的电流。

公开(公告)号：CN100533594C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510087189.3

申请日：2005-07-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田雄一郎

IPC: G11C11/419 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/1075 ,  G11C8/16

Abstract: 本发明涉及多端口存储器。本多端口存储器具有存储保持电路、多个写电路和读电路以及读/写能力调整电路。该读/写能力调整电路单独设置每一写/读电路的写/读能力。该读/写能力调整电路使用运行状态确定电路，根据每一读/写电路中的运行状态来确定每单位时间内的写/读次数。所使用的运行状态确定电路是噪声量检测电路、运行完成检测电路或者电势波动检测电路。利用本发明的多端口存储器可以用最小的结构获得规定的性能。

公开(公告)号：CN1574075A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045746.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田雄一郎

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/416

CPC classification number: H01L27/1104 ,  G11C11/412 ,  H01L27/11

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，该半导体集成电路在衬底上具有存储保持部、至少一个写入部和至少一个读出部。在衬底上，形成存储保持部的存储保持部衬底区、形成各写入部的至少一个写入部衬底区和形成各读出部的至少一个读出部衬底区被绝缘隔离。对各衬底区施加独立的衬底电位。