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公开(公告)号：CN102790073B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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公开(公告)号：CN102612716B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201180004518.7
申请日：2011-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2213/56 , G11C2213/76
Abstract: 非易失性存储装置(800)具备电阻变化型的非易失性存储元件(100)和控制电路(810)。控制电路(810)，判断高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值是否为预先规定的阈值以上。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值小于阈值的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加第一电压(VL1)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值为阈值以上的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加绝对值比第1电压(VL1)小的第2电压(VL2)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。
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公开(公告)号：CN101548336B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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公开(公告)号：CN101981695A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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公开(公告)号：CN1260594A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN00100243.0
申请日：2000-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L27/04 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , C30B29/02
CPC classification number: H01L29/165 , C30B23/02 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/1054 , H01L29/155
Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102414819A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018771.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 具有半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将在使电阻变化层(309b)成为高电阻的电压信号被施加时成为晶体管(317)的漏极的扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)。
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公开(公告)号：CN101779287B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880025595.9
申请日：2008-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种可将存储器单元的晶体管的尺寸最优化的电阻变化型非易失性存储装置。具备存储器单元(300)，该存储器单元(300)由电阻变化元件(309)与晶体管(317)串联连接而成，该电阻变化元件(309)包括下部电极(309a)、上部电极(309c)、以及根据向两电极间施加的极性不同的电信号而可逆地变化的电阻变化层(309b)，晶体管(317)包括半导体基板(301)和两个N型扩散层区域(302a、302b)；电阻变化层(309b)包含缺氧型的过渡金属的氧化物，下部电极(309a)和上部电极(309c)由包含不同元素的材料构成，下部电极(309a)的标准电极电位V1、上部电极(309c)的标准电极电位V2及上述过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt＜V2且V1＜V2的关系，下部电极(309a)与N型扩散层区域(302b)连接。
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公开(公告)号：CN102119424A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201080002012.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置(100)具备串联连接电阻变化元件(R11、R12、…)和存储单元(M11、M12、…)的存储单元(M11、M12、…)，电阻变化元件(R11、R12、…)由介于第1电极和上述第2电极之间并设置成与两电极相接的电阻变化层构成，存储单元(M11、M12、…)由介于第3电极和上述第4电极之间并设置成与两电极相接的电流控制层构成的电流控制元件(D11、D12、…)而构成，在将电阻变化元件低电阻化时经由电流限制电路(105b)由第1LR化驱动电路(105a1)驱动，在高电阻化时由第2HR化驱动电路(105a2)驱动，通过电流限制电路(105b)，将电阻变化元件低电阻化时的电流设为小于高电阻化时的电流。
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公开(公告)号：CN101542730A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
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公开(公告)号：CN1762047A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007417.5
申请日：2004-03-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/66795
Abstract: 一种半导体装置，其具有：形成有沟槽的半导体基板、埋设在沟槽内且由含有相同的导电型杂质的半导体所形成的源极区域以及漏极区域、埋设在沟槽内且设置在上述源极区域与上述漏极区域之间的半导体FIN、从半导体FIN的侧面连续设置到其上面的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅电极、以及设置在沟槽内且包围源极区域与漏极区域的第1绝缘膜。
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