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公开(公告)号：CN101415867B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780011616.7
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1024
Abstract: 在熔剂方法中，在将源氮气供给到Na-Ga混合物之前将其充分加热。本发明提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备。该设备包括：反应器，该反应器保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属；用于加热反应器的加热装置；用于容纳反应器和加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从外部容器的外面供给到反应器中的进料管。进料管具有通过加热装置与反应器一起被加热的区域，其中，该区域在外部容器内部和反应器外部被加热。
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公开(公告)号：CN101405439A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009865.2
申请日：2007-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种氮化物单晶的制造装置，该装置具备：用于收纳溶液的坩埚、收纳坩埚的内侧容器(16)、收纳内侧容器(16)的加热容器(31)和压力容器(30)；所述加热容器(31)具备发热体(14)、设置发热体(14)的容器主体(13)以及与容器主体(13)组合的盖子(12)；所述压力容器用来收纳加热容器(31)并填充有至少含有氮气的氛围气体。盖子(12)对于容器主体的配合面(12b)相对水平面倾斜。
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公开(公告)号：CN101384953A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780006027.X
申请日：2007-03-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , G02F2001/354
Abstract: 本发明提供一种输出特性能够与入射强度相应地增加且能够在室温下使用的波长转换光学元件。本发明的波长转换光学元件是包含硼酸铯锂系列结晶的波长转换光学元件，其特征在于，上述结晶中的水杂质的含有量是如下这样的含有量，即在将上述结晶加工为Nd:YAG激光的4倍高次谐波发生方位的光学元件且长度为10mm的光学元件时，将上述光学元件的红外透射频谱中的3589cm－1的透射率(Ta)作为指标，透射率(Ta)与偏振光方向无关且不考虑在光学研磨表面上的损失时的实测值为1％以上的含有量。
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公开(公告)号：CN101558187B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200780046465.9
申请日：2007-12-10
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B9/10
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在3.7MPa和870℃的氮气(N2)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101384953B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780006027.X
申请日：2007-03-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , G02F2001/354
Abstract: 本发明提供一种输出特性能够与入射强度相应地增加且能够在室温下使用的波长转换光学元件。本发明的波长转换光学元件是包含硼酸铯锂系列结晶的波长转换光学元件，其特征在于，上述结晶中的水杂质的含有量是如下这样的含有量，即在将上述结晶加工为Nd:YAG激光的4倍高次谐波发生方位的光学元件且长度为10mm的光学元件时，将上述光学元件的红外透射频谱中的3589cm-1的透射率(Ta)作为指标，透射率(Ta)与偏振光方向无关且不考虑在光学研磨表面上的损失时的实测值为1％以上的含有量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101395305B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780007680.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。
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公开(公告)号：CN101583745A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780042434.6
申请日：2007-11-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 财团法人大阪产业振兴机构
CPC classification number: C30B29/406 , C30B19/02 , Y10T117/1024
Abstract: 提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。
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公开(公告)号：CN101415868A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012537.8
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , H01L33/0075 , Y10T428/265 , Y10T428/266
Abstract: 提供一种适于制造电子器件或光学器件的高质量的半导体衬底。本发明提供一种用于制造用于电子器件或光学器件的半导体衬底的方法，该方法包括在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合助熔剂混合物和III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基底衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在半导体晶体的生长期间或在半导体晶体的生长完成之后，在接近III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度的温度下，使助熔剂可溶材料溶于助熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101410558A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011246.7
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403
Abstract: 本发明的目的是在熔剂方法中防止构成外部容器的气氛的物质扩散到反应器中。提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备，该设备包括：保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属的反应器；用于加热反应器的加热装置；和用于容纳反应器和加热装置的外部容器，其特征在于，防止构成外部容器的气氛的物质扩散到反应器中。
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公开(公告)号：CN101405438A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009623.3
申请日：2007-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/403 , Y10T117/10 , Y10T117/1024
Abstract: 一种使用含易氧化性物质的助熔剂7生长氮化物单晶的装置，其具有用于收容助熔剂7的坩埚1、用于收容坩埚1并填充至少含氮气的气氛气体的压力容器20、配置在压力容器20内且在坩埚1外的炉体材料15A、15B、安装在炉体材料上的加热器17、18，以及覆盖炉体材料的耐碱性且耐热性的金属层16A、16B。
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