公开(公告)号：CN109411329A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811108987.3

申请日：2018-09-21

Applicant: 张海涛

Inventor： 张海涛

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/2011 ,  H01L21/2056

Abstract: 本发明属于制造方法，具体涉及一种氮化镓单结晶晶片的制造方法。一种氮化镓单结晶晶片的制造方法，包括下述步骤：通过运用HVPE二段生长法让氮化镓结晶在铝镁酸钪(ScAlMgO4)基板上生长。本发明的显著效果是：本发明中的GaN结晶的最大特征体现在其结晶品质和晶片大小上。在本发明中,因为GaN基板的晶格常数和热膨胀系数和SCAM基板基本一致,所以可以实现无位错、无结晶缺陷的高品质GaN结晶的制造。

公开(公告)号：CN108400157A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810104358.7

申请日：2018-02-02

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 野口仁 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  加藤宙光 ,  川岛宏幸 ,  山崎聪 ,  德田规夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/20 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/272 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02617

Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。

公开(公告)号：CN105122473B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201480020969.3

申请日：2014-03-28

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 安德烈亚斯·莱夫勒 ,  托比亚斯·迈耶 ,  亚当·鲍尔 ,  克里斯蒂安·莱雷尔

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01L33/0062 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L25/167 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及种用于制造光电子半导体芯片的方法,所述方法包括下述步骤:提供衬底;生长第层;执行刻蚀过程以便铺设V形缺陷;生长第二层和生长量子膜结构。

公开(公告)号：CN108368640A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580079657.4

申请日：2015-05-21

Applicant: EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

Inventor： G.克赖因德尔 ,  H.扎格尔迈尔 ,  M.艾贝胡贝尔

IPC: C30B23/04 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明涉及一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法，其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。

公开(公告)号：CN108155278A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711244180.8

申请日：2017-11-30

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社 ,  国立大学法人三重大学

Inventor： 藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  三宅秀人

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02502 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B29/68 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/3245 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。

公开(公告)号：CN107848835A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042083.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菊地谅介 ,  中村透 ,  羽藤一仁 ,  长谷川哲也 ,  广濑靖

IPC: C01G33/00 ,  B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  B01J37/02 ,  C23C14/06 ,  H01L21/363

CPC classification number: C30B29/38 ,  B01J23/20 ,  B01J27/24 ,  B01J37/348 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  C30B25/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的锐钛矿型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含：至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如锐钛矿型铌氧氮化物膜(120))。

公开(公告)号：CN107848834A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042055.6

申请日：2016-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菊地谅介 ,  羽藤一仁 ,  长谷川哲也 ,  广濑靖

IPC: C01G33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28

CPC classification number: C30B29/38 ,  C01B21/0821 ,  C01G33/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/28 ,  C30B25/105 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的金红石型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含：至少一个主面由具有金红石型晶体结构的金红石型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如金红石型铌氧氮化物膜(120))。

公开(公告)号：CN105097675B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510609449.2

申请日：2015-09-22

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司 ,  武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 贺超 ,  唐国强 ,  郭远 ,  李娟 ,  陈玉霞

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0242 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/2092 ,  G09G3/3611 ,  G09G3/3629 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0495 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制备方法。本发明的阵列基板的制备方法，将栅极与源漏极制作在同一金属层内，并将传统的整面型的公共电极层分割为两部分，其中一部分用作公共电极，另一部分用于实现栅极扫描信号输入，从而减少一道层间绝缘层制程，节省工艺制作成本；本发明的阵列基板，栅极与源漏极位于同一金属层内，栅极与源漏极之间不存在层间绝缘层，结构简化，从而降低了阵列基板的工艺制作成本。

公开(公告)号：CN104541364B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201380042569.8

申请日：2013-08-08

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 加藤宙光 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  竹内大辅 ,  山崎聪 ,  波多野睦子 ,  岩崎孝之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。

公开(公告)号：CN104795313B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510088677.X

申请日：2010-07-22

Applicant: 首尔伟傲世有限公司

Inventor： 金彰渊 ,  酒井士郎 ,  金华睦 ,  李俊熙 ,  文秀荣 ,  金京完

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层的同时或者在形成第二半导体层之后，使金属材料与氮的反应副产物蒸发以去除反应副产物。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。