公开(公告)号：CN101277580A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090518.3

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  市川尚志 ,  玉置直树 ,  林久贵 ,  小岛章弘

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165

Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RF电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RF电极外加规定频率的RF电压的RF电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。

公开(公告)号：CN1551307A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038156.5

申请日：2004-05-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小岛章弘 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法。本发明的目的是防止低介电常数绝缘膜劣化，能有效地剥离低介电常数绝缘膜上堆积的抗蚀剂掩模。其解决方案是具备：在半导体基板1上形成低介电常数绝缘膜5的工序，在低介电常数绝缘膜上形成抗蚀剂图案6的工序，和以抗蚀剂图案作为掩模蚀刻低介电常数绝缘膜的工序，和通过铵离子进行的等离子体处理来剥离抗蚀剂图案6的工序。