公开(公告)号：CN108807126A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810426752.2

申请日：2018-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·于 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  C-A·陈 ,  A·巴拉克利斯纳

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01J2237/3344 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01J37/32165

Abstract: 本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。

公开(公告)号：CN104488065B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201280074902.9

申请日：2012-07-24

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B37/0046 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32339 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32798 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明涉及一种依以下步骤、尤其以下顺序使第一衬底的第一接触面与第二衬底的第二接触面结合的方法，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。

公开(公告)号：CN106992108A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710043509.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永海幸一

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置中实施的等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理方法中，交替实施多个第一阶段和多个第二阶段。在第一阶段的每一个中，从气体供给系统向处理容器内供给第一气体，从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，从本第二阶段前的第一阶段连续地从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，将用于从第一气体切换成第二气体的气体切换信号供给气体供给系统。另外，在将气体切换信号供给气体供给系统后，在负载阻抗这样的参数超过阈值时，开始利用第二高频电源供给第二高频。

公开(公告)号：CN105379428B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201480038871.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丸山幸儿 ,  堀口将人 ,  松木哲理 ,  舆石公

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32816 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

Abstract: 等离子体处理装置包括：形成有使内部空间与处理空间连通的连通孔的电介质部件；隔着内部空间的第一电极和第二电极；将第一处理气体供给到内部空间的第一气体供给机构；第一高频电源，其将第一高频电力供给到第一电极和第二电极中的至少任一者，生成第一处理气体的第一等离子体；减压机构，其将第一等离子体中的自由基和第一处理气体导入至处理空间；第二高频电源，其供给第二高频电力，生成第一处理气体的第二等离子体，并将离子引入至被处理体；和控制部，其控制第一高频电力的全部电功率的大小，调整第二等离子体中的自由基量，控制第一高频电力的比率，调整第二等离子体中的离子量。

公开(公告)号：CN106653551A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610750129.3

申请日：2016-08-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 谭忠奎 ,  傅乾 ,  吴英 ,  许晴

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0656 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/02

Abstract: 本发明涉及独立控制自由基密度、离子密度和离子能量的方法和系统。在第一时间段,施加较高的射频功率以产生暴露于所述衬底的等离子体，同时在衬底层次施加低偏置电压。在第二时间段,施加较低的射频功率以产生等离子体，同时在衬底层次施加高偏置电压。以交替和连续的方式重复第一时间段和第二时间段持续在所述衬底上产生所期望的效果所必需的总的时间段。在一些实施方式中，第一时间段比第二时间段短，使得在时均基础上，所述等离子体具有比自由基密度大的离子密度。在一些实施方式中，第一时间段比第二时间段长，使得在时均基础上，所述等离子体具有比自由基密度小的离子密度。

公开(公告)号：CN104821269B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510079762.X

申请日：2007-05-22

Applicant: 吉恩株式会社

Inventor： 崔大圭

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32128 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明的感应耦合等离子体反应器包括：具有搭载被处理基板的基板支撑台的真空腔；向真空腔内部供给气体的气体喷头；设于真空腔上部的介电窗；及设于介电窗上部的射频天线。气体喷头及基板支撑台与真空腔内部的等离子体电容耦合，射频天线与真空腔内部的等离子体感应耦合。等离子体反应器通过电容且感应的耦合在真空腔内部产生等离子体，由此更均匀地产生大面积的等离子体，同时容易进行等离子体离子能量的正确调节，从而可以提高成品率和生产能力。等离子体反应器包括磁芯，该磁芯的磁束出入口朝向真空腔内部，并且该磁芯以沿着射频天线将其覆盖的方式设于介电窗上部。射频天线由磁芯覆盖，可集中更强的磁束，最大限度抑制磁束的损失。

公开(公告)号：CN103843465B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201280047361.0

申请日：2012-10-02

Applicant: 韩国科学技术院 ,  威特尔有限公司

Inventor： 张鸿永 ,  李镇远

IPC: H05H1/36

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/327 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明涉及一种等离子体生成装置以及基板处理装置。等离子体生成装置包括：多个介电管，所述多个介电管分别安装在形成于真空容器中的多个通孔中；天线，基于所述天线在所述真空容器中的布置对称性，所述天线被划分成第一天线组以及第二天线组，并分别安装在所述介电管外部；第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天线组供应功率；第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天线组供应功率；以及第一功率分配单元，所述第一功率分配单元布置在所述第一天线组与所述第一RF功率源之间，以将来自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天线组。

公开(公告)号：CN104885186B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380049073.3

申请日：2013-08-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  艾德沃·W·比尔 ,  玛尼·斯尔达斯奇

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31706

Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。本发明提供的射频离子源，能促进多重、空间重叠等离子体的运(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天

公开(公告)号：CN104821268B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410747792.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基

公开(公告)号：CN104364886B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380030520.0

申请日：2013-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成重和树 ,  佐藤孝纪 ,  佐藤学

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 当对多层膜进行蚀刻时，能够抑制弓形并进行蚀刻。使用包含HBr气体和C4F8气体的处理气体，多次执行等离子体蚀刻，由此，进行从SiN层时，在规定的时刻，向处理气体中以规定流量比添加含硼气体，由此，在凹部露出的SiN层的侧壁上形成保护膜(352)并进行叠层膜的蚀刻。(350)到叠层膜(340)逐渐形成凹部的蚀刻，此