公开(公告)号：CN103474456B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310338191.8

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/20 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/247 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

公开(公告)号：CN102255053B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201110184965.7

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田寿雄 ,  大原宏树 ,  细羽诚 ,  坂田淳一郎 ,  伊藤俊一

IPC: H01L51/52 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L51/5253 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。

公开(公告)号：CN102945862A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210332037.5

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  细羽幸 ,  須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN101516145A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910008065.X

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  坂田淳一郎

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56

CPC classification number: C09K11/7701 ,  C09K11/584 ,  C09K11/7716 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明名称为无机EL蓝色发光体及其制造方法、以及发光装置。在无机EL蓝色发光体的制造中，至少混合硫化物发光体及稀土－铜氧硫属化合物(MCuOS：注意，M为稀土金属)，并在600℃以上且1000℃以下的温度下对所获得的混合物进行焙烧来可以在所述硫化物发光体中包含稀土－铜氧硫属化合物(MCuOS)。

公开(公告)号：CN1700826A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510081725.9

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田寿雄 ,  大原宏树 ,  细羽诚 ,  坂田淳一郎 ,  伊藤俊一

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/04 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/5253 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。