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公开(公告)号：CN116889120A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280014543.1
申请日：2022-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种利用光刻法制造的高清晰且特性良好的发光器件。提供一种发光装置，在相邻的第一发光器件和第二发光器件中，所述第一发光器件包括第一EL层，所述第二发光器件包括第二EL层，所述第一EL层至少包括第一发光层和第一电子传输层，所述第二EL层至少包括第二发光层和第二电子传输层，所述第一电子传输层包含第一杂芳族化合物和第一有机化合物，所述第二电子传输层包含第二杂芳族化合物和第二有机化合物，所述第一发光层与所述第一电子传输层的端部一致，所述第二发光层与所述第二电子传输层的端部大致一致，并且，相对的所述第一发光器件与所述第二发光器件的间隔为2μm至5μm。
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公开(公告)号：CN116830804A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202280013952.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。提供一种发光器件，在第一电极上隔着第一EL层包括第二电极，其中，第一EL层至少包括第一发光层，在第一EL层上包括第二EL层，第二EL层至少包括第二发光层、第一电子传输层以及第二电子传输层，在第二发光层上包括第一电子传输层，以与第一发光层的侧面、第二发光层的侧面及第一电子传输层的侧面接触的方式包括绝缘层，在第一电子传输层上包括第二电子传输层，绝缘层位于第一发光层的侧面、第二发光层的侧面及第一电子传输层的侧面与第二电子传输层之间，并且，第一电子传输层包含具有至少一个杂芳环的杂芳族化合物以及与杂芳族化合物不同的有机化合物。
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公开(公告)号：CN115701264A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210835931.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种耐热性优良的发光器件及发光装置。该发光器件包括阳极、阴极、位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，其中所述EL层包括发光层及第一层，所述第一层位于所述发光层与所述阴极之间，所述发光层与所述第一层接触，所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及发光物质，所述第一层包含第三有机化合物，所述第一有机化合物及所述第三有机化合物各自为具有电子传输性的物质，所述第二有机化合物为具有空穴传输性的有机化合物，所述发光物质为呈现红色发光的物质，所述第一有机化合物为由下述通式(G100)表示的有机化合物，并且所述第三有机化合物为由下述通式(G300)表示的有机化合物。
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公开(公告)号：CN115548239A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210756566.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在制造工艺中耐热性高的发光器件以及一种发光装置。发光器件包括阳极与阴极之间的EL层，EL层至少包括发光层及电子传输层，电子传输层包括与发光层接触的第一电子传输层及与上述第一电子传输层接触的第二电子传输层，第一电子传输层包含至少具有一个杂芳环的第一杂芳族化合物，第二电子传输层包含至少具有一个杂芳环且包含与第一杂芳族化合物不同的第二杂芳族化合物，第一杂芳族化合物在粉末状态下的晶化温度(Tpc)与在薄膜状态下的晶化温度(Ttc)的温度差为20℃以内，第二杂芳族化合物在粉末状态下的晶化温度(Tpc)与在薄膜状态下的晶化温度(Ttc)的差为100℃以内。
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公开(公告)号：CN112673013A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980050982.6
申请日：2019-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种新颖有机金属配合物。此外，本发明的一个方式提供一种具有高量子产率的新颖有机金属配合物。一种配体包含1H‑萘并[1，2‑d]咪唑骨架并具有由下述通式(G‑1)表示的结构的Ir配合物。在1H‑萘并[1，2‑d]咪唑骨架所包括的N中，不键合于Ir的N与取代或未取代的芳基键合。在通式(G‑1)中，R1至R10分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至7的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基或吸电子基团，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118440083A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410118303.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有电子注入性对水的溶解性低的有机化合物、发光器件、显示装置及电子设备。提供一种由通式(G1)表示的有机化合物。在通式(G1)中，Ar是由通式(Ar‑1)表示的芳香族骨架，L表示亚烷基或亚芳基，n表示0至3的整数，m表示1至4的整数，R1至R12分别独立地表示氢或烷基。在通式(Ar‑1)中，环A、环B、环C及环D分别独立地表示苯环、萘环或菲环，并且环A、环B、环C及环D上的任意m个碳原子具有通式(G1)中的键，X1表示C、Si或Ge，α1表示单键、O、S、具有取代基的C、具有取代基的Si或具有取代基的Ge。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118255770A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311790110.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D487/04 , H10K50/17 , H10K85/10 , H10K85/60
Abstract: 提供一种具有电子注入性并且对水的溶解度低的有机化合物。提供一种发光器件、发光装置及电子设备。提供一种由通式(G1)所示的有机化合物。X为由下述通式(X‑1)所示的基，Y为由下述通式(Y‑1)所示的基。Ar表示成环碳原子数为2至30的杂芳烃基或成环碳原子数为6至30的芳烃基，R1及R2分别独立地表示氢或碳原子数为1至6的烷基，h表示1至6的整数。在通式(X‑1)及(Y‑1)中，R3至R6分别独立地表示氢或碳原子数为1至6的烷基，m表示0至4的整数，在m为0、1、3或4时，n表示1至5的整数，在m为2时，n表示1、2、4或5。在m或n为2以上的情况下，多个R3既可以彼此相同也可以彼此不同，R4、R5及R6也是同样的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118119255A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311599761.9
申请日：2023-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K85/60 , H10K85/40 , H10K50/11 , C07D209/86 , C07F7/08
Abstract: 提供一种效率高且可靠性高的发光器件。另外，提供一种有机化合物。本发明是一种发光器件，该发光器件在一对电极间包括有机化合物层，所述有机化合物层包括发光层，所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质，所述第一有机化合物包含氘，在所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的混合膜的PL测量中，在室温下观测到激基复合物的光谱，在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下观测不到激基复合物的光谱。
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公开(公告)号：CN117946176A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311354621.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖有机金属配合物及发光器件。提供一种由通式(G2)表示的有机金属配合物。在通式(G2)中，R1至R6、R8至R22及R31至R34分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至10的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基且R31至R34中的至少一个表示碳原子数为1至10的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基，并且n为1至4的整数。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117320469A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310777826.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种寿命长的绿色磷光发光器件。发光器件包括第一电极、第二电极以及发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光发光物质，所述第一有机化合物包含杂芳环骨架及芳烃基，所述第二有机化合物具有联咔唑骨架，所述第一有机化合物的最低三重激发能级只来源于所述芳烃基，所述第二有机化合物的最低三重激发能级的能量为2.20eV以上且2.65eV以下。
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