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公开(公告)号：CN112673013B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980050982.6
申请日：2019-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种新颖有机金属配合物。此外，本发明的一个方式提供一种具有高量子产率的新颖有机金属配合物。一种配体包含1H‑萘并[1，2‑d]咪唑骨架并具有由下述通式(G‑1)表示的结构的Ir配合物。在1H‑萘并[1，2‑d]咪唑骨架所包括的N中，不键合于Ir的N与取代或未取代的芳基键合。在通式(G‑1)中，R1至R10分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至7的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基或吸电子基团，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119684284A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411312444.9
申请日：2024-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D471/04 , H10K50/17 , H10K85/60
Abstract: 提供一种具有电子传输性对水的溶解性低的有机化合物。提供一种发光器件、发光装置及电子设备。提供一种由下述通式(G1‑1)表示的有机化合物。R2至R9中的至少任一个是由通式(R‑1)或(R‑2)表示的基，其他分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至10的烷基、碳原子数为3至10的环烷基、碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为2至10的环状仲氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基，α1表示取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基，n表示1或2，R11至R26分别独立地表示氢(包括氘)或碳原子数为1至10的烷基，p及q分别独立地表示0或1。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117858868A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280056602.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D215/30 , H10K50/10 , H10K50/844 , H10K71/00 , C07D215/36 , C07D235/18 , C07D241/42 , C07D213/22 , C07F5/06 , H10K50/00 , H10K85/30
Abstract: 提高有机半导体器件的耐热性，该有机半导体器件包括在有机半导体层上以其接触的方式形成氧化铝膜的工序。在有机半导体层上设置包含以下述通式(G1)表示的有机半导体层的掩模用有机金属化合物的层，然后进行加热工序。#imgabs0#(在通式(G1)中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基或者取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基，X表示氧或硫，M表示金属，n表示1至5的整数，金属M的化合价与n相同。注意，在n为2以上的情况下，多个Ar也可以相同或不同，X也可以相同或不同。在Ar为取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基的情况下，杂芳基的杂原子也可以与金属M配位键合)。
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公开(公告)号：CN117337120A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310774517.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提高发光器件的可靠性。提供一种发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。该发光器件包括包含发光物质及第一有机化合物的发光层，发光物质是具有中心金属及配体的有机金属配合物，配体中的一个包括环A1与吡啶环键合的骨架，环A1表示芳香环或杂芳环，吡啶环包括被氘取代的碳原子数为1至6的烷基，第一有机化合物包括电子传输性骨架及与其键合的第一及第二取代基，电子传输性骨架包括含有两个以上的氮的杂芳环，第一取代基包括芳香环及/或杂芳环，第二取代基包括空穴传输性骨架，最低三重激发态集中分布于第一取代基。
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公开(公告)号：CN116889119A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280011221.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/11
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖发光器件。该发光器件包括第一电极、第二电极以及第一层，第一层位于第一电极与第二电极之间，第一层包含发光材料、第一有机化合物及第一材料。发光材料具有发射荧光的功能，发光材料在第一波长处具有位于吸收光谱的最长波长的端部。第一有机化合物具有将三重激发能转换为发光的功能，发光在第二波长处具有位于光谱的最短波长的端部，第二波长与第一波长相比位于短波长。另外，第一有机化合物包括第一取代基R1，第一取代基R1为烷基、环烷基和三烷基硅基中的任意个。另外，第一材料具有在室温下发射延迟荧光的功能，第一材料的HOMO能级与LUMO能级之差小于第一有机化合物的HOMO能级与LUMO能级之差。
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公开(公告)号：CN114388715A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111152163.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光器件、能量供体材料、发光装置、显示装置、照明装置及电子设备。提供一种新颖发光器件。该发光器件包括第一电极、第二电极及第一电极与第二电极间的发光层，发光层包含在室温下发射磷光的有机金属配合物、以及发射荧光的发光材料。有机金属配合物包括具有选自碳原子数为3以上且12以下的具有支链的烷基、成环碳原子数为3以上且10以下的取代或未取代的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的至少一个第一取代基的配体。发光材料的吸收光谱在第一波长λabs(nm)处具有最长波长的端部，有机金属配合物的磷光光谱在第二波长λp(nm)处具有最短波长的端部。第一波长λabs(nm)比第二波长λp(nm)长。
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公开(公告)号：CN116437707A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211639564.0
申请日：2022-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/84 , H10K50/844 , H10K59/12 , H10K59/35
Abstract: 在具有在有机半导体层上以与该有机半导体层接触的方式形成氧化铝膜的工序的有机半导体器件、有机EL器件、发光装置、电子设备以及照明装置中抑制高电压化。本发明提供一种有机半导体器件，其包括第一电极、第二电极、有机半导体层以及缓冲层，有机半导体层位于第一电极与第二电极之间，缓冲层位于有机半导体层与第二电极之间，有机半导体层的侧面与缓冲层的侧面大致对齐。
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公开(公告)号：CN115915798A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210853246.8
申请日：2022-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种耐热性良好的发光器件、发光装置、受发光装置、电子设备及照明装置。该发光器件中包括阳极、阴极以及阳极与阴极之间的EL层，EL层包括发光层及第一层，第一层位于发光层与阴极之间，发光层与第一层接触，发光层包含第一有机化合物及发光物质，第一层包含第二有机化合物，发光物质为发射蓝光的物质，第一有机化合物为具有稠合芳香烃环的有机化合物，第二有机化合物为具有选自吡啶环、二嗪环和三嗪环中的一个的杂芳环骨架及联咔唑骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN115643782A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210849312.4
申请日：2022-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。提供一种发光器件，该发光器件在阳极与阴极间包括EL层，EL层至少包括发光层，在发光层与阴极间包括与发光层接触的第一层，发光层包括发光物质、第一有机化合物及第二有机化合物，第一层包括与第一有机化合物及第二有机化合物不同的第三有机化合物，发光物质是呈现绿色至黄色的发光的物质，第三有机化合物是具有联咔唑骨架及包括选自吡啶环、二嗪环和三嗪环中的一个的杂芳环骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN115336028A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024607.1
申请日：2021-03-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种发光器件用组成物和使用该组成物的可靠性良好的发光器件，其可以在维持发光器件的器件特性或可靠性的同时制造生产率高的发光器件。本发明的一个方式是将多个有机化合物混合而形成的发光器件用组成物以及将具有苯并吡啶骨架的第一有机化合物和以一般式(Q1)表示的第二有机化合物混合而形成的发光器件用组成物。(在通式中，R1至R14分别独立地表示氢(包括重氢)、碳原子数为1至6的烷基、形成取代或未取代的环的碳原子数为5至7的单环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为7至10的多环饱和烃、形成取代或未取代的环的碳原子数为6至13的芳基或者形成取代或未取代的环的碳原子数为3至20的杂芳基。另外，β1及β2分别为未取代的β‑萘基、未取代的联苯基和未取代的三联苯基中的任一个且β1和β2中的至少一个为未取代的β‑萘基)。
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