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公开(公告)号：CN101728424B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200910207022.4
申请日：2009-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/20 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/247 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。
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公开(公告)号：CN102598285A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080052375.2
申请日：2010-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/133528 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/133302 , G02F2001/133531 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L21/02107 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40C，更优选地低于或等于50C)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101996989A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010246771.0
申请日：2010-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种发光装置以及该发光装置的制造方法，在该发光装置中，在同一衬底上形成有多种电路，并具备分别对应于多种电路的特性的多种薄膜晶体管。作为用于像素的薄膜晶体管，使用具有重叠于源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的反共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置上且在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色片层。
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公开(公告)号：CN101728278A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910207327.5
申请日：2009-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78621 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的一个目的在于通过缩减曝光掩模数简化光刻工序，以低成本且高生产率地制造具有氧化物半导体的半导体装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，使用由透过的光成为多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成的掩模层进行氧化物半导体膜以及导电膜的蚀刻工序。在蚀刻工序中，第一蚀刻工序采用使用蚀刻液的湿蚀刻，而第二蚀刻工序采用使用蚀刻气体的干蚀刻。
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公开(公告)号：CN104835850B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510215816.0
申请日：2010-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104538355B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510004825.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/477 , G02F1/133345 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。其中，所述i型区至少形成在第一n型区和第二n型区之间，所述第一n型区与所述源电极层接触，以及所述第二n型区与所述漏电极层接触。
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公开(公告)号：CN102598285B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080052375.2
申请日：2010-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/133528 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/133302 , G02F2001/133531 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L21/02107 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40℃，更优选地低于或等于50℃)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104882473A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510351815.9
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/32 , H01L27/3248 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。
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公开(公告)号：CN102005449B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010263823.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/477 , G02F1/133345 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成，且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高开口率的显示装置。
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公开(公告)号：CN103151266A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310055161.6
申请日：2010-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/133528 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/133302 , G02F2001/133531 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L21/02107 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40C，更优选地低于或等于50C)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。
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