-
公开(公告)号：CN116488605A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310522621.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/10 , H03H9/145 , H03H9/54 , H03H9/72 , H03H9/64 , H03H9/70 , H04B1/10
Abstract: 本发明提供能够抑制由横模造成的杂散的弹性波装置，具备：压电性基板，具有压电体层和高声速构件层，压电体层直接或间接地层叠在高声速构件层上；以及IDT电极，设置在压电性基板上。压电体层由钽酸锂构成。在将弹性波传播方向设为第一方向并将与第一方向正交的方向设为第二方向时，在IDT电极中，沿着第二方向依次配置有中央区域、第一低声速区域、第二低声速区域以及第一高声速区域、第二高声速区域。第一低声速区域、第二低声速区域通过在IDT电极的第一电极指、第二电极指上设置质量附加膜而构成。通过由IDT电极的电极指间距规定的波长对质量附加膜的膜厚进行归一化的波长归一化膜厚与质量附加膜的密度之积为13.4631以下。
-
公开(公告)号：CN109802650B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811309869.9
申请日：2018-11-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制由横模造成的杂散的弹性波装置，具备：压电性基板，具有压电体层和高声速构件层，压电体层直接或间接地层叠在高声速构件层上；以及IDT电极，设置在压电性基板上。压电体层由钽酸锂构成。在将弹性波传播方向设为第一方向并将与第一方向正交的方向设为第二方向时，在IDT电极中，沿着第二方向依次配置有中央区域、第一低声速区域、第二低声速区域以及第一高声速区域、第二高声速区域。第一低声速区域、第二低声速区域通过在IDT电极的第一电极指、第二电极指上设置质量附加膜而构成。通过由IDT电极的电极指间距规定的波长对质量附加膜的膜厚进行归一化的波长归一化膜厚与质量附加膜的密度之积为13.4631以下。
-
公开(公告)号：CN110289827B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201910207419.7
申请日：2019-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐治真理
Abstract: 本发明在抑制IDT电极的耐功率性的下降的同时降低成为瑞利波的杂散的西沙瓦波的强度。IDT电极(3)形成在压电体基板(2)上。第一氧化硅膜(4)形成在压电体基板(2)上，使得覆盖IDT电极(3)。高声速电介质膜(5)形成在第一氧化硅膜(4)上，使得覆盖第一氧化硅膜(4)。第二氧化硅膜(6)形成在高声速电介质膜(5)上。压电体基板(2)的材料为铌酸锂。在高声速电介质膜(5)中，传播的纵波声速与在第一氧化硅膜(4)传播的纵波声速相比为高速。高声速电介质膜(5)形成于在压电体基板(2)的厚度方向(D1)上距第一主面(21)的距离为(t1+t2)×0.42以下的位置。
-
公开(公告)号：CN108713291B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201780015461.8
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐治真理
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制由赛兹瓦波的响应对以更高的频带为通带的带通型滤波器造成的不良影响的复合滤波器装置。一种复合滤波器装置(1)，在载波聚合中使用，具备与天线公共端子(14)连接的、具有第一通带的第一带通型滤波器(2)和具有频率比第一通带高的第二通带的第二带通型滤波器(3)，第一带通型滤波器(2)具备：LiNbO3基板；IDT电极，在LiNbO3基板上构成第一带通型滤波器(2)；以及电介质膜，覆盖IDT电极，并以氧化硅为主成分，第一带通型滤波器(2)由至少一个以上的弹性波谐振器构成，利用了在LiNbO3基板传播的瑞利波，弹性波谐振器中的赛兹瓦波的声速为4643.2m/秒以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113809036A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110666803.0
申请日：2021-06-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/495 , H01L27/082 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够提高散热性的半导体装置。在基板上的晶体管及其动作电极上交替地层叠有多个层间绝缘膜和多个导体膜。第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，且在俯视时被包含于动作电极。第一层的导体膜通过第一层的层间绝缘膜的开口与动作电极连接。第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜。第二层的导体膜通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接。沿着第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。
-
公开(公告)号：CN109075772A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780017325.2
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种不易由利用了瑞利波的带通型滤波器的塞兹瓦波对具有比利用了该瑞利波的带通型滤波器高的频带的带通型滤波器造成不良影响的复合滤波器装置。一种用于载波聚合的复合滤波器装置(1)，具备：天线公共端子(2)；第一带通型滤波器(3a)，具有第一通带；以及第二带通型滤波器(4)，具有频率比第一通带高的第二通带，第一带通型滤波器(3a)包含弹性波谐振器，该弹性波谐振器具有：LiNbO3基板；IDT电极，设置在LiNbO3基板上；以及电介质膜，覆盖IDT电极，并以氧化硅为主成分，在将第一带通型滤波器(3a)的塞兹瓦波的频率设为f1′并将第二通带的中心频率设为f2时，f1′存在于与f2不同的位置。
-
公开(公告)号：CN207074991U
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201720880349.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐治真理
IPC: H03H9/02
CPC classification number: H03H9/6406 , H03H7/38 , H03H9/02559 , H03H9/14541 , H03H9/14544 , H03H9/725 , H04B1/1036
Abstract: 本实用新型提供一种能够在改善频率温度特性的同时抑制频率的偏差的弹性波装置、使用了该弹性波装置的高频前端电路以及通信装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)，具有相互对置的第一主面(2a)、第二主面(2b)；IDT电极(3)，设置在压电基板(2)的第一主面(2a)上，具有以Mo为主成分的第一电极层；以及电介质膜(4)，设置在压电基板(2)上，覆盖IDT电极(3)。压电基板(2)由铌酸锂构成，电介质膜(4)由氧化硅构成。弹性波装置(1)利用了在压电基板(2)中传播的瑞利波。IDT电极(3)的占空比为0.55以上且0.75以下。
-
-
公开(公告)号：CN208836090U
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201821547802.4
申请日：2018-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐治真理
Abstract: 一种弹性波装置包括：压电基板，主要包含铌酸锂；叉指换能器电极，设置在压电基板上；以及电介质膜，设置在压电基板上，以便覆盖叉指换能器电极，主要包含氧化硅。弹性波装置使用瑞利波。叉指换能器电极包括多个主电极层(electrolyte)。多个主电极层包括一个或多个第一主电极层，所述一个或多个第一主电极层由针对弹性常数C11以及弹性常数C12而言C112/C12比大于氧化硅的C112/C12比的金属制成。在将所述叉指换能器电极整体的厚度是约100％时，所述一个或多个第一主电极层的厚度的总和是约55％或更多。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.023 seconds)
