-
公开(公告)号：CN113809035B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110655309.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/495 , H01L27/082 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。
-
公开(公告)号：CN108713291A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015461.8
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐治真理
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制由赛兹瓦波的响应对以更高的频带为通带的带通型滤波器造成的不良影响的复合滤波器装置。一种复合滤波器装置(1)，在载波聚合中使用，具备与天线公共端子(14)连接的、具有第一通带的第一带通型滤波器(2)和具有频率比第一通带高的第二通带的第二带通型滤波器(3)，第一带通型滤波器(2)具备：LiNbO3基板；IDT电极，在LiNbO3基板上构成第一带通型滤波器(2)；以及电介质膜，覆盖IDT电极，并以氧化硅为主成分，第一带通型滤波器(2)由至少一个以上的弹性波谐振器构成，利用了在LiNbO3基板传播的瑞利波，弹性波谐振器中的赛兹瓦波的声速为4643.2m/秒以上。
-
公开(公告)号：CN109787577B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201811343878.X
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐治真理
Abstract: 本发明提供一种不易产生谐振特性、滤波器特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置依次层叠有高声速构件、低声速膜、压电膜以及IDT电极，IDT电极具有交叉区域和第一外缘区域、第二外缘区域，交叉区域具有：中央区域，在第一电极指以及第二电极指延伸的方向上位于中央；以及第一内缘区域以及第二内缘区域，设置在中央区域的两外侧，第一电极指以及第二电极指的厚度在第一内缘区域以及第二内缘区域中设为比中央区域中的厚度厚，第一电极指以及第二电极指的被增厚的厚度增加部分由密度d为5.5g/cm3以上的金属构成，且被设为用T＝‑0.1458d+4.8654表示的波长归一化膜厚T(％)以下的膜厚。
-
公开(公告)号：CN109155622B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201780029418.7
申请日：2017-03-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制通带高的一侧的滤波器的滤波器特性的劣化的同时在通带相对低的一侧的滤波器中得到利用了瑞利波的良好的滤波器特性的弹性波装置。包含弹性波谐振器的第一滤波器(3)和第二滤波器(4)经由公共连接点(6)与天线公共端子(2)连接，在将第一滤波器(3)的第一通带、第二滤波器(4)的第二通带分别设为F1、F2时，F1＜F2，第一滤波器(3)具有至少一个弹性波谐振器，该弹性波谐振器利用在LiNbO3传播的瑞利波，在由LiNbO3构成的压电体层上具有包含Pt膜的IDT电极，并设置有覆盖IDT电极的氧化硅膜。氧化硅膜的厚度被设为IDT电极的波长λ的33％以下。
-
公开(公告)号：CN113809035A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110655309.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/495 , H01L27/082 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108111140B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201710858306.4
申请日：2017-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐治真理
Abstract: 本发明提供弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。提供能降低IDT电极的电阻且能改善频率温度特性与相对频带的权衡关系的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电基板(2)；IDT电极(3)，其具有设于压电基板(2)上且以Pt为主成分的第1电极层、和层叠于第1电极层上且以Cu为主成分的第2电极层；和电介质膜(4)，其设于压电基板(2)上，覆盖IDT电极(3)。压电基板(2)由铌酸锂构成。电介质膜(4)由氧化硅构成。弹性波装置(1)利用在压电基板(2)传播的瑞利波。
-
公开(公告)号：CN119547204A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380053770.X
申请日：2023-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/36 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在器件层形成有至少一个晶体管。在器件层的一个面设置有多个凸块。在器件层的与设置有多个凸块的面相反侧的面配置有绝缘层。导热层与绝缘层的与配置有器件层的面相反侧的面接触。导热层由具有比绝缘层的热导率高的热导率的绝缘材料形成。晶体管中的一个第一晶体管包括在俯视器件层时不与多个凸块重叠的部分亦即非重叠部分，导热层从与非重叠部分重叠的部位到与多个凸块中的至少一个凸块重叠的部位连续地配置。
-
公开(公告)号：CN113809036B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110666803.0
申请日：2021-06-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/495 , H01L27/082 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够提高散热性的半导体装置。在基板上的晶体管及其动作电极上交替地层叠有多个层间绝缘膜和多个导体膜。第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，且在俯视时被包含于动作电极。第一层的导体膜通过第一层的层间绝缘膜的开口与动作电极连接。第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜。第二层的导体膜通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接。沿着第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。
-
公开(公告)号：CN109560788A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810929093.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种弹性波装置，包括：压电体层；叉指换能器(IDT)电极，设置在所述压电体层上；高声速构件；以及低声速膜，设置在所述高声速构件与所述压电体层之间。所述压电体层包含钽酸锂，所述IDT电极包含多个金属层，所述多个金属层包括Al金属层和密度比Al高的金属层。在λ表示由所述IDT电极的电极指间距规定的波长，TLT(％)表示利用所述波长λ得到的所述压电体层的归一化膜厚，TELE(％)表示利用所述波长λ得到的所述IDT电极的Al换算归一化膜厚时，满足以下的式1：301.74667-10.83029×TLT-3.52155×TELE+0.10788×TLT2+0.01003×TELE2+0.03989×TLT×TELE≥0…式1。
-
公开(公告)号：CN109155622A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029418.7
申请日：2017-03-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制通带高的一侧的滤波器的滤波器特性的劣化的同时在通带相对低的一侧的滤波器中得到利用了瑞利波的良好的滤波器特性的弹性波装置。包含弹性波谐振器的第一滤波器(3)和第二滤波器(4)经由公共连接点(6)与天线公共端子(2)连接，在将第一滤波器(3)、第二滤波器(4)的第一通带、第二通带分别设为F1、F2时，F1＜F2，第一滤波器(3)具有至少一个弹性波谐振器，该弹性波谐振器利用在LiNbO3传播的瑞利波，在由LiNbO3构成的压电体层上具有包含Pt膜的IDT电极，并设置有覆盖IDT电极的氧化硅膜。氧化硅膜的厚度被设为IDT电极的波长λ的33％以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.044 seconds)
