公开(公告)号：CN113823332A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111140681.8

申请日：2019-05-22

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基

IPC: G11B7/2433

Abstract: 本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。

公开(公告)号：CN109644536B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201780052201.8

申请日：2017-08-22

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  日野绫

IPC: H01L51/52

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，充分降低其驱动电压，并具有高反射率的反射电极。本发明涉及由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜构成的反射电极，其特征在于，所述反射膜的主面与所述透明导电膜的主面接触，并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.5原子％的稀土元素。

公开(公告)号：CN109493887B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201811043504.6

申请日：2018-09-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基

IPC: G11B7/243 ,  G11B7/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可抑制层数的增加且满足各种要求特性的记录层及光信息记录介质与形成它们的溅射靶。本发明的记录层为通过激光光的照射来进行记录的光信息记录介质用记录层，且含有钨氧化物及钴氧化物，相对于全部金属原子而言的钴原子的含量为超过10原子％且70原子％以下。本发明的光信息记录介质包括所述记录层。

公开(公告)号：CN111788631A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980013291.9

申请日：2019-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基

IPC: G11B7/2433 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G11B7/24035 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/26

Abstract: 本发明一实施方式的光信息记录媒体用记录层为可通过激光的照射来记录信息信号的光信息记录媒体用记录层，其具有包括Mn氧化物、W氧化物及Sn氧化物的金属氧化物。此外，相对于构成所述金属氧化物的金属元素的合计原子数，Mn的原子数比例为3atm％以上且40atm％以下。

公开(公告)号：CN106337171A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610490806.2

申请日：2016-06-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 藤井秀夫 ,  田内裕基

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/32 ,  C23C28/02 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851

CPC classification number: C23C18/32 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/165 ,  C23C28/021 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851

Abstract: 提供了一种在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板，其允许Ni镀覆层在应用NiP镀覆工艺期间充分生长，使其可以有效地形成均匀的Ni镀覆层，并且此外展现出对Ni镀覆层的良好粘附性。所述在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板包括在用于磁性记录介质的铝基板表面上沉积的底层，并且所述底层是Al合金膜，所述Al合金膜含有Zn或Ni作为合金元素。

公开(公告)号：CN105814681A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480065043.6

申请日：2014-11-26

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  神钢力得米克株式会社

Inventor： 田尾博昭 ,  一原主税 ,  慈幸范洋 ,  田内裕基 ,  三井俊幸

IPC: H01L23/12 ,  B23K1/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供一种底板，该底板在一方的安装面上借助接合材料接合被接合构件，在供被接合构件接合的安装面的接合位置，具备用于借助接合材料接合被接合构件的凹处。凹处构成为，凹处开口面积比所述被接合构件大，在被接合构件的外周缘所面对的凹处外周部，凹陷的深度比凹处中央部深。

公开(公告)号：CN104040018A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280064789.6

申请日：2012-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  志田阳子

IPC: C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

Abstract: 本发明涉及用于反射电极的Ag合金膜，该Ag合金膜可显示与Ag膜基本同等水平的低电阻率和高反射率，并且耐氧化性优异。所述反射电极用Ag合金膜是用于反射电极的Ag合金膜，其特征在于，该Ag合金膜含有0.1～2.0原子％的选自In及Zn中的至少1种。

公开(公告)号：CN102640219A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080040683.3

申请日：2010-09-16

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  索尼株式会社

Inventor： 田内裕基 ,  志田阳子 ,  三木刚 ,  曾根康宏

IPC: G11B7/243 ,  B41M5/26 ,  G11B7/24 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257

CPC classification number: G11B7/2437 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2433 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。

公开(公告)号：CN102084421A8

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980125743.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 慈幸范洋 ,  中井淳一 ,  田内裕基

IPC: G11B7/258

Abstract: 本发明提供反射膜表面高精度再现形成于基板上的凹槽或凹点等，实现光信息记录介质的噪声的减小，并且具有高的反射率的Al基合金反射膜，以及对形成这样的反射膜有用的溅射靶材。本发明的光信息记录介质用反射膜用于光信息记录介质，实质上由含有2.0～15.0原子％的稀土类元素的Al基合金形成，反射膜的厚度方向的微晶尺寸为30nm以下。

公开(公告)号：CN101467210B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780022013.7

申请日：2007-06-15

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 坂本哲洋 ,  中野淳 ,  大川直树 ,  中井淳一 ,  田内裕基

IPC: G11B7/258 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/259 ,  G11B7/00736 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明可以确定通过物理转写在光学记录介质的基板上形成的凹坑和平面的形状而制备的盗版光盘记录介质。所述光学记录介质具有卓越的耐候性和长期存储可靠性。在通过凹坑和平面的组合记录了主数据的基板上形成由Ag100-x-yXxCuy的Ag合金膜所形成的反射膜，其中，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少一种元素。可以形成标记，使得在所述反射膜上一次写入的记录辅助数据的记录标记的再生信号电平升高，并且在通过物理转写所述基板的凹坑和平面的表面形状而制备的光学记录介质的再生信号电平降低。以这种方式可以确定盗版光学记录介质。