公开(公告)号：CN103229302A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180056933.7

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN103151090A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210509951.2

申请日：2012-12-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01B1/02 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  G06F3/041

CPC classification number: C22C9/00 ,  B22F3/10 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C2204/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/026

Abstract: 本发明提供一种耐氧化性和密接性优异，电阻小触摸屏传感器用Cu合金配线膜。触摸屏传感器用Cu合金配线膜，含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种，合计量0.1～40原子％含，余量是Cu和不可避免的杂质。另外触摸屏传感器用Cu合金配线膜，由含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种的Cu合金构成，含有一种所述合金元素时，为Ni：0.1～6原子％，Zn：0.1～6原子％，或Mn：0.1～1.9原子％的任意一种含量，含有两种以上所述合金元素时，合计量为0.1～6原子％(其中，含有Mn时为[((6-x)×2)÷6]原子％以下，式中，x为Ni和Zn的合计添加量)。

公开(公告)号：CN102486696A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110032825.8

申请日：2011-01-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种特别是相对于压入荷重等的纵向的耐久性优异，难以发生断线或经时的电阻增加，可靠性高的触摸板传感器，其具有透明导电膜和与所述透明导电膜连接的布线，所述布线以从基板侧开始的顺序，由高熔点金属膜、Al合金膜和高熔点金属膜构成，所述Al合金膜含有0.05～1原子％的稀土元素，并且，硬度为2～3.5GPa，在Al合金组织中存在的晶界三重点的密度为2×108个/mm2以上。

公开(公告)号：CN102313849A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110163468.9

申请日：2011-06-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  森田晋也 ,  前田刚彰 ,  三木绫

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法，其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波，在测定因上述激励光的照射而发生变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止上述激励光的照射，并测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化，根据上述测定的值算出寿命值，由此判定上述氧化物半导体薄膜的迁移率。

公开(公告)号：CN101828212A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880112242.2

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 大西隆 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  水野雅夫 ,  伊藤弘高 ,  富久胜文

IPC: G09F9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示装置用Cu合金膜，其电阻率比现有Cu合金膜低，且，不形成阻挡金属层时，在其和透明导电膜之间也可以实现低接点电阻的直接连接，应用于液晶显示器时，可以给予高的显示品质。本发明涉及在基板上与透明导电膜直接连接的显示装置用Cu合金膜，其特征在于，含有0.1～0.5原子％的Ge，且合计含有0.1～0.5原子％的选自Ni、Zn、Fe及Co的一种以上。

公开(公告)号：CN104620365B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104756257B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380054436.2

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  前田刚彰 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  具素英 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。

公开(公告)号：CN104335355B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380029493.5

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。

公开(公告)号：CN103229302B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180056933.7

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN103151090B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210509951.2

申请日：2012-12-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01B1/02 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  G06F3/041

CPC classification number: C22C9/00 ,  B22F3/10 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C2204/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/026

Abstract: 本发明提供一种耐氧化性和密接性优异，电阻小触摸屏传感器用Cu合金配线膜。触摸屏传感器用Cu合金配线膜，含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种，合计量0.1～40原子％含，余量是Cu和不可避免的杂质。另外触摸屏传感器用Cu合金配线膜，由含有从Ni、Zn和Mn所构成的群中选择的合金元素的至少一种的Cu合金构成，含有一种所述合金元素时，为Ni：0.1～6原子％，Zn：0.1～6原子％，或Mn：0.1～1.9原子％的任意一种含量，含有两种以上所述合金元素时，合计量为0.1～6原子％(其中，含有Mn时为[((6-x)×2)÷6]原子％以下，式中，x为Ni和Zn的合计添加量)。