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公开(公告)号：CN105800952A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610106967.7
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3476
Abstract: 本发明公开了一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法。（1）在氩气保护下，将0.7896 g硒粉和7.5624g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将15mL~45mL浓度为0.1mol/L的Cd(NO3)2·4H2O溶液和1mL~9mL分析纯甲酸溶液混合。（3）在步骤（2）所得溶液中加入10mL分析纯NMP、5mL~15mL浓度为0.1mol/L的Na2EDTA和5mL浓度为0.01mol/L的SDBS。（4）将步骤（3）所得溶液置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15mL~45mL步骤（1）所得的Na2SeSO3溶胶和1mL~19mL的H2O，在氩气保护下恒温反应回流20~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，样品分散性好，易存储，无污染，并具有较好的光电性能等特点。
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公开(公告)号：CN103922612B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次，ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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公开(公告)号：CN103922612A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次,ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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公开(公告)号：CN108374167B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810148516.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均匀放入20 mL反应釜中；（2）将规格1.5 cm×2.5 cm×0.1 cm的Cu片放入步骤（1）反应釜中并在90~180℃下反应1~12小时，即在Cu片上获得光电压值0.0821~0.2574 V的Cu2O纳米薄膜。本发明利用Cu片先氧化后还原合成Cu2O薄膜的水热法是首创的，Cu2O薄膜的光电压达0.2574V，具有优良的光电性能；此方法制备Cu2O薄膜，对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期短，生产过程绿色环保，产品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN108336186B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810148538.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液A。（2）将反应溶液A置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200℃烘箱中反应4~10小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3455 V的Ni/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108558920A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810334224.4
申请日：2018-04-14
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种4'-苯基-2,2′:6′,2′′-三联吡啶硝酸钆配合物的制备方法。称量4'-苯基-2,2′:6′,2′′-三联吡啶溶解于二氯甲烷中制得溶液，将溶液移入反应釜内；称量六水合硝酸钆溶解于乙腈中制得六水合硝酸钆溶液，将六水合硝酸钆溶液加入反应釜中，然后将反应釜置于电热鼓风干燥箱中，在80℃下恒温反应48小时，最后冷却至室温，得到淡黄色针状晶体，即为4'-苯基-2,2′:6′,2′′-三联吡啶硝酸钆配合物；该配合物属于正交晶系，空间群为Pbca。本发明具有工艺简单、成本低廉、重复性好等优点，成功的合成了钆配合物，为合成稀土金属的配合物提供了一定的依据。
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公开(公告)号：CN108484649A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810671107.7
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种2,3,5,6-四(吡啶-2-基)吡嗪硝酸铕配合物的制备方法。称量2,3,5,6-四(吡啶-2-基)吡嗪溶解于二氯甲烷中制得溶液，将溶液移入反应釜内；称量六水合硝酸铕溶解于乙腈中制得六水合硝酸铕溶液，将六水合硝酸铕溶液加入反应釜中，然后将反应釜置于电热鼓风干燥箱中，在120℃下恒温反应48小时，最后冷却至室温，得到浅黄色晶体，即为2,3,5,6-四(吡啶-2-基)吡嗪硝酸铕配合物；该配合物属于单斜晶系，空间群为P21/n。本发明具有工艺简单、成本低廉、重复性好等优点，成功的合成了铕配合物，为合成稀土金属的配合物提供了一定的依据。
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公开(公告)号：CN108484648A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810669783.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种2,3,5,6-四(吡啶-2-基)吡嗪硝酸钕配合物的制备方法。称量2,3,5,6-四(吡啶-2-基)吡嗪溶解于二氯甲烷中制得溶液，将溶液移入反应釜内；称量六水合硝酸钕溶解于乙腈中制得六水合硝酸钕溶液，将六水合硝酸钕溶液加入反应釜中，然后将反应釜置于电热鼓风干燥箱中，在120℃下恒温反应48小时，最后冷却至室温，得到浅黄色晶体，即为2,3,5,6-四(吡啶-2-基)吡嗪硝酸钕配合物；该配合物属于单斜晶系，空间群为P21/n。本发明具有工艺简单、成本低廉、重复性好等优点，成功的合成了钕配合物，为合成稀土金属的配合物提供了一定的依据。
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公开(公告)号：CN108374167A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810148516.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均匀放入20 mL反应釜中；（2）将规格1.5 cm×2.5 cm×0.1 cm的Cu片放入步骤（1）反应釜中并在90~180℃下反应1~12小时，即在Cu片上获得光电压值0.0821~0.2574 V的Cu2O纳米薄膜。本发明利用Cu片先氧化后还原合成Cu2O薄膜的水热法是首创的，Cu2O薄膜的光电压达0.2574V，具有优良的光电性能；此方法制备Cu2O薄膜，对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期短，生产过程绿色环保，产品光电性能优良。
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公开(公告)号：CN108336186A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810148538.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni/Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）称取NiC4H6O4（控制摩尔比nNi:nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液A。（2）将反应溶液A置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200℃烘箱中反应4~10小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3455 V的Ni/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。
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